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151. 发明专利

JP2015130487A 表示装置有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2015130487A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014239231
申请日：2014-11-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 岡崎健一 , 片山雅博
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L51/50 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2227/323 , H01L29/78648
摘要：【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種のトランジスタを備えた表示装置を提供する。【解決手段】同一基板上に、画素部と、該画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部は、第1の酸化物半導体膜を有する第1のトランジスタを有し、駆動回路は、第2の酸化物半導体膜を有する第2のトランジスタを有し、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜は、同一絶縁表面上に形成され、第1のトランジスタのチャネル長は、第2のトランジスタのチャネル長よりも長く、第1のトランジスタのチャネル長は、2.5μm以上である表示装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种显示装置，其在同一基板上包括多种类型的电路，并且包括适合多种类型电路的特性的多种类型的晶体管。解决方案：显示装置具有像素部分以及用于驱动同一基板上的像素部分的驱动电路。像素部分包括具有第一氧化物半导体膜的第一晶体管。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜的第二晶体管。第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜形成在同一绝缘表面上。第一晶体管的沟道长度比第二晶体管的沟道长度长，第一晶体管的沟道长度为2.5μm以上。

152. 发明专利

JP2015129969A 表示装置及び電子機器有权
标题翻译：显示设备和电子设备
公开(公告)号：JP2015129969A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2015055724
申请日：2015-03-19
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：宮川恵介
IPC分类号： G09G3/20 , H01L51/50 , G09G3/30
CPC分类号： G09G3/32 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2310/08 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G3/2022 , G09G3/3291 , H01L2924/0002
摘要：【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順方向バイアスの電圧を印加する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种驱动发光器件的方法，其中当n型驱动TFT连接到发光元件的阳极或p型驱动TFT连接到其阴极时，驱动TFT在饱和区域中工作，并且可以根据视频信号显示所需的灰度级，并且使用该驱动方法提供发光器件。解决方案：根据本发明，反向偏置电压为当将具有图像信息的电位根据视频信号提供给驱动TFT的栅极时，施加到发光元件和驱动TFT串联连接，并且向发光元件施加正向偏压的电压，并且当根据视频信号用像素执行显示时的驱动TFT。

153. 发明专利

JP2015109473A 発光装置审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2015109473A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2015020144
申请日：2015-02-04
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H05B33/12 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5234 , H01L2251/301 , H01L27/1214 , H01L51/0077 , H01L51/0087 , Y10S428/917
摘要：【課題】色バランスの良好なカラー表示を可能とする発光装置を提供する。【解決手段】カラー表示を行うための発光装置において、赤色に発光するEL素子の発光層15としてトリプレット化合物を用い、緑色に発光するEL素子の発光層16および青色に発光するEL素子の発光層17としてシングレット化合物を用いることを特徴とする。これにより赤色発光のEL素子の動作電圧を緑色発光のEL素子および青色発光のEL素子に揃えることができ、色バランスの良好なカラー表示を可能とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使彩色显示具有良好的颜色平衡的发光装置。解决方案：在用于彩色显示的发光装置中，三重态化合物用于发射红色光的EL元件的发光层15 ，并且单重态化合物用于发出绿色光的EL元件的发光层16和发出蓝色光的EL元件的发光层17。因此，发出红色光的EL元件的工作电压可以与发出绿色光的EL元件和发出蓝色光的EL元件相同。因此，可以实现色彩平衡良好的彩色显示。

154. 发明专利

JP2015109452A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015109452A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2014258434
申请日：2014-12-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：細羽みゆき , 坂田淳一郎 , 大原宏樹 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/477 , H01L21/363 , G02F1/1368 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02107 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/133302 , G02F2001/133531 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G3/3677 , H01L27/3262
摘要：【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス(アルゴン、ヘリウムなど) の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行い、酸素、酸素及び窒素、又は大気(好ましくは露点−40℃以下、より好ましくは−5 0℃以下)雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びI型化した酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用具有稳定电特性的氧化物半导体的半导体器件。解决方案：通过在氮气的惰性气体气氛下对氧化物半导体层进行热处理，形成具有高杂质的I型氧化物半导体层或惰性气体（例如氩气或氦气）或真空压力下进行脱水或脱氢，并且通过在氧气和氮气或大气（优选露点温度）的气氛下进行用于过氧化处理的冷却过程， 40℃以下，更优选为-50℃以下）。制造具有包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。

155. 发明专利

JP2015079969A 発光装置有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2015079969A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2014231179
申请日：2014-11-14
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 坂倉真之 , 坂田淳一郎 , 津吹将志 , 秋元健吾 , 細羽みゆき , 及川欣聡
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H05B33/12 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L2251/5323 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/5278
摘要：【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルストップ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在同一基板上形成多种电路的发光器件，并且提供多种薄膜晶体管以匹配多种电路的每个特性。解决方案：作为用于像素的薄膜晶体管，使用包含叠加在源电极层和漏电极层上的氧化物半导体层的逆共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用通道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置处，在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色器层。

