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12. 发明专利

JP6101492B2 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6101492B2
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2013002811
申请日：2013-01-10
申请人：日東電工株式会社
发明人：宍戸雄一郎 , 三隅貞仁 , 大西謙司
IPC分类号： H01L21/301 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , C09J7/02
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247

13. 发明专利

JP6074357B2 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
标题翻译：粘合剂膜，切割模片粘合膜，一种制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP6074357B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2013265652
申请日：2013-12-24
申请人：日東電工株式会社
发明人：宍戸雄一郎 , 三隅貞仁 , 大西謙司
IPC分类号： C09J7/02 , C09J11/06 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247

14. 发明专利

JP2016100532A 接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：粘合片，贴片和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016100532A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014238021
申请日：2014-11-25
申请人：日東電工株式会社
发明人：木村雄大 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 宍戸雄一郎
IPC分类号： C09J7/00 , C09J161/10 , C09J163/00 , C09J133/00 , H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00 , C09J11/04 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/181
摘要：【課題】短時間で硬化させることが可能で、銅ワイヤーとパッドの接合不良、半導体チップの割れを低減することができる接着シート、ダイシングシート付き接着シートを提供することを目的とする。【解決手段】25℃から175℃まで3分で昇温し、次いで175℃を3時間維持する条件下のDSC測定により描かれるDSC曲線において、175℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間が30分未満であり、175℃で30分加熱することにより硬化させて得られる硬化物の粘弾性を10Hzで測定することにより得られる200℃の引張貯蔵弾性率が100MPa以上である接着シートに関する。基材及び基材上に配置された粘着剤層を備えるダイシングシートと、粘着剤層上に配置された接着シートとを備えるダイシングシート付き接着シートに関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有切割片的粘合片和粘合片，其可以在短时间内固化并且可以减少铜线和焊盘之间的接合故障以及半导体芯片的裂纹。解决方案：提供一种粘合片，其显示在三分钟内将温度从25℃升至175℃的条件下通过DSC测量形成的DSC固化，然后保持175℃3小时，其中从当反应峰消失时，温度达到175℃，小于30分钟; 在通过在175℃下加热30分钟而固化而获得的10Hz固化物的粘弹性测定得到的200℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。本发明提供一种具有切割片的粘合片，其包括：切割片，其包括基材和布置在基材上的粘合剂层; 以及布置在粘合剂层上的粘合片。选择图：图1

15. 发明专利

JP5885325B2 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム有权
标题翻译：膜切割带集成半导体背面
公开(公告)号：JP5885325B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2010103901
申请日：2010-04-28
申请人：日東電工株式会社
发明人：高本尚英 , 三隅貞仁
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , Y10T428/2848

16. 发明专利

JP2015211080A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015211080A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2014090481
申请日：2014-04-24
申请人：日東電工株式会社
发明人：柳雄一朗 , 村田修平 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 宍戸雄一郎 , 木村雄大
IPC分类号： H01L21/301
摘要：【課題】エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ同士の間隔が狭まることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ同士の接触を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ダイシングテープ及びダイシングテープ上に配置されたダイボンドフィルムを備えるダイシング・ダイボンドフィルム、並びにダイボンドフィルム上に配置された半導体ウエハを備える積層体のダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボンドフィルム及び半導体ウエハを分断して、半導体チップ及び半導体チップ上に配置されたダイボンド剤を備えるダイボンド用チップを形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。ダイボンド用チップを形成する工程では、少なくともダイシングテープが降伏するまでダイシングテープをエキスパンドする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，其可以防止在从扩展状态释放之后，用于晶片封装的芯片之间的距离变窄，从而防止用于芯片封装的芯片接触另外，制造半导体器件的方法包括以下步骤：通过将包含切割的层叠体的切割带进行扩展，形成芯片，每个芯片包括通过设置在半导体芯片上的半导体芯片和芯片粘接剂包括切割带的芯片接合膜和设置在切割带上的芯片接合膜，以及设置在芯片接合膜上的半导体晶片，从而分开芯片接合膜和半导体晶片。在形成用于芯片接合的芯片的步骤中，切割带至少直到切割带产生。

