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11. 发明专利

JP5825201B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5825201B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2012126006
申请日：2012-06-01
申请人：株式会社デンソー
发明人：荒川和樹 , 住友正清 , 松井正樹 , 樋口安史 , 小山和博
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42376 , H01L29/4236 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/1095

12. 发明专利

JP5737225B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5737225B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2012124952
申请日：2012-05-31
申请人：株式会社デンソー
发明人：小山和博 , 住友正清
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L29/0696 , H01L29/7397

13. 发明专利

JP6935731B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6935731B2
公开(公告)日：2021-09-15
申请号：JP2017221142
申请日：2017-11-16
申请人：株式会社デンソー
发明人：村川浩一 , 高橋茂樹 , 住友正清
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739

14. 发明专利

JP6624101B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6624101B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2017018672
申请日：2017-02-03
申请人：株式会社デンソー
发明人：宮田征典 , 高橋茂樹 , 住友正清 , 志賀智英
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/78

15. 发明专利

JP6589817B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6589817B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2016209803
申请日：2016-10-26
申请人：株式会社デンソー
发明人：村川浩一 , 住友正清 , 高橋茂樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739

16. 发明专利

JP6582762B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6582762B2
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：JP2015174091
申请日：2015-09-03
申请人：株式会社デンソー
发明人：程イ涛 , 高橋茂樹 , 住友正清
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78

17. 发明专利

JP2018186233A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018186233A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017088677
申请日：2017-04-27
申请人：株式会社デンソー
发明人：住友正清
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
摘要：【課題】スイッチング制御性の低下を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】ドリフト層11、ベース層12、CS層13、コレクタ層22を有する半導体基板10にゲート電極16a、16bを有する複数のトレンチゲート構造が構成され、複数の第1ゲート電極16aは所定のゲート電圧が印加され、複数の第2ゲート電極16は、第1電極20と電気的に接続されている。複数の第1ゲート電極16aは、少なくとも一部が隣合って配置されている。また、CS層13は、少なくとも隣合う第1ゲート電極16aと第2ゲート電極16bとの間に配置されている。そして、隣合う第1ゲート電極16a同士の間の領域は、電流が流れる際、第2電極23から供給された第2キャリアが抜け易くなるように、隣合う第1ゲート電極16aと第2ゲート電極16bとの間に形成されたCS層13より第1導電型の不純物濃度が低くされた領域を有するようにする。【選択図】図1

18. 发明专利

JP2018125490A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018125490A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2017018672
申请日：2017-02-03
申请人：株式会社デンソー
发明人：宮田征典 , 高橋茂樹 , 住友正清 , 志賀智英
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要：【課題】電流が流れている状態から当該電流を遮断する際、外周部でブレークダウンが発生することを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】IGBT素子が形成された素子部1と、素子部1を取り囲む外周部2とを有し、外周部2にベース層12よりも深くまで形成されたディープ層23を有する半導体装置において、ディープ層23における最も素子部1側の位置を境界位置Kとし、境界位置Kと、第1キャリアが注入されるエミッタ領域16のうちの最も外周部2側の位置との間の距離を第1距離L1とし、境界位置Kと、コレクタ層21のうちの半導体基板10の面方向における端部の位置との間の距離を第2距離L2とすると、第1距離L1および第2距離L2をディープ層23によって低下した外周部2の耐圧に基づいて当該外周部2におけるキャリア密度が低下するように調整されている。【選択図】図1

19. 发明专利

JP2018073911A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018073911A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2016209803
申请日：2016-10-26
申请人：株式会社デンソー
发明人：村川浩一 , 住友正清 , 高橋茂樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0727 , H01L27/0761 , H01L29/0692 , H01L29/1095 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：【課題】リカバリ時にIGBT領域側からダイオード領域側へのホールの注入をより抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】IGBT領域1aとダイオード領域1bとの間、つまりダイオード領域1bと隣接する位置に、IGBT領域1aよりも高濃度P型層の形成割合が少ない境界領域1cを設ける。これにより、リカバリ時に、IGBT領域1aからダイオード領域1bへのホール注入を抑制できると共に、境界領域1cに形成されている高濃度P型層の形成割合が少ないため、境界領域1cの高濃度P型層からのホール注入量も少なくできる。したがって、リカバリ時の最大逆方向電流Irrの増加を抑制できると共に、カソード側のキャリア密度を低くしてテール電流の増大を抑制することができる。これによって、スイッチング損失を低減することができるだけでなく、リカバリ破壊に対しても耐性の高い半導体装置とすることができる。【選択図】図2

20. 发明专利

JP2021144998A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021144998A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020041275
申请日：2020-03-10
申请人：株式会社デンソー
发明人：鳥山周一 , 住友正清 , ラホマンタスビル
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336 , H01L29/739
摘要：【課題】リカバリ損失を低減しつつ、隣合うトレンチの間隔を狭くすることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】IGBT素子を有するIGBT領域1aと、FWD素子を有するFWD領域1bとが共通の半導体基板10に形成されている半導体装置において、IGBT領域1aに、半導体基板10の一面10aから露出し、コンタクト領域18aよりも低不純物濃度とされた第2導電型のキャリア抑制領域19を形成する。そして、第1電極21をキャリア抑制領域19とショットキー接合する。【選択図】図1

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