156. 发明专利

JP2015079947A 半導体装置およびその作製方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015079947A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2014183455
申请日：2014-09-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L51/50 , H05B33/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , C23C16/45525 , C23C16/483 , G06K19/0723 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/66075 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , H01L27/3262
摘要：【課題】高い電界効果移動度を有するトランジスタを提供する。または、電気特性の安定したトランジスタを提供する。または、オフ時(非導通時)の電流の小さいトランジスタを提供する。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜または第2の絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重なる導電膜と、を有し、酸化物半導体膜の組成が、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜の間で連続的に変化する半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高电子场效应迁移率的晶体管; 或提供具有稳定电特性的晶体管; 或者在关闭周期（非导通周期）期间提供使用较少电流的晶体管; 或提供具有晶体管的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：第一绝缘膜; 第一绝缘膜上的氧化物半导体膜; 氧化物半导体膜上的第二绝缘膜; 以及通过第一绝缘膜或第二绝缘膜与氧化物半导体膜重叠的导电膜。氧化物半导体膜的组成在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间连续变化。

157. 发明专利

JP2015060996A 表示装置及び半導体装置审中-公开
标题翻译：显示器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2015060996A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013194633
申请日：2013-09-19
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： SAITO NOBUMI , UEDA TOMOMASA , MAEDA YUYA , MIURA KENTARO , NAKANO SHINTARO , SAKANO TATSUNORI , YAMAGUCHI HAJIME
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/28
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L2029/42388
摘要：【課題】高信頼性の表示装置及び半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1電極と、第2電極と、有機発光層と、第1トランジスタと、第2トランジスタと、を備えた表示装置が提供される。第1電極は、光透過性である。第2電極は、第1電極と対向する。有機発光層は、第1電極と第2電極との間に設けられる。第1トランジスタは、第1半導体層と、第1導電部と、第2導電部と、第1ゲート電極と、第1ゲート絶縁膜と、を含む。前記第2トランジスタは、第2半導体層と、第3導電部と、第4導電部と、第2ゲート電極と、第2ゲート絶縁膜と、を含む。前記第1ゲート絶縁膜に含まれる水素の量は、前記第2ゲート絶縁膜に含まれる水素の量よりも多い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高可靠性的显示装置和半导体器件。解决方案：根据实施例，显示装置包括第一电极，第二电极，有机发光层，第一晶体管和提供第二晶体管。第一电极是透光的。第二电极面对第一电极。有机发光层设置在第一电极和第二电极之间。第一晶体管包括第一半导体层，第一导电部分，第二导电部分，第一栅极电极和第一栅极绝缘膜。第二晶体管包括第二半导体层，第三导电部分，第四导电部分，第二栅极电极和第二栅极绝缘膜。包含在第一栅极绝缘膜中的氢的量大于第二栅极绝缘膜中包含的氢的量。

158. 发明专利

JP2015057657A 発光装置有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2015057657A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014211592
申请日：2014-10-16
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKATA JUNICHIRO , SAKAKURA MASAYUKI , OIKAWA YOSHIAKI , OKAZAKI KENICHI , MARUYAMA HODAKA
IPC分类号： G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/26
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/52 , H01L2227/323
摘要：【課題】発光装置の信頼性を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に駆動回路用トランジスタを含む駆動回路部と、画素用トランジスタを含む画素部とを有する発光装置であり、駆動回路用トランジスタ及び画素用トランジスタは、酸化物絶縁層と一部接する酸化物半導体層を含む逆スタガ型のトランジスタである。画素部において酸化物絶縁層上にカラーフィルタ層と発光素子が設けられ、駆動回路用トランジスタにおいて、酸化物絶縁層上にゲート電極層及び酸化物半導体層と重なる導電層が設けられる。なお、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高发光器件的可靠性。解决方案：发光器件包括驱动器电路部分，其包括用于驱动电路的晶体管和包括用于同一衬底上的像素的晶体管的像素部分。用于驱动电路的晶体管和用于像素的晶体管是反交错晶体管，每个晶体管包括与氧化物绝缘层的一部分接触的氧化物半导体层。在像素部中，在氧化物绝缘层上设置滤色器层和发光元件。在用于驱动电路的晶体管中，在氧化物绝缘层上设置与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层。同时，使用金属导电膜形成栅极电极层，源极电极层和漏极电极层。

159. 发明专利

JP5687117B2 アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の検査方法、表示パネル、および表示パネルの製造方法有权
标题翻译：的有源矩阵基板，检查的有源矩阵基板，制造显示面板的方法，和显示面板的方法
公开(公告)号：JP5687117B2
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：JP2011088677
申请日：2011-04-12
申请人：パナソニック株式会社
发明人：健一田鹿 , 健一田鹿 , 博白水 , 博白水
IPC分类号： G09G3/20 , G01R31/02 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： G09G3/006 , G01R31/26 , G09G3/3225 , G09G3/3648 , G09G2330/10 , G09G2330/12 , H01L27/3262 , H01L27/3276

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