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2. 发明专利

JP5141534B2 An amplifier circuit, a differential amplifier circuit, and an optical transmitter 有权
公开(公告)号：JP5141534B2
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：JP2008321764
申请日：2008-12-18
申请人：富士通株式会社
发明人：有紀人 ▲角▼田
IPC分类号： H03F3/68 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F3/211 , H03F3/45183 , H03F2200/216 , H03F2200/405 , H03F2200/411 , H03F2203/45134 , H03F2203/45638 , H03F2203/45702 , H04B10/5055

3. 发明专利

JP2010161348A High-frequency semiconductor device 有权
标题翻译：高频半导体器件
公开(公告)号：JP2010161348A
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：JP2009269885
申请日：2009-11-27
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAKAGI KAZUTAKA
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8232 , H01L23/12 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L27/095 , H01L29/778 , H01L29/812 , H03F3/68
CPC分类号： H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4941 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/19107 , H01L2924/20753 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve gain and output power by matching signal phases by adjusting inductance distributions of input and output bonding wires or input and output transmission lines, and to suppress an oscillation due to unbalanced operation of each FET cell. SOLUTION: A high-frequency semiconductor device 25 includes: a field effect transistor 24 including gate terminal electrodes G1-G10, source terminal electrodes S1-S11, and a drain terminal electrode D; an input circuit pattern 17 and an output circuit pattern 18 which are disposed adjoining the field effect transistor; a plurality of input bonding wires 12, 12L configured to connect the gate terminal electrodes G1-G10 and the input circuit pattern 17; and a plurality of output bonding wires 14, 14L configured to connect the drain terminal electrode D and the output circuit pattern 18, whereby the phase of an input signal is matched by adjusting an inductance distribution of a plurality of input bonding wires 12, 12L, and whereby the phase of an output signal is matched by adjusting an inductance distribution of a plurality of output bonding wires 14, 14L. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过调整输入和输出接合线或输入和输出传输线的电感分布，通过调整信号相位来提高增益和输出功率，并抑制由于每个FET单元的不平衡操作引起的振荡。解决方案：高频半导体器件25包括：栅极端子电极G1-G10，源极电极S1-S11和漏极端子电极D的场效应晶体管24; 设置在场效应晶体管旁边的输入电路图案17和输出电路图案18; 配置为连接栅极端子电极G1-G10和输入电路图案17的多个输入接合线12,12L; 以及多个输出接合线14,14L，其被配置为连接漏极端子电极D和输出电路图案18，由此通过调节多个输入接合线12,12L的电感分布来匹配输入信号的相位，并且由此通过调整多个输出接合线14,14L的电感分布来匹配输出信号的相位。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP5065280B2 The configuration of the transconductance stage 有权
公开(公告)号：JP5065280B2
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：JP2008536537
申请日：2005-10-20
申请人：テレフオンアクチーボラゲットエルエムエリクソン(パブル)
发明人：ミンクァンバオ， , インガンリ，
IPC分类号： H03F3/34 , H03F1/32
CPC分类号： H03F3/4508 , H03F1/3211 , H03F2200/216 , H03F2200/219 , H03F2203/45288 , H03F2203/45291

5. 发明专利

JPWO2007099622A1 増幅回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2007099622A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：JP2008502609
申请日：2006-03-01
申请人：富士通株式会社
发明人：英樹加納 , 英樹加納
IPC分类号： H03F1/44 , H03F3/193
CPC分类号： H03F1/42 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/213 , H03F2200/216 , H03F2200/225 , H03F2200/36 , H03F2200/451 , H03F2200/72
摘要：入力端子に接続され、ゲートが交流的に接地された第1のトランジスタ(Tr1)と、第1のトランジスタに対して直列に接続され、ゲートが交流的に接地された第2のトランジスタ(Tr2)と、第2のトランジスタのゲートに対して直列に接続されるインダクタ及び容量を含む第1の共振回路(101)とを有し、第1の共振回路のインダクタ及び/又は容量は可変であることを特徴とする増幅回路が提供される。

