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11. 发明专利

JP2013162049A Superconducting multilayer structure thin film 有权
标题翻译：超级多层结构薄膜
公开(公告)号：JP2013162049A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012024541
申请日：2012-02-07
申请人： Japan Steel Works Ltd:The , 株式会社日本製鋼所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： TERAO KATSUHIRO , SATO RYOSUKE , KITADA NORITAKA , NAKAMURA TETSUSHIGE , SOMA MITSUGI , TSUCHIYA TETSUO , YAMAGUCHI IWAO
IPC分类号： H01L39/02 , B32B9/00 , C01G1/00 , C01G3/00 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01L39/00 , H01L39/24
CPC分类号： Y02E40/642
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a superconducting thin film structure suitable for filter applications not requiring advanced deposition device or technique, by producing a superconducting thin film mixing c-axis growth and a-axis growth without providing an extra buffer layer on a c-axis epitaxial growth superconducting thin film provided on a substrate, and to provide a manufacturing method therefor.SOLUTION: The superconducting thin film structure is provided by laminating a superconducting thin film, mixing c-axis growth and a-axis growth of the same chemical material as a c-axis epitaxial growth superconducting material, on a c-axis epitaxial growth superconducting thin film formed on a substrate, with no buffer layer interposed therebetween.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供适用于不需要先进沉积装置或技术的过滤器应用的超导薄膜结构，通过生产混合c轴生长和a轴生长的超导薄膜，而不在c- 轴向外延生长超导薄膜，并提供其制造方法。解决方案：超导薄膜结构通过层压超导薄膜，混合c轴生长和同轴化学材料的a轴生长而提供作为c轴外延生长超导材料，在形成在衬底上的c轴外延生长超导薄膜上，其间没有缓冲层。

12. 发明专利

JP2012151018A Method of manufacturing superconductive film, and calcination deposition and superconductive film available by the same 有权
标题翻译：制造超导薄膜的方法及其相关的计算沉积和超导薄膜
公开(公告)号：JP2012151018A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2011009535
申请日：2011-01-20
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： MATSUI HIROAKI , KUMAGAI TOSHIYA , TSUKADA KENICHI , TSUCHIYA TETSUO , MANABE TAKAAKI , YAMAGUCHI IWAO
IPC分类号： H01B13/00 , C01G1/00 , C01G3/00 , H01B12/06 , H01L39/24
CPC分类号： Y02E40/642
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a thick film, high orientation, and high critical current at a low cost, relating to thermal-treatment formation of a superconductive film by thermal decomposition of metal organic compound.SOLUTION: In manufacturing a superconductive film material having thickness around 0.6 μm to several μm, a calcination film is interposed, which has a multilayer structure in which the calcination film having such composition as corresponds to at least one RE'123 is interposed between calcination films having such composition as correspond to a plurality of RE123. As a result, a superconductive film is manufactured which has a thick film, high orientation, and high critical current exceeding 200A per 1 cm width, containing many lamination defects. Further, by replacing a part of calcination step in an applied thermal decomposition method with the irradiation treatment under the light of ultraviolet excimer lamp having a specified wavelength and intensity, a high orientation and a high critical current are available with a film thickness that is larger than in the case where all steps are performed with thermal energy.
摘要翻译：要解决的问题：通过金属有机化合物的热分解，提供一种以低成本制造厚膜，高取向和高临界电流的制造方法，涉及热处理形成超导膜。解决方案：在制造厚度为0.6μm至几μm的超导膜材料时，插入煅烧膜，其具有多层结构，其中具有对应于至少一个RE'123的组成的煅烧膜被插入在具有对应于多个RE123的组成的煅烧膜之间。结果，制造了具有厚膜，高取向性和超过200A / 1cm宽的高临界电流的超导膜，其包含许多层压缺陷。此外，通过在具有特定波长和强度的紫外准分子灯的光照射处理下，通过在施加的热分解方法中替换部分煅烧步骤，可获得高取向和高临界电流，膜厚度较大比在所有步骤都用热能进行的情况下。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

