专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

JP6158898B2 表示装置有权
公开(公告)号：JP6158898B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2015221060
申请日：2015-11-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：黒川義元 , 池田隆之 , 長多剛 , 井上卓之
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , G02F1/133707 , G02F2201/40 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908

12. 发明专利

JP2017103465A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017103465A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2017000827
申请日：2017-01-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：桑原秀明 , 秋元健吾 , 佐々木俊成
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/458
摘要：【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、該酸化物半導体層の上に、該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。また、酸化物半導体層と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、酸化物半導体層の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。【選択図】図1

13. 发明专利

JP6126763B1 液晶表示装置有权
公开(公告)号：JP6126763B1
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2017038058
申请日：2017-03-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：木村肇
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133707 , G02F1/1341 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/458 , H01L51/5215 , G02F1/136209 , G02F2001/13629 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , H01L51/56
摘要：【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することが可能となる。【選択図】図2

14. 发明专利

JP2017072856A 表示装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017072856A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016250504
申请日：2016-12-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：木村肇
IPC分类号： H01L27/32 , H05B33/28 , H05B33/26 , H01L51/50 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133707 , G02F1/1341 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/458 , H01L51/5215 , G02F1/136209 , G02F2001/13629 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , H01L51/56
摘要：【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することが可能となる。【選択図】図2

15. 发明专利

JP2017034262A 半導体装置及び半導体装置の作製方法有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2017034262A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016179156
申请日：2016-09-14
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 細谷邦雄 , 鈴木康太 , 藤川最史
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/10 , H05B33/22 , H05B33/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L29/78696 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要：【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。【選択図】図16
摘要翻译：本发明的目的，以减少二极管的反向电流。它是使用薄膜晶体管可以提高显示装置的图像质量的另一个目的。所述的在栅电极，设置在所述内部区域的微晶半导体膜不通过栅绝缘膜到达栅电极的端部，无定形覆盖微晶半导体膜的上表面和侧表面和半导体膜，在所述非晶半导体膜具有向其中加入的杂质元素赋予一分导电型，以形成各自的源区和漏区的杂质半导体膜，微晶半导体膜，用作施主的杂质元件，它是一种薄膜晶体管，包括。 .The 16

16. 发明专利

JP2016219840A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016219840A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016167015
申请日：2016-08-29
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：木村肇
IPC分类号： G02F1/1368 , H05B33/14 , H01L51/50 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565
摘要：【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電層と第2の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第3の導電層と第4の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第1の導電層で形成され、ゲート配線は、第1の導電層と第2の導電層で形成され、ソース電極は、第3の導電層で形成され、ソース配線は、第3の導電層と第4の導電層で形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：公开本发明的目的是提供一种高开口率的半导体装置或其制造方法。另一个目的是提供一种低功耗的半导体器件，或它们的制造方法。提供在具有绝缘表面的衬底上的半导体层，层叠在覆盖半导体层，设置在栅极绝缘膜和所述第二导电层的第一导电层的栅绝缘膜包括栅极电极，覆盖包括栅电极和所述半导体层的栅极布线的绝缘膜，设置在绝缘膜，所述半导体层和栅极布线电连接到所述第四和第三导电层在所述第一导电层，形成在第一导电层和第二导电层的栅极布线形成的导电层，并且包括堆叠在栅电极与源电极的源极布线是，源电极在所述第三导电层形成，源极布线在所述第三导电层及第四导电层的形成。点域1

17. 发明专利

JP2016532296A 改善されたＳｉＧｅファセットによる改善されたシリサイド形成审中-公开
标题翻译：改进的硅化物的形成通过改进的SiGe面
公开(公告)号：JP2016532296A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2016536476
申请日：2014-08-22
申请人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 , テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド , テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
发明人：エスエクボーテシャシャンク , エスエクボーテシャシャンク , リムクワンヨン , リムクワンヨン , エシュンエベニーザ , エシュンエベニーザ , チョイヨウンスン , チョイヨウンスン
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/28123 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823443 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/458 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要：記載される例において、集積回路(100)が半導体材料(104)を含む。第1のゲート構造(108)がゲート誘電体層(112)及びゲート(114)を含む。第2のゲート構造(118)が、フィールド酸化物(106)の側壁(142)に重ならないゲート(122)を含む。SiGeソース/ドレイン領域(138)が、頂部端(140)が、半導体材料(104)の頂部表面からSiGeソース/ドレイン領域(138)の深さの3分の1より多く延在しないように、第1及び第2のゲート構造(108、118)間にある。誘電体スペーサ(124、152)が、SiGeソース/ドレイン領域(138)上まで延在して、ゲート(122)の横方向表面の近隣にある。コンタクト(160)が、コンタクト(160)の底部の少なくとも半分が、SiGeソース/ドレイン領域(138)上の金属シリサイド(156)に直接的に接するように、第1及び第2のゲート構造(108、118)間にある。
摘要翻译：在所描述的例子中，它包括一个集成电路（100）的半导体材料（104）。该第一栅极结构（108），包括一栅极介电层（112）和栅极（114）。第二栅极结构（118）包括在所述场氧化物（106）（142）的栅极（122）的侧壁上的不重叠的。由于SiGe源极/漏极区（138），所述顶端（140）不大于SiGe源极的深度的三分之一多个扩展/从所述半导体材料（104）的顶表面漏极区（138），第一和第二栅极结构（108，118）之间。介电间隔物（124152）延伸到上的SiGe源极/漏极区（138），邻近所述栅极（122）的侧表面上。触点（160），所述触点（160）的底部的至少一半是在直接接触到在SiGe源极/漏极区中的金属硅化物（138）（156），第一和第二栅极结构（108 ，118）之间。

18. 发明专利

JP6002814B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6002814B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2015116889
申请日：2015-06-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 須澤英臣 , 小野幸治 , 荒井康行
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L2029/7863

19. 发明专利

JP2016153900A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016153900A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2016054137
申请日：2016-03-17
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：木村肇
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/26 , G09F9/30
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/7869
摘要：【課題】配線抵抗の低い半導体装置を提供すること、透過率の高い半導体装置を提供すること、または開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び/又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低布线电阻的半导体器件，具有高透射率的半导体或具有高开口率的半导体。解决方案：形成栅电极，半导体层以及源电极或漏电极使用半透明材料，并且使用具有比半透明材料的电阻率低的材料形成诸如栅极布线或源极布线的布线。此外，源极布线和/或栅极布线通过层叠半透明材料和具有低于半透明材料的电阻率的材料形成。因此，可以提供具有低布线电阻和高透射率的半导体器件。选择图：图1

20. 发明专利

JP2016139159A 液晶表示装置有权
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：JP2016139159A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2016088366
申请日：2016-04-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：木村肇
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133707 , G02F1/1341 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/458 , H01L51/5215 , G02F1/136209 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , H01L51/56
摘要：【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することが可能となる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过在像素电极上形成金属膜来形成层压结构时，通过使用一个抗蚀剂掩模来形成像素电极和金属膜。解决方案：用作像素电极的导电膜和金属膜是层压。通过使用具有半透膜部分的曝光掩模，在金属膜上形成具有厚膜区域和膜厚度小于厚膜区域的区域的抗蚀剂图案。与像素电极的一部分接触的像素电极和金属膜通过使用抗蚀剂图案形成。结果，可以通过使用一个抗蚀剂掩模来形成像素电极和金属膜。选择图：图2

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式