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11. 发明专利

JP2020004907A 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020004907A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018124745
申请日：2018-06-29
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：藤原直澄 , 山口佑 , 尾辻正幸 , 加藤雅彦 , 佐々木悠太 , ▲高▼橋弘明
IPC分类号： F26B5/06 , F26B5/16 , H01L21/304
摘要：【課題】固化膜におけるクラックの成長を抑制または防止し、これにより、パターン倒壊をより効果的に抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。乾燥補助物質の意図しない凝固を大きなコストアップなく回避しながら、基板の表面を良好に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】室温以上の凝固点を有する昇華性物質と、昇華性物質よりも高い蒸気圧を有する第1の溶媒と、昇華性物質および第1の溶媒よりも低い蒸気圧を有する少量の第2の溶媒とが互いに混ざり合った混合昇華剤であって、室温よりも低い凝固点を有する混合昇華剤を基板の表面に供給する(ステップS6)。その後に実行される固化膜形成工程(ステップS7)では、基板の表面に存在する混合昇華剤の液膜から第1の溶媒を蒸発させる。これにより、固体状態の昇華性物質と液体状態の第2の溶媒とを含む固化膜が形成される。【選択図】図6

12. 发明专利

JP2018022725A 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018022725A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016151441
申请日：2016-08-01
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：加藤雅彦 , 屋敷啓之 , 藤木博幸
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
摘要：【課題】基板のダメージを抑制しながら、処理液の液滴により処理効率を増大させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。保護液ノズルと基板との接触を確実に防止できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、液滴ノズル5を含む。液滴ノズル5は、基板Wの上面内の第1の噴射領域に処理液の液滴を吹き付ける第1の液滴ヘッド部7と、基板Wの上面内の第2の噴射領域に処理液の液滴を吹き付ける第2の液滴ヘッド部8とを有する。第1の液滴ヘッド部7および第2の液滴ヘッド部8は、ノズルアーム9に取り付けられている。基板処理装置1は、さらに、第1の噴射領域を保護液で覆うための第1の保護液ノズル11と、第2の噴射領域を保護液で覆うための第2の保護液ノズル11とを含む。【選択図】図2

13. 发明专利

JP2017069265A 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017069265A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015189840
申请日：2015-09-28
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：加藤雅彦 , 屋敷啓之
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】配管系の流路の先端まで液密状態を保ち、サックバックの効果が低下することがない基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、基板9に液体を吐出する高温液ノズル14dと、主開閉弁14cを介して高温液ノズル14dに接続された供給配管14bと、供給配管14b一部区間において並列に設けられ、かつ供給配管14bの流量よりも低流量に設定される副開閉弁14iを有する副配管14hと、供給配管14bおよび副配管14hを通じて高温液ノズル14dに高温液を供給する高温液供給源14aと、供給配管14bに付設された引き戻し機構20とを備え、制御部8は、プリディスペンス時に高温液ノズル14dからの液の吐出を停止する際に、主開閉弁14cを先に閉止し、副開閉弁14iを主開閉弁14cが閉止するよりも遅れて閉止するように制御する。【選択図】図1

14. 发明专利

JP2015185756A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015185756A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014062088
申请日：2014-03-25
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：横内健一 , 加藤雅彦
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】凍結洗浄において基板の上面を覆う液膜を効率的に凍結させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板の上面を覆う液膜を凍結させる前に、液体が基板の下面に供給される。その後、液膜を凍結させるのと並行して、蒸発促進ガスとしての気体が基板の下面に供給される。基板の下面が濡れているので、基板の下面に気体が供給されると、基板の下面の液体が蒸発する。凍結した液膜は、解凍され除去される。その後、基板を乾燥させる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够有效地冷冻在冷冻清洗中覆盖基板的顶面的液膜并提供基板处理装置的基板处理方法。解决方案：将液体设置在基板的下表面冷冻覆盖基板顶面的液膜。然后，平行于冷冻液膜，将作为蒸发加速气体的气体设置在基板的下表面。由于基板的下表面是湿的，当气体被提供到基板的下表面时，基板的下表面处的液体被蒸发。将冷冻液膜解冻除去。然后，干燥基材。

15. 发明专利

JP2015185668A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2015185668A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014060434
申请日：2014-03-24
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：加藤雅彦 , 横内健一 , 宮勝彦
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】凍結洗浄においてパーティクル除去率を高めることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板Wの上面を覆う液膜を形成する。そして、液膜の外周部以外の部分を凍結させた後、液膜の外周部の厚みと液膜の中央部の厚みとの差が減少するように、液膜の外周部の厚みを減少させる。その後、液膜の外周部を凍結させる。これにより、液膜全体が凍結し、基板Wの上面を覆う凍結膜が形成される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高冷冻清洗中的颗粒去除率并提供基板处理装置的基板处理方法。解决方案：形成覆盖基板W的顶面的液膜。然后，在将液膜的周边部以外的部分冷冻之后，液膜的周边部分的厚度减小，使得液膜的周边部分的厚度与液膜的厚度之间的差异在中心部分减少。然后，将液膜的周边部分冷冻。因此，将整个液膜冻结，并且形成覆盖基板W的顶面的冷冻膜。