6. 发明专利

JP2009513059A The configuration of the transconductance stage 有权
公开(公告)号：JP2009513059A
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：JP2008536537
申请日：2005-10-20
申请人：テレフオンアクチーボラゲットエルエムエリクソン(パブル)
发明人：ミンクァンバオ， , インガンリ，
IPC分类号： H03F3/34 , H03F1/32
CPC分类号： H03F3/4508 , H03F1/3211 , H03F2200/216 , H03F2200/219 , H03F2203/45288 , H03F2203/45291
摘要：本発明は、シングルエンド入力と、トランジスタ（１、２）のエミッタ結合対と、第３のトランジスタ（３）のエミッタと、差動出力とを備える電圧―電流トランスコンダクタンス段の構成に関する。エミッタ結合対は、第１のトランジスタ（１）と第２のトランジスタ（２）とを備え、第３のトランジスタ（３）のエミッタは前記第１のトランジスタ（１）のコレクタに接続される。電圧対電流トランスコンダクタンス段の構成は、さらに、少なくとも１つの共通コレクタトランジスタを備え、共通コレクタトランジスタは、前記第２のトランジスタのベースに接続された第４のトランジスタ（４）と、そして、好ましくはまたはオプションとして、前記第３のトランジスタ（３）のベースに接続された第５のトランジスタ（５）を備える。前記第４のトランジスタ（４）、または、前記第４並びに前記第５のトランジスタ（４、５）の寸法は、前記第２のトランジスタおよび前記第３のトランジスタの寸法を大幅に上回る。それらは「オフ状態」にバイアスされる。トランジスタ（４）のコレクタには追加のインダクタが付加されて、さらに線形性を向上することができる。

7. 发明专利

JP6263936B2 増幅器有权
公开(公告)号：JP6263936B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2013208504
申请日：2013-10-03
申请人：富士通株式会社
发明人：川野陽一 , 山浦新司
IPC分类号： H03F1/32 , H04B1/04 , H03F3/193
CPC分类号： H03F1/32 , H03F1/0266 , H03F1/26 , H03F1/3205 , H03F1/3211 , H03F1/3276 , H03F1/565 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/165 , H03F2200/216 , H03F2200/246 , H03F2200/387 , H03F2201/3215 , H03F2203/45541 , H03F2203/45552 , H03F2203/45554 , H03F2203/45568 , H03F2203/45576

8. 发明专利

JP2015154485A 増幅回路の帯域幅を改善するための方法及び回路有权
标题翻译：用于改善放大器带宽的方法和电路
公开(公告)号：JP2015154485A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014228591
申请日：2014-11-11
申请人：富士通株式会社
发明人：ネドヴィッチ・ニコラ
IPC分类号： H03F3/08 , H03F1/42
CPC分类号： H03F1/086 , H03F1/347 , H03F1/42 , H03F3/087 , H03F3/195 , H03F3/3022 , H03F3/45475 , H03F2200/117 , H03F2200/216 , H03F2200/36 , H03F2203/45516
摘要：【課題】増幅回路の帯域幅特性を改善することである。【解決手段】回路は増幅回路及びtコイルインダクタを含む。増幅回路は、入力ノードと、出力ノードと、増幅器と、フィードバックループとを含む。フィードバックループは、入力ノード及び出力ノードの間に結合される。増幅回路は、入力ノードで電流信号を受信し、電流信号に基づいて出力ノードで電圧信号を出力する。tコイルインダクタは第1部分及び第2部分を含む。第1部分の第1ノードは増幅回路の入力ノードに結合され、第2部分はフィードバックループに含まれる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高放大器电路的带宽特性。解决方案：电路包括一个放大器电路和一个t线圈电感。放大器电路包括输入节点，输出节点，放大器和反馈回路。反馈回路耦合在输入节点和输出节点之间。放大器电路在输入节点接收电流信号，并根据当前信号在输出节点输出电压信号。所述t型线圈电感器包括第一部分和第二部分。第一部分的第一节点耦合到放大器的输入节点，第二部分包括在反馈回路中。

