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91. 发明专利

JP2016111283A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016111283A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014249645
申请日：2014-12-10
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 永岡達司 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗 , 金村高司
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチの底面を覆うゲート絶縁膜の耐圧を確保しながら、スイッチング損失を抑制することが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、表面にトレンチ30が形成された半導体基板10と、トレンチ30の内面を覆うゲート絶縁膜51と、トレンチ30の内部に配置され、ゲート絶縁膜51により半導体基板10から絶縁されたゲート電極52と、トレンチ30の両側面を覆うゲート絶縁膜51に接するn型のソース領域11と、トレンチ30の両側面を覆うゲート絶縁膜51に接するp型のベース領域12と、トレンチ30の両側面31、32と底面40を覆うゲート絶縁膜51に接するn型のドリフト領域15とを備えている。トレンチ30の底面40は、短手方向おいて中心部が周縁部より上に突出するように形成されている。周縁部を覆うゲート絶縁膜51の厚みが、中心部を覆うゲート絶縁膜51の厚みより厚い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制开关损耗的技术，同时确保覆盖沟槽底面的栅极绝缘膜的耐电压。解决方案：半导体器件1包括：半导体衬底10，其中沟槽30形成在表面; 覆盖每个沟槽30的内表面的栅极绝缘膜51; 栅极电极52，其布置在每个沟槽30的内部，并通过栅极绝缘膜51与半导体衬底10绝缘; n型源极区域11，其接触覆盖每个沟槽30的两个侧面的栅极绝缘膜51; p型基极区域12，其接触覆盖每个沟槽30的两个侧面的栅极绝缘膜51; 以及接触覆盖每个沟槽30的两个侧面31,32和底面40的栅极绝缘膜51的n型漂移区15.沟槽30的底面40形成为使得中心部分在较短的方向上从周边部分向上突出。覆盖周边部分的栅极绝缘膜51的厚度比覆盖中心部分的栅极绝缘膜51的厚度厚。图1

92. 发明专利

JP2016063107A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016063107A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014190810
申请日：2014-09-19
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗 , 水野祥司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , G01R31/2621 , H01L29/0696 , H01L29/4238 , H01L29/7815 , H01L29/04 , H01L29/0623 , H01L29/1608
摘要：【課題】メインセル領域とセンスセル領域との間の分離領域において高い耐圧特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板がメインセル領域とセンスセル領域を有し、半導体基板の上面にメイン第2半導体領域をセンス第2半導体領域から分離している分離トレンチが形成されており、前記第3半導体領域によって前記メイン第2半導体領域及び前記センス第2半導体領域から分離されている第2導電型の分離第4半導体領域をさらに有する半導体装置。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供在主单元区域和感测单元区域之间的隔离区域中具有高耐压特性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：主单元区域和感测单元区域; 隔离沟槽，形成在所述半导体衬底的顶面上，并将主第二半导体区域与感测第二半导体区域隔离; 以及由第三半导体区域与主第二半导体区域和感测第二半导体区域隔离的第二导电类型隔离第四半导体区域。图4

93. 发明专利

JP2016054181A 絶縁ゲート型スイッチング素子审中-公开
标题翻译：绝缘闸门开关元件
公开(公告)号：JP2016054181A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014178896
申请日：2014-09-03
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：杉本雅裕 , 朽木克博 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 海老原康裕
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/4983 , H01L29/512 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/1608
摘要：【課題】ゲート閾値が高く、かつ、チャネル抵抗が低い絶縁ゲート型スイッチング素子を提供する。【解決手段】絶縁ゲート型スイッチング素子であって、第1導電型の第1領域と、前記第1領域に接する第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域によって前記第1領域から分離された第1導電型の第2領域と、前記第1領域、前記ボディ領域及び前記第2領域に接する絶縁膜と、絶縁膜を介して前記ボディ領域に対向するゲート電極を有する。前記ボディ領域が、第1ボディ領域と第2ボディ領域を有する。前記第1ボディ領域は、前記第2ボディ領域よりも大きい理論閾値Vthを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高栅极阈值和低沟道电阻的绝缘栅极开关元件。解决方案：绝缘栅极开关元件包括：第一导电类型的第一区域; 与第一区域接触的第二导电类型的体区; 所述第一导电类型的第二区域通过所述身体区域与所述第一区域分离; 与所述第一区域，所述主体区域和所述第二区域接触的绝缘膜; 以及通过绝缘膜面向主体区域的栅电极。身体区域具有第一身体区域和第二身体区域。第一体区的理论阈值Vth大于第二体区的理论阈值Vth