16. 发明专利

JP2020136355A 基板乾燥方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020136355A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019024815
申请日：2019-02-14
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻正幸 , ▲高▼橋弘明 , 加藤雅彦 , 井上一樹 , 藤原直澄 , 奥谷学 , 山口佑 , 佐々木悠太
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】昇華性物質を含む固化膜の厚さを精密に制御し、パターンの倒壊率を低下させる。【解決手段】少なくともパターンP1の高さHpに基づいて設定される昇華性物質の濃度の範囲を表す設定濃度範囲を確認する。昇華性物質と溶媒とを含む原液を原液タンク内に貯留する。溶媒を含み、昇華性物質の濃度が原液における昇華性物質の濃度よりも低い希釈液を、原液タンクの外で原液と混合することにより、昇華性物質の濃度が設定濃度範囲内である乾燥前処理液を作成する。昇華性物質を含む固化膜を基板Wの表面に形成する。固化膜を昇華させることにより、基板Wの表面から固化膜を除去する。【選択図】図7

17. 发明专利

JP2020088084A 治具、治具システムおよびノズルの保護方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020088084A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018218056
申请日：2018-11-21
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：小路丸友則 , 杉本健太郎 , 森岡利仁 , 屋敷啓之 , 加藤雅彦
IPC分类号： B05C5/00 , B05C11/10 , H01L21/304
摘要：【課題】ノズルの吐出口に異物が付着する可能性を低減できる治具を提供する。【解決手段】治具1は、下面に形成された吐出口から基板へ処理液を吐出する基板処理装置用のノズル30を保護する治具である。治具1は、鉛直上方に開口する持ち運び可能な箱部材10と、ノズル30の下面が箱部材10に囲まれるように、ノズル30を箱部材10に着脱可能に固定する取付部材20とを備える。【選択図】図5

18. 发明专利

JP2020035995A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020035995A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2019012448
申请日：2019-01-28
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：加藤雅彦 , 藤原直澄 , 尾辻正幸 , 佐々木悠太 , 山口佑 , ▲高▼橋弘明
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】固化膜形成物質の消費量を減らしながら、基板を乾燥させたときに発生するパターンの倒壊を減らす。【解決手段】固化膜形成物質の固体100を基板処理装置内で運搬し、基板Wの表面に供給する。固化膜形成物質の融解または溶解により、基板Wの表面上の固化膜形成物質を含む乾燥前処理液を基板Wの表面で作成する。基板Wの表面上の乾燥前処理液を凝固または析出により固化させることにより、固化膜形成物質を含む固化膜を基板Wの表面に形成する。固化膜を気体に変化させることにより基板Wの表面から除去する。【選択図】図7B

19. 发明专利

JP2020004948A 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液审中-公开
公开(公告)号：JP2020004948A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2019050214
申请日：2019-03-18
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：佐々木悠太 , 尾辻正幸 , 藤原直澄 , 加藤雅彦 , 山口佑 , ▲高▼橋弘明
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】昇華乾燥で基板を乾燥させたときに発生するパターンの倒壊を減らすことができる基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液を提供する。【解決手段】液体を経ずに気体に変化する昇華性物質と昇華性物質と溶け合う溶媒とを含む溶液である乾燥前処理液をパターンが形成された基板の表面に供給する。その後、基板の表面上の乾燥前処理液から溶媒を蒸発させることにより、昇華性物質を含む凝固体を基板の表面上に形成する。その後、凝固体を昇華させることにより基板の表面から除去する。パターンの高さに対する凝固体の厚みの割合を百倍した値は、76を超え、219未満である。【選択図】図11

20. 发明专利

JP2020107842A 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020107842A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018248018
申请日：2018-12-28
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：佐々木悠太 , ▲高▼橋弘明 , 藤原直澄 , 尾辻正幸 , 加藤雅彦 , 山口佑
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】昇華によって昇華性物質を基板の上面から除去する際に発生するパターンの倒壊率を低減する。【解決手段】昇華性物質が溶媒中に溶解した溶液である乾燥前処理液が、パターンが形成された基板の上面に供給して、乾燥前処理液の液膜が基板の上面に形成される(乾燥前処理液供給工程)。乾燥前処理液の液膜から溶媒を蒸発させることにより、昇華性物質の固体が基板の上面に析出する(析出工程)。析出工程において、昇華性物質の固体が析出する前に、溶媒の蒸発によって乾燥前処理液の液膜の厚みが減少する速度である膜厚減少速度に基づいて、乾燥前処理液の液膜中の昇華性物質の濃度が基準濃度範囲内であるか否かが判定される(濃度判定工程)。濃度判定工程において乾燥前処理液の液膜中の昇華性物質の濃度が基準濃度範囲内であると判定された場合に、析出工程の終了後に、昇華性物質の前記固体が昇華される(昇華工程)。【選択図】図9

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