9. 发明专利

JP2015073227A 増幅器有权
标题翻译：放大器
公开(公告)号：JP2015073227A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013208504
申请日：2013-10-03
申请人：富士通株式会社 , 富士通セミコンダクター株式会社
发明人：川野陽一 , 山浦新司
IPC分类号： H03F1/32 , H04B1/04 , H03F3/193
CPC分类号： H03F1/32 , H03F1/0266 , H03F1/3205 , H03F1/3211 , H03F1/3276 , H03F1/565 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F1/26 , H03F2200/165 , H03F2200/216 , H03F2200/246 , H03F2200/387 , H03F2201/3215 , H03F2203/45541 , H03F2203/45552 , H03F2203/45554 , H03F2203/45568 , H03F2203/45576
摘要：【課題】簡易な構成で歪みの小さい領域で動作可能な増幅器を提供する。【解決手段】増幅器は、差動形式のツートーンの送信信号が入力される一対の入力端子と、一対の出力端子と、一対の入力端子に両端がそれぞれ接続され、センタータップを有するコイルと、コイルの一端にゲートが接続されるとともに、自己の出力端子が一対の出力端子のうちの一方に接続される第1トランジスタと、コイルの他端にゲートが接続されるとともに、自己の出力端子が一対の出力端子のうちの他方に接続される第2トランジスタと、コイルのセンタータップに一端が接続されるダイオードと、ダイオードの他端に接続され、第1トランジスタ及び第2トランジスタをオンにする所定のゲート電圧を出力するバイアス回路とを含み、ダイオードは、コイルのセンタータップから自己の一端に供給される前記送信信号の2倍波の信号レベルに応じて、自己の一端における電圧を調整する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供在简单配置中在低失真区域中工作的放大器。解决方案：放大器包括：一对输入端子，用于接收差分类型的双音传输信号; 一对输出端子; 分别在两端连接到一对输入端子并具有中心抽头的线圈; 第一晶体管，其在栅极连接到所述线圈的一端，并且在其输出端连接到所述一对输出端中的一个; 连接在所述线圈的另一端的第二晶体管，并在其输出端连接到所述一对输出端子中的另一端; 在一端连接到线圈的中心抽头的二极管; 以及偏置电路，连接到二极管的另一端以输出使第一晶体管和第二晶体管导通的预定栅极电压。二极管根据从线圈的中心抽头提供给其一端的发送信号的二次谐波的信号电平来调节其一端的电压。

10. 发明专利

JP2015015496A 高周波半導体装置审中-公开
标题翻译：高频半导体器件
公开(公告)号：JP2015015496A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014191127
申请日：2014-09-19
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： TAKAGI KAZUTAKA
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/60 , H01L23/12 , H01L29/812 , H01P1/04 , H01P5/02 , H01P5/08
CPC分类号： H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4941 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/19107 , H01L2924/20753 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要：【課題】入出力ボンディングワイヤ若しくは入出力伝送線路のインダクタンス分布を調整して、信号位相を同相化し、利得および出力電力を向上させ、かつ各FETセルのアンバランス動作による発振を抑制する。【解決手段】ゲート端子電極G1〜G10、ソース端子電極S1〜S11およびドレイン端子電極Dを有するFET24と、FETに隣接する入力回路パターン17,出力回路パターン18と、ゲート端子電極G1〜G10と入力回路パターン17とを接続する複数の入力ボンディングワイヤ12,12Lと、ドレイン端子電極Dと出力回路パターン18とを接続する複数の出力ボンディングワイヤ14,14Lとを備え、複数の入力ボンディングワイヤ12,12Lのインダクタンス分布を調整して、入力信号の位相を同相化し、かつ複数の出力ボンディングワイヤ14,14Lのインダクタンス分布を調整して、出力信号の位相を同相化した高周波半導体装置25。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：调整输入/输出接合线或输入/输出传输线的电感分布，匹配信号相位，增强增益和输出功率，抑制每个FET单元不平衡运行引起的振荡。解决方案：高频半导体器件25包括：具有栅极端子电极G1〜G10的FET24，源极端子电极S1〜S11以及漏极端子电极D; 与FET相邻的输入电路图案17和输出电路图案18; 连接栅极电极G1〜G10的多个输入接合线12和12L以及输入电路图案17; 以及连接漏极端子电极D和输出电路图案18的多个输出接合线14和14L。高频半导体器件25调节多个输入接合线12和12L的电感分布，使输入的相位相匹配信号，调整多个输出接合线14和14L的电感分布，并匹配输出信号的相位。

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