94. 发明专利

JP5852555B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5852555B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2012282290
申请日：2012-12-26
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 渡辺行彦 , 添野明高 , 鈴木巨裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/41766 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608

95. 发明专利

JP2015126192A 縦型半導体装置有权
标题翻译：垂直型半导体器件
公开(公告)号：JP2015126192A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013271576
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 渡辺行彦 , 斎藤順 , 鈴木巨裕
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/0415 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7397
摘要：【課題】半導体装置2の周辺領域6の耐圧を高める。【解決手段】周辺領域6では、半導体基板の表面に臨む位置に、リサーフ領域32とガードリング30・・を形成し、さらにドリフト領域14の中間深さにドリフト領域14と反対導電型のフローティング領域40を形成する。フローティング領域40は、最内周のガードリング30aより内側の位置から半導体基板の外周8に向けて連続的に延びている。リサーフ領域32とドリフト領域14の界面から空乏層が広がるとともにドリフト領域14とフローティング領域40の界面からも空乏層が広がり、周辺領域6での耐圧が向上する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件2的周边区域6的耐电压。解决方案：在周边区域6中的半导体衬底的表面上的位置上形成有复位区域32和保护环30，并且具有与漂移区域14相反的导电类型的浮动区域40形成在漂移区域14的深度的中间。浮动区域40从最内侧保护环30a的内侧的位置连续地延伸朝向半导体基板的外周8。耗尽层从复原区域32和漂移区域14之间的边界面扩大，耗尽层也从漂移区域14和浮动区域40之间的边界面扩大，周边区域6的耐电压提高。

96. 发明专利

JP2015118966A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015118966A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013259764
申请日：2013-12-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 渡辺行彦 , 青井佐智子 , 秋葉敦也
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/7813 , H01L29/66734
摘要：【課題】トレンチゲート型半導体装置においてゲート酸化膜に印加される電界を低減する【解決手段】この半導体装置は、第1導電型のドリフト層15と、その上面に接している第2導電型のボディ層12と、ボディ層12の上面に配置されている第1導電型の第1半導体領域と、ボディ層12を貫通してドリフト層15内に達するゲートトレンチ2の壁面に形成されているゲート絶縁膜17と、ゲート絶縁膜17内に配置され、ボディ層12にゲート絶縁膜17を介して対向するトレンチゲート電極11が備えられている。そして、この半導体装置はボディ層と接続されている主電極21と、ゲートトレンチ2の底部に設けられ、ドリフト層によって囲まれている第2導電型の第2半導体領域14と、第2半導体領域14と主電極21とを電気的に接続し、半導体装置がオフ状態のときに第2半導体領域14と主電極21とを同電位とする導電体領域13を備えている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了减小施加到沟槽栅型半导体器件中的栅极氧化膜的电场。解决方案：半导体器件包括：第一导电型漂移层15; 与漂移层15的上表面接触的第二导电型体层12; 设置在主体层12的上表面上的第一导电型的第一半导体区域; 形成在贯通本体层12并到达漂移层15的栅极沟槽2的壁面上的栅极绝缘膜17; 以及设置在栅极绝缘膜17中并经由栅极绝缘膜17面向主体层12的沟槽栅电极11.半导体器件还包括：连接到主体层的主电极21; 第二导电型第二半导体区域14，设置在栅沟槽2的底表面上并被漂移层包围; 以及导电区域13，电连接第二半导体区域14和主电极21，并且当半导体器件处于断开状态时使第二半导体区域14和主电极21具有相同的电位。

