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12. 发明专利

JP2018137324A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018137324A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017030339
申请日：2017-02-21
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：新田峻介 , 松岡長 , 加藤俊亮 , 新井雅俊 , 小沢慎也 , 田中文悟
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L23/528 , H01L23/53261 , H01L29/402 , H01L29/7813
摘要：【課題】より耐圧が高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体層と、第1電極と、第1絶縁膜と、を備える。前記第1電極は、前記半導体層内に設けられ、第1方向に延びる。前記第1絶縁膜は、前記半導体層及び前記第1電極の間に設けられ、前記第1電極から前記半導体層に向かう方向の厚さが前記第1方向に向かうにつれて段階的に厚くなる。前記第1絶縁膜は、相互に異なる3以上の厚さを有する。【選択図】図1

13. 发明专利

JP2017017258A 半導体スイッチ审中-公开
标题翻译：半导体开关
公开(公告)号：JP2017017258A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015134768
申请日：2015-07-03
申请人：株式会社東芝
发明人：石丸淳
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/322 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53261 , H01L23/66 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H03K17/693 , H01L2223/6611 , H01L2223/6677
摘要：【課題】高調波歪を低減できる半導体スイッチを提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体基板に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の一部上に設けられた半導体層と、絶縁膜の他の一部上に設けられた配線層と、導電層と、を備える半導体スイッチが提供される。半導体層には、高周波信号の経路を切り替えるスイッチ回路が設けられている。配線層には、高周波信号を伝送する高周波配線と、スイッチ回路を接地する接地配線と、を含む。導電層は、高周波配線と絶縁膜の他の一部との間に設けられた第1の導電領域と、接地配線と絶縁膜の他の一部との間に設けられ、第1の導電領域と電気的に接続された第2の導電領域と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：能够降低谐波失真的半导体开关。根据一个实施方案，提供在半导体基板上的绝缘膜，设置在绝缘膜的一部分的半导体层，设置在所述绝缘膜的另一部分的布线层，的导电层，提供了一种半导体开关设置。半导体层，用于切换高频信号的路径中的开关电路被提供。布线层包括用于传送高频信号的高频电路，和用于接地开关电路的接地布线。所述导电层包括在所述接地线的其它部分之间设置绝缘膜的高频布线的另一部分和所述绝缘膜之间的第一导电区域，所述第一导电区具有电连接到所述第二导电区域和。点域1

14. 发明专利

JP5722427B2 銅チタン合金製スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットを用いて形成した半導体配線並びに同半導体配線を備えた半導体素子及びデバイス有权
标题翻译：铜钛合金溅射靶，其包括半导体布线和所述半导体布线的半导体元件和器件是使用相同的溅射靶形成
公开(公告)号：JP5722427B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2013502236
申请日：2012-02-15
申请人： JX日鉱日石金属株式会社
发明人：大月富男 , 福嶋篤志
IPC分类号： C22C9/00 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , C22F1/08 , C22F1/00 , C23C14/34
CPC分类号： H01L23/53233 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L2924/0002

15. 发明专利

JPWO2012117853A1 銅チタン合金製スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットを用いて形成した半導体配線並びに同半導体配線を備えた半導体素子及びデバイス有权
公开(公告)号：JPWO2012117853A1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2013502236
申请日：2012-02-15
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：富男大月 , 富男大月 , 篤志福嶋 , 篤志福嶋
IPC分类号： C23C14/34 , C22C9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53233 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ti:3at%以上、15at%未満、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅チタン合金スパッタリングターゲットであって、ターゲットの面内方向の硬さのばらつき(標準偏差)が5.0以内、電気抵抗のばらつき(標準偏差)が1.0以内であることを特徴とする銅チタン合金製スパッタリングターゲット。半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層を任意に形成可能かつ容易であり、さらに膜特性を均一化できる半導体用銅チタン合金製配線を形成するためのスパッタリングターゲット、半導体用銅チタン合金製配線及び同半導体配線を備えた半導体素子及びデバイスを提供する。【選択図】図3

16. 发明专利

JP5327651B2 Electronic components for thin film wiring and thin film wiring for forming a sputtering target material 有权
公开(公告)号：JP5327651B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2010505834
申请日：2009-03-27
申请人：日立金属株式会社
发明人：英夫村田
IPC分类号： C22C27/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53261 , C22C27/04 , C23C14/165 , H01B1/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： Disclosed is a novel Mo alloy thin film interconnect which does not cause warpage of a substrate upon the formation of a film on the substrate even when the substrate has a large size, and has low resistivity and excellent heat resistance, corrosion resistance and adhesion to a substrate. Specifically disclosed is a thin film interconnect for an electronic component, which comprises a substrate and a metal film formed on the substrate. The metal film contains additive elements other than Mo, with the remainder being Mo and unavoidable impurities. In the metal film, Nb and W are contained as the additive elements in amounts of 2 to 15 at.% and 2 to 20 at.%, respectively, and in a total amount of 30 at.% or less relative to the total amount (100 at.%) of Mo and the additive elements.

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