13. 发明专利

JP2010031103A Method for manufacturing white fluorescent material 有权
标题翻译：制造白色荧光材料的方法
公开(公告)号：JP2010031103A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：JP2008193161
申请日：2008-07-28
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： NAKAJIMA TOMOHIKO , TSUCHIYA TETSUO , KUMAGAI TOSHIYA
IPC分类号： C09K11/69 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/67
CPC分类号： Y02B20/181
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new laminate type white fluorescent material which shows a white fluorescence excellent in the color rendering property resulting from that a fluorescent light spectrum is spread broadly to the range of 390-800 nm with the excitation by the ultraviolet light, the near ultraviolet light or the like and besides in which, for example, a warm-colored white or a cold-colored white can be freely adjusted, and to provide an industrially advantageous manufacturing method thereof. SOLUTION: The laminate type white fluorescent material is a material in which a substrate is provided thereon sequentially with an oxide white fluorescent material crystal thin layer, an amorphous alumina thin layer and an oxide red fluorescent material crystal thin layer or an oxide blue fluorescent material crystal thin layer. The above laminate type white fluorescent material is such that the oxide white fluorescent material is a vanadium oxide-based compound. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种新的层压型白色荧光材料，其显示了由于荧光光谱广泛扩散到390-800nm范围内的显色性能优异的白色荧光，其激发通过紫外线，近紫外线等，此外，可以自由调节例如暖色的白色或冷色的白色，并提供其工业上有利的制造方法。＆lt; P＆gt;解决方案：层叠型白色荧光材料是其上依次具有氧化物白色荧光材料晶体薄层，无定形氧化铝薄层和氧化物红色荧光材料晶体薄层或氧化物蓝荧光材料晶体薄层。上述层叠型白色荧光材料是氧化物白色荧光材料是氧化钒类化合物。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

14. 发明专利

JP2009084531A Method for manufacturing vanadium oxide phosphor thin film 有权
标题翻译：用于制造氧化钒氧化物薄膜的方法
公开(公告)号：JP2009084531A
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：JP2007259862
申请日：2007-10-03
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： NAKAJIMA TOMOHIKO , TSUCHIYA TETSUO , KUMAGAI TOSHIYA
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/00 , C09K11/69
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a thin film of vanadium oxide phosphor represented by a composition formula AVO 3 having excellent crystallinity, in a low temperature range from a room temperature to 400°C and forming it directly on an organic substrate which is conventionally difficult, without a binder. SOLUTION: A vanadium oxide phosphor thin film represented by the composition formula AVO 3 is obtained by holding, at 25-450°C, a thin film formed on a substrate and containing A (A is one or more atoms selected out of K, Rb and Cs) and V substantially at an atomic ratio of 1:1 and then irradiating the thin film with ultraviolet laser beams with a wavelength of 400 nm or less to crystallize a vanadium oxide. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：待解决的问题：提供一种在室温至400℃的低温范围内形成具有优异结晶度的组成式AVO 3 SB 3的氧化钒荧光体的薄膜的方法 °C，并直接在有粘结剂的情况下通常难以进行的有机基材上形成。解决方案：通过在25-450℃下保持形成在基板上并含有A（A是（A））的薄膜，得到由组成式AVO 3 表示的氧化钒荧光体薄膜一个或多个选自K，Rb和Cs的原子）和V基本上以1:1的原子比，然后用波长为400nm或更小的紫外激光束照射薄膜以结晶氧化钒。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

15. 发明专利

JP2009057434A Vanadium oxide phosphor 有权
标题翻译：氧化钒氧化物
公开(公告)号：JP2009057434A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2007224846
申请日：2007-08-30
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , Univ Of Tokyo , 国立大学法人東京大学 , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： NAKAJIMA TOMOHIKO , ISOBE MASAHIKO , TSUCHIYA TETSUO , UEDA HIROSHI , KUMAGAI TOSHIYA
IPC分类号： C09K11/69 , H01J29/20 , H01L33/50
CPC分类号： Y02B20/181
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vanadium oxide phosphor which emits white light under ultraviolet-near ultraviolet radiation as excitation light. SOLUTION: The phosphor comprises a vanadium oxide represented by compositional formula: A x V y O z , wherein when y is 1 and z is 2.9-3.1, x is 0.8-1.2 and A denotes one or more selected from the group consisting of K, Rb and Cs; and when y is 1 and z is 3.4-3.6, x is 0.9-1.1 and A denotes one or more selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba. A may contain one or more selected from the group consisting of Li, Na and NH 4 . The phosphor may be activated with at least one of Mn 2+ , Sb 3+ , Bi 3+ and rare earth ions. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在紫外 - 近紫外辐射下作为激发光发出白光的氧化钒荧光体。解决方案：磷光体包括由组成式表示的氧化钒：其中当y为1时，和 z为2.9-3.1，x为0.8-1.2，A表示选自K，Rb和Cs中的一个或多个; 当y为1且z为3.4-3.6时，x为0.9-1.1，A表示选自Ca，Sr和Ba中的一种或多种。 A可以含有选自Li，Na和NH 4 SB 中的一种或多种。磷光体可以用Mn 2 + ，Sb 3 + ，Bi 3 + 和稀土离子中的至少一种来活化。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