97. 发明专利

JP2015065237A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015065237A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013197379
申请日：2013-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0661 , H01L29/42368
摘要：【課題】ドリフト領域の不純物濃度が比較的に高い場合においても、終端領域で耐圧を保持することができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体基板11を備える。半導体基板11の素子領域12には、第1導電型の第1ボディ領域36aと、第2導電型の第1ドリフト領域32aと、複数の第1導電型の第1フローティング領域34が形成されている。第1フローティング領域34は、その周囲が第1ドリフト領域32aによって囲まれている。終端領域14には、第2導電型の第2ドリフト領域32bと、複数の第1導電型の第2フローティング領域37が形成されている。第2フローティング領域37は、その周囲が第2ドリフト領域32bによって囲まれている。第1ドリフト領域32aの中央となる深さを基準深さとしたときに、少なくとも1つの第2フローティング領域37が、第1フローティング領域34のそれぞれよりも基準深さ側に配置されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：即使当漂移区域中的杂质浓度相对较高时，即使在漂移区域中的杂质浓度相对较高时，也能够提供能够在终止区域中保持耐电压的技术。解决方案：半导体器件10具有半导体衬底11.第一导电类型的第一体区域如图36a所示，第二导电类型的第一漂移区域32a和多个第一导电类型的第一浮动区域34形成在半导体衬底11的元件区域12上。第一漂移区域32a围绕第一浮动区域34的周边。第二导电类型的第二漂移区域32b和多个第一导电类型的第二浮动区域37形成在终端区域14上。第二漂移区域32b围绕第二浮动区域37的周围。当深度变为第一漂移区域32a被定义为参考深度，第二浮动区域37中的至少一个布置在更靠近t的位置 o参考深度侧比第一浮动区域34的每一个。

98. 发明专利

JP6563639B2 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6563639B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2014232461
申请日：2014-11-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 宮原真一朗 , 朽木克博 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

99. 发明专利

JP6301882B2 半導体装置の製造方法と半導体装置有权
公开(公告)号：JP6301882B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015164080
申请日：2015-08-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：岡田将和 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L21/306 , H01L21/302 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/049 , H01L21/28238 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/762 , H01L21/764 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/42364 , H01L29/515 , H01L29/7813

100. 发明专利

JP2017041613A 半導体装置の製造方法と半導体装置有权
标题翻译：制造方法以及半导体装置
公开(公告)号：JP2017041613A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015164080
申请日：2015-08-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：岡田将和 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/02329 , H01L21/02362 , H01L21/28238 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L29/42364 , H01L29/515 , H01L21/049 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/7813
摘要：【課題】半導体基板の内部に形成する空間の大きさを正確に制御することができる技術を提供する。【解決手段】トレンチ11の内部に充填された第1絶縁材料3の表面側をエッチングしてトレンチ11の深部側に第1絶縁材料3を残存させる。半導体基板2を非酸化雰囲気で加熱し、深部側に残存した第1絶縁材料3の表面を硬化させて硬化部41を形成する。トレンチ11の両側面111から成長した第1絶縁材料3同士の間の界面31は、硬化後も残存し、エッチングしやすい。硬化部41に残存した界面31から、硬化部41より深部側にエッチャントを侵入させ、硬化部41より深部側の第1絶縁材料3をエッチングして除去して空間を形成する。硬化部41に形成された開孔を第2絶縁材料の膜で閉塞して空間を閉じる。【選択図】図6
摘要翻译：提供一种能够精确地控制在半导体衬底内部形成的空间的大小的技术。填充在沟槽11中的第一绝缘材料3的表面侧被蚀刻，以留下所述第一绝缘材料3上的沟槽11的深度侧。半导体衬底2在一种非氧化的气氛中加热时，残留在深部的第一绝缘材料3的表面被固化以形成固化的部分41。第一绝缘材料3之间界面31一起从两侧沟槽11的111也保持在固化后，易蚀刻生长。残留在固化部41的接口31，在进入该固化部41的蚀刻液深侧，形成硬化部41的第一绝缘材料3深侧的空间通过蚀刻去除。形成在固化部41关闭空间开口由第二绝缘材料的薄膜封闭。点域6

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