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11. 发明专利

JP2017036500A イミダゾールとビスエポキシド化合物との反応生成物を含有する電気銅めっき浴からフォトレジスト画定フィーチャを電気めっきする方法有权
标题翻译：如何电镀含有咪唑双环氧化合物的反应产物限定从铜电镀浴的特征的光致抗蚀剂
公开(公告)号：JP2017036500A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016150475
申请日：2016-07-29
申请人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC , ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
发明人：マシュー・ソーセス , ズーラ・ニアジンベトワ , イー・チン , ジュリア・ウォーティンク , ジョアンナ・ディジウィゼック , エリック・レディングトン , マーク・ルフェーブル
IPC分类号： G03F7/40 , C25D3/38 , C25D5/02
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/022 , C25D7/00 , C25D7/12 , G03F7/405 , H01L21/76879 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H05K1/11 , H05K3/064 , H05K3/4007 , H01L2224/03462 , H01L2224/05147 , H01L2224/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/13147 , H05K2201/09209
摘要：【課題】実質的に均一な形態を有するフォトレジスト画定フィーチャのめっきを可能にする電気めっき法を提供。【解決手段】フォトレジスト画定フィーチャを電気めっきするためのイミダゾールとビスエポキシドとの反応生成物を用いた電気銅めっき浴を含む。そのようなフィーチャは、ピラー、ボンドパッド、及び線幅/線間フィーチャを含む電気めっき法。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供一种电镀方法，其允许具有基本上均匀的光致抗蚀剂的形式限定特征电镀。阿包括铜电镀浴用于该咪唑和双 - 环氧化物用于电镀限定特征的光致抗蚀剂的反应产物。这样的特征，电镀，包括支柱，键合焊盘，并且所述特征之间的线宽/线。点域1

12. 发明专利

JP6068171B2 試料の処理方法および試料処理装置有权
标题翻译：处理方法和样本的样本处理装置
公开(公告)号：JP6068171B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013019066
申请日：2013-02-04
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：高妻豊 , 老泉博昭 , 安井尚輝 , 渡辺成一
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/40

13. 发明专利

JP2017016104A パターン処理のための組成物及び方法有权
标题翻译：组合物和图案加工方法
公开(公告)号：JP2017016104A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016111005
申请日：2016-06-02
申请人：ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー , ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC
发明人：ヴィプル・ジェイン , ミンキ・リー , ホワシン・ジョウ , ジョン・クン・パク , フィリップ・ディー・フスタッド , ジン・ウク・ソン
IPC分类号： C08F220/18 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要：【課題】微細パターンを形成するためのネガ型現像収縮プロセスにおける半導体デバイスの製造において、高解像度パターンを得る組成物を使用してパターンを処理するための組成物及びパターン処理法を提供する。【解決手段】ブロックコポリマーが第1のブロック及び第2のブロックを含み、第1のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び水素受容体基を含む第1のモノマーから形成された単位を含み、水素受容体基が窒素含有基であり、第2のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び芳香族基を含む第2のモノマーから形成された単位を含むが、第2のモノマーがスチレンではなく、第2のブロックがエチレン性不飽和重合性基を含む第3のモノマーから形成された単位を含み、第2のモノマー及び第3のモノマーが異なり、ブロックコポリマーがエチレン性不飽和重合性基を含む第4のモノマーから形成された単位を含む第3のブロックを含むパターン処理組成物。【選択図】なし
摘要翻译：甲在用于形成精细图案的负显影收缩处理的半导体器件的制造中，提供一种用于使用所述组合物以获得高分辨率图案加工的图案的组合物和图案加工方法。的嵌段共聚物包含第一嵌段和包含单元的第二块第一块是由包括烯属不饱和聚合基团的第一单体和氢受体基团形成，氢受体基团是含氮基团，包括其中所述第二块从第二单体形成的重复单元，其包含烯属不饱和可聚合基团和芳族基团，而不是第二单体是苯乙烯包括单元的第二块由包含烯属不饱和可聚合基团，不同的第二单体和第三单体，烯属不饱和聚合性基团的嵌段共聚物中的第三单体形成图案加工组合物，包括第三块，其包括从一个包括单体形成的第四单元。系统技术领域

14. 发明专利

JP2016128902A フォトレジストパターントリミング組成物及び方法有权
标题翻译：光电子图案修剪组合物和方法
公开(公告)号：JP2016128902A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2015245014
申请日：2015-12-16
申请人：ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC
发明人：アーヴィンダー・カウル , コン・リウ , ケヴィン・ローウェル
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/42 , C07C309/01 , C07C309/28 , C07C309/33 , C07C309/39 , C07C309/40 , G03F7/004 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , G03F7/405
摘要：【課題】微細フォトレジストパターンを形成する有用な収縮トリミングするための組成物及び方法に関し、酸不安定基を有するポリマーから形成されたフォトレジストパターンを、優れた線幅粗さ(LWR)及び/又は等密度バイアス特性をもたらしながらレジストパターン寸法を縮小することが可能な組成物及び方法を提供する。【解決手段】マトリックスポリマー、1つ以上のフッ素化アルコール基を含む芳香族スルホン酸、及び溶媒を含む、フォトレジストパターントリミング組成物、及びフォトレジストパターンをトリミングする方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供用于形成精细光致抗蚀剂图案的收缩修整的组合物和方法，能够降低抗蚀剂图案尺寸同时为光致抗蚀剂提供优异的线宽粗糙度（LWR）和/或等密度偏振特性的组合物和方法由具有酸不稳定基团的聚合物形成的图案。解决方案：光致抗蚀剂图案修剪组合物包含基质聚合物，芳族磺酸和溶剂，所述芳族磺酸包含一个或多个氟化醇基团。还提供了修整光致抗蚀剂图案的方法。选择图：无