16. 发明专利

JP2015054889A ポリマー材料の表面処理方法有权
标题翻译：聚合物材料的表面处理方法
公开(公告)号：JP2015054889A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013188306
申请日：2013-09-11
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： NAKAMURA TAKAKO , TSUCHIYA TETSUO
IPC分类号： C08J7/00
摘要：【課題】簡便に、かつ耐熱性及び/又は耐光性に劣るポリマー材料であっても加熱及び/又は光照射による基材劣化を起こすことなく、ポリマー材料表面上に硫黄を含有する官能基のみを直接導入する方法を提供する。【解決手段】表面に単体硫黄を有するポリマー材料に紫外光を照射することにより、ポリマー材料の表面に硫黄を含有する官能基を化学結合させることができ、得られたポリマー材料表面を、さらに金属溶液又は金属粒子分散液で処理することにより、前記ポリマー表面に金属を担持させることができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种直接将含硫官能团直接引入聚合物材料的表面的方法，即使使用劣化的聚合物材料，也不会导致由加热和/或光照射引起的基材的劣化耐热性和/或耐光性。解决方案：表面上含有单质硫的聚合物材料用紫外线照射，因此在聚合物材料的表面上含有硫的官能团可以化学偶联，并且所得聚合物材料表面进一步用金属溶液或金属颗粒分散溶液处理以将金属携带在聚合物表面上。

17. 发明专利

JP2014239212A 抵抗体材料、抵抗体膜及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电阻材料，电阻膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2014239212A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014095631
申请日：2014-05-07
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： SHINODA KENTARO , TSUCHIYA TETSUO , NAKAJIMA TOMOHIKO
IPC分类号： H01C7/00 , H01B5/14 , H01B13/00 , H01C17/06
摘要：【課題】250〜400℃における使用を想定した抵抗体材料として、ルテニウム酸化物に代替可能な導電性を有する高耐熱性の抵抗体材料、抵抗体膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】(1+a)(A(1-x)Bx)(1-y)CyMnO3(ただし、−0.2≦̸a≦̸0.2、0≦̸x
摘要翻译：要解决的问题：提供具有导电性和替代氧化钌的高耐热性的电阻材料，作为在250-400℃下使用的电阻材料，并提供电阻膜及其制造方法。解决方案：A 电阻材料以（1 + a）（AB）CMnO（其中，-0.2≤a≤0.2,0≤x<1.0,0.5≤y≤1.0，A（a + 1））表示的具有钙钛矿结构的Mn氧化物作为主要成分是选自La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu中的一种金属，B是选自La，Ce，Pr， Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu除了A，C是选自Ba，Ca和Sr中的至少一种金属）。

18. 发明专利

JP2008156188A METHOD FOR PRODUCING A-SITE LAYERED ORDERED PEROVSKITE Mn OXIDE THIN FILM 有权
标题翻译：用于生产层状层状超临界层氧化物薄膜的方法
公开(公告)号：JP2008156188A
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：JP2006349693
申请日：2006-12-26
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： NAKAJIMA TOMOHIKO , TSUCHIYA TETSUO , KUMAGAI TOSHIYA
IPC分类号： C01G45/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method which enables to form a thin film of a crystallized A-site ordered perovskite Mn oxide on a substrate.
SOLUTION: In a method for forming on a substrate a thin film comprising an A-site layered ordered perovskite manganese oxide of composition formula: RBaMn
2 O
6-d (an R ion and a Ba ion occupy the A site of a perovskite structure (AMnO
3 structure)) in which the A site has a crystal structure with an alternating ordered array in layers (wherein R is a trivalent ion of at least one selected from Y, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Tb and Ho; Ba may be partly substituted by Ca or Sr; and the Mn site may be substituted by an extremely small amount of a metal ion such as Cr or Ru), an organic metal thin film containing the constituent elements of the above material is made amorphous by pyrolysis, held at 500-800°C in an inert gas, and crystallized by irradiation with ultraviolet laser. A method for producing an A-site layered ordered perovskite manganese oxide thin film is provided.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在基板上形成结晶的A位有序钙钛矿Mn氧化物的薄膜的制造方法。解决方案：在用于在基材上形成的方法中，所述薄膜包含组成式为：RBaMn 2 SBB 2 O / SB> 6-d 的A位层状有序钙钛矿氧化锰（R离子和Ba离子占据钙钛矿结构的A位点（AMnO 3 结构）），其中A位具有层状交替排列的晶体结构（其中R为选自Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Dy，Tb和Ho中的至少一种的三价离子; Ba可以部分地被Ca或Sr取代;并且Mn位点可以被极少量的金属离子如Cr或Ru），含有上述材料的组成元素的有机金属薄膜通过热分解在无定形气体中在500-800℃保持无定形，并用紫外线激光照射结晶。提供了A位层状有序钙钛矿锰氧化物薄膜的制造方法。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