17. 发明专利

JP2015211079A ダイシング・ダイボンドフィルム有权
标题翻译：定影/贴膜
公开(公告)号：JP2015211079A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2014090452
申请日：2014-04-24
申请人：日東電工株式会社
发明人：柳雄一朗 , 村田修平 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 宍戸雄一郎 , 木村雄大
IPC分类号： H01L21/52 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/181
摘要：【課題】エキスパンドを解いた後にダイボンド用チップ同士の間隔が狭まることを防止することが可能で、ダイボンド用チップ同士の接触を防止できるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】ダイシングテープ及びダイシングテープ上に配置されたダイボンドフィルムを備えるダイシング・ダイボンドフィルムに関する。ダイシングテープは、−15℃で伸ばしたときに伸び率1%〜200%に降伏点を持つ。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种切割/芯片接合薄膜，其能够防止在从扩展状态释放之后芯片的模糊距离变窄，从而防止模具芯片与芯片接合的接触切割/切断胶片包括：切割胶带; 以及设置在切割带上的芯片接合薄膜。当在-15℃下膨胀时，切割带具有延伸率为1-200％的屈服点。

18. 发明专利

JP2015195265A ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译： DIE接合膜，带有定位片的DIE接合膜，半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015195265A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014072160
申请日：2014-03-31
申请人：日東電工株式会社
发明人：大西謙司 , 三隅貞仁 , 村田修平 , 宍戸雄一郎 , 木村雄大
IPC分类号： H01L21/301 , C09J133/06 , C09J7/02 , H01L21/52
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】半導体チップのチッピングを容易に確認することが可能となるダイボンドフィルムを提供すること。【解決手段】熱硬化前の波長400nmにおける光線透過率をT1(%)とし、120℃で1時間加熱後の波長400nmにおける光線透過率をT2(%)としたとき、T1が80%以上であり、T1とT2の差(T1−T2)が20%以下であるダイボンドフィルム。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够容易地确认半导体芯片的切屑的芯片接合薄膜。解决方案：假设热固化前400nm波长的透光率为T1（％），并且在在120℃下加热1小时后的波长为400nm的T2（％），T1等于或高于80％，T1和T2之间的差（T1-T2）等于或低于20％。

19. 发明专利

JP2015126019A 半導体装置用樹脂フィルム、及び、半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于半导体器件的树脂膜和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015126019A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267587
申请日：2013-12-25
申请人：日東電工株式会社
发明人：木村雄大 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 菅生悠樹 , 宍戸雄一郎
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/52
CPC分类号： H01L23/26 , H01L23/29 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265
摘要：【課題】薄型とすることができ、且つ、熱履歴を経た後も充分なイオン捕捉性を有する半導体装置用樹脂フィルムを提供すること。【解決手段】シランカップリング処理された無機イオン捕捉剤を含有する半導体装置用樹脂フィルム。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够变薄的半导体器件的树脂膜，并且即使在热滞后完成之后也具有足够的离子俘获特性。解决方案：一种用于半导体器件的树脂膜包含硅烷偶联处理的无机离子捕获剂。

20. 发明专利

JP2015122423A ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
标题翻译：定影/贴合膜，制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2015122423A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：JP2013265660
申请日：2013-12-24
申请人：日東電工株式会社
发明人：宍戸雄一郎 , 三隅貞仁 , 大西謙司
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , C09J11/04 , H01L21/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/27 , H01L2224/32225 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247
摘要：【課題】包埋用の接着フィルムを備えていても所望のダイシングが可能なダイシング・ダイボンドフィルム及びこれを用いる半導体装置の製造方法、並びに該製造方法により得られる半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明は、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記接着フィルムは、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであり、前記接着フィルムと前記粘着剤層との間の剥離力が0.03N/20mm以上0.2N/20mm以下であるダイシング・ダイボンドフィルムである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：一种切割/芯片接合膜，其允许在具有用于嵌入的粘合剂膜的同时进行所需的切割; 使用这种切片/芯片接合薄膜制造半导体器件的方法; 以及根据制造方法制造的半导体器件。解决方案：切割/芯片接合膜包括：具有基材的切割膜和形成在基材上的粘合层; 以及层压在粘合剂层上的粘合膜。粘合膜是用于嵌入固定在安装基座上的第一半导体元件并将不同于第一半导体元件的第二半导体元件固定到安装基座的粘合膜。粘合剂膜和粘合剂层之间的分层所需的力为0.03-0.2N / 20mm。

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