15. 发明专利

JP5926753B2 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム有权
公开(公告)号：JP5926753B2
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：JP2014034917
申请日：2014-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：八重樫英民
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03D13/00 , G03F7/039 , G03F7/3021 , G03F7/405 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/67178

16. 发明专利

JP2016091007A パターン形成方法及びシュリンク剤有权
标题翻译：图案形成方法和收缩剂
公开(公告)号：JP2016091007A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2015175318
申请日：2015-09-07
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 片山和弘 , 長谷川幸士 , 船津顕之
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F20/26 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/405 , C08F22/22 , C08F220/26 , C08F220/30 , C08F220/34 , C08F220/36 , C08F226/02 , C08F226/06 , C08F26/02 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要：【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、このネガパターンの上から酸不安定基によってヒドロキシ基及び/又はカルボキシル基が置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と炭素数7〜16のエステル系溶剤及び/又は炭素数8〜16のケトン系溶剤を含有するシュリンク剤溶液を塗布し、ベーク後余分なシュリンク剤を有機溶剤現像液で除去し、パターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。【効果】レジストパターンのスペース部分の寸法を寸法制御よく縮小させることができる。【選択図】なし
摘要翻译：解决方案：提供一种图案形成方法，其包括：在基材上涂布含有具有包含酸不稳定基取代的羧基，酸产生剂和有机溶剂的重复单元的高分子化合物的抗蚀剂组合物，形成抗蚀膜; 对抗蚀剂膜进行热处理，然后将抗蚀剂膜暴露于高能束; 热处理抗蚀剂膜，然后通过使用有机溶剂显影剂形成负图案; 应用含有具有酸不稳定基取代的羟基和/或羧基的重复单元的高分子化合物，碳原子数为7〜16的酯溶剂和/或碳原子数为8〜16的酮溶剂的收缩剂溶液在负面模式上; 并烘烤图案，然后通过使用有机溶剂显影剂除去过量的收缩剂，以缩小图案中的空间的尺寸。抗蚀剂图案中的空间尺寸可以精确地缩小，受控制的方式

17. 发明专利

JP5793399B2 パターン形成方法及びその方法に用いる架橋層形成用組成物有权
标题翻译：在图案形成方法及其方法中使用的交联层形成用组合物
公开(公告)号：JP5793399B2
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：JP2011242121
申请日：2011-11-04
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：中村敦 , 男谷唯宏
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , C08F20/00 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , Y10T428/24851

18. 发明专利

JP5767919B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP5767919B2
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：JP2011196046
申请日：2011-09-08
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：上村聡 , 山中司 , 榎本雄一郎 , 加藤啓太
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/405 , Y10T428/24802

19. 发明专利

JP5732364B2 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法有权
标题翻译：图案形成方法，和用于制造电子器件的方法
公开(公告)号：JP5732364B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2011218546
申请日：2011-09-30
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：滝沢裕雄 , 岩戸薫 , 椿英明
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0388 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/405

20. 发明专利

JP2015087749A パターン形成方法有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：JP2015087749A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2014170234
申请日：2014-08-25
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤 , 提箸正義 , 阿達鉄平
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , C08F220/22 , C08F220/34 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , C08K5/05 , C08K5/06 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要：【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤とを含むレジスト材料を基板上に塗布し、レジスト膜を露光し、有機溶剤の現像液を用いてネガパターンを形成し、得られたネガパターンにαトリフルオロメチルヒドロキシ基及び/又はフルオロアルキルスルホンアミド基を有する繰り返し単位と、酸不安定基で置換されたアミノ基を有する繰り返し単位とのコポリマーと、炭素数6〜12のエーテル系溶剤、炭素数4〜10のアルコール溶剤、炭素数6〜12の炭化水素系溶剤、炭素数6〜16のエステル系溶剤、炭素数7〜16のケトン系溶剤を含有するシュリンク剤溶液を塗布し、ベーク後余分なシュリンク剤を除去し、パターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。【効果】本発明によれば、レジストパターンのスペース部分の寸法を寸法制御よく縮小させることができる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了减小抗蚀剂图案中的空间部分的尺寸，具有良好的尺寸可控性。解决方案：提供了一种图案形成方法，其包括以下步骤：施加包含酸产生剂和聚合化合物的抗蚀剂材料，在基板上羧基被酸不稳定基团代替以形成抗蚀剂膜的重复单元; 曝光抗蚀膜; 通过使用包含有机溶剂的显影剂形成负图案; 对获得的负图案应用下述的收缩剂溶液; 烘烤图案; 然后除去过量的收缩剂以减小图案中的空间部分的尺寸。收缩剂溶液包括：具有α-三氟甲基羟基和/或氟代烷基磺酰胺基团的重复单元和具有被酸不稳定基团取代的氨基的重复单元的共聚物; 和选自碳原子数6〜12的醚溶剂，碳原子数4〜10的醇溶剂，碳原子数6〜12的烃溶剂，碳原子数6〜16的酯类溶剂的溶剂，以及具有碳原子数6〜 7至16个碳原子。

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