19. 发明专利

JP2008028381A Method for manufacturing metal oxide film, laminated body and electronic device 有权
标题翻译：制造金属氧化膜，层压体和电子器件的方法
公开(公告)号：JP2008028381A
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：JP2007161753
申请日：2007-06-19
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , Tdk Corp , Tdk株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： MIYAMOTO YUKI , TSUCHIYA TETSUO
IPC分类号： H01G4/33 , C01G23/00 , C23C14/08 , C30B29/32 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1283 , C23C18/1295 , C23C18/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a metal oxide film which can produce the metal oxide film with sufficiently high crystalline orientation easily, at low cost, and almost without damaging the base material and metal oxide film, as well as to provide a laminated body and an electronic device.
SOLUTION: The manufacturing method includes a step of forming a metal film 14 having a crystalline plane (111) on a base material 10, a step of forming a metal oxide film 20 on a crystalline plane (111) of the metal film 14, and a step of irradiating ultraviolet rays to the metal oxide film 20 while keeping the temperature of the metal oxide film 20 formed on the crystalline plane (111) of the metal film 14 within the range from 25 to 600°C.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造金属氧化物膜的方法，其可以容易地以低成本制造具有足够高的结晶取向的金属氧化物膜，并且几乎不损坏基材和金属氧化物膜以提供层叠体和电子装置。解决方案：制造方法包括在基材10上形成具有结晶面（111）的金属膜14的步骤，在金属膜的结晶面（111）上形成金属氧化物膜20的工序以及在将金属膜14的结晶面（111）上形成的金属氧化物膜20的温度保持在25〜600℃的范围内的同时向金属氧化物膜20照射紫外线的工序。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

20. 发明专利

JP2015060921A 疑似太陽光照射装置及び該装置用蛍光体粉末有权
标题翻译：用于该设备的PSEUDO-SUNLIGHT IRRADIATION设备和磷肥
公开(公告)号：JP2015060921A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013193089
申请日：2013-09-18
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： NAKAJIMA TOMOHIKO , SHINODA KENTARO , TSUCHIYA TETSUO
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/08 , F21V9/16 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】紫外光源を励起光源とし複数種類の蛍光体粉末を励起して得られる発光スペクトルが350nmから900nmの範囲で太陽光スペクトルに近似し、小型かつ長寿命、省消費電力が可能な疑似太陽光装置を提供する。【解決手段】300〜400nmの範囲に最大強度を持つ紫外励起光の光源と、該紫外励起光の光路上に配置された蛍光体粉末とを具備し、該蛍光体粉末から発生する蛍光と透過励起光を350から750nm迄の50nm毎の範囲でスペクトル積分したときに得られる値がJIS C 8931に規定されたAM1.5全天日射基準太陽光スペクトルで得られる値と?40%の範囲内で近似することを特徴とする疑似太陽光照射装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够节省功耗的紧凑且长寿命的伪日照照射装置，其中通过用UV光源作为激发光源激发多种类型的荧光体粉末而获得的发射光谱近似对于350-900nm范围内的阳光光谱。解决方案：假阳光照射装置包括具有在300-400nm范围内的最大强度的UV激发光的光源，并且荧光粉置于光学 UV激发光的路径。通过对从荧光体粉末产生的荧光和透射的激发光在350〜750nm的每50nm的范围内进行光谱积分而获得的值接近于AM1.5全局太阳辐射标准阳光光谱在JIS C 8931中定义，在±40％的范围内。

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