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1. 发明专利

JP2018505311A カルコゲナイド半導体を製作するために有用なアルカリ金属含有前駆体膜の高速スパッタ堆積审中-公开
公开(公告)号：JP2018505311A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017536899
申请日：2015-12-17
申请人：ヌボサン,インコーポレイテッド
发明人：デニス・アール・ホラーズ , プサー・ポールソン , ドナルド・パーソン , アーサー・シー・ウォール
IPC分类号： C23C14/06 , H01L21/365 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L21/02568 , C22C29/00 , C22C32/0089 , C23C14/0057 , C23C14/0623 , C23C14/0694 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L21/02266 , H01L21/02417 , H01L21/02485 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L31/02008 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/188 , H01L45/141 , H01L45/16 , H01L45/1625
摘要：本発明は、アルカリ金属化合物を含む膜をスパッタリング堆積するための方法を提供する。1つ以上のアルカリ金属化合物及び少なくとも1つの金属成分を含む少なくとも1つのターゲットをスパッタリングして、1つ以上の対応するスパッタ膜を形成する。少なくとも1つのターゲットは、15:85〜85:15の範囲での、アルカリ金属化合物対少なくとも1つの金属成分の原子比を有する。このようなアルカリ金属化合物を組み込むスパッタ膜は、同様に1つ以上のカルコゲナイド前駆体膜を含む前駆体構造に組み込まれる。この前駆体構造が、少なくとも1つのカルコゲンの存在下で加熱されて、カルコゲナイド半導体を形成する。結果として生じるカルコゲナイド半導体は、最大2原子パーセントのアルカリ金属含有量を含み、結果として生じるカルコゲナイド半導体のアルカリ金属含有量の少なくとも大部分が、アルカリ金属化合物を組み込むスパッタ膜から誘導される。カルコゲナイド半導体は、太陽電池を含む、マイクロエレクトロニクスデバイスに有用である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP4540724B2 Production method of Cis-based thin-film solar cells 有权
公开(公告)号：JP4540724B2
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：JP2008132100
申请日：2008-05-20
申请人：昭和シェル石油株式会社
发明人：悟栗谷川 , 良明田中 , 英樹白間
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/5866 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521

3. 发明专利

JP2010080761A Solar cell 审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：JP2010080761A
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：JP2008248757
申请日：2008-09-26
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： NISHIDA YASUTAKA , INABA MICHIHIKO , SAKURADA SHINYA , ITO SATOSHI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0321 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/072 , H01L31/073 , Y02E10/541 , Y02E10/543
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel material and design which exceed a conversion efficiency of 40.7% that has been regarded as the upper limit value for the conversion efficiency for a single-cell solar battery material.
SOLUTION: In a solar battery comprising p-type and n-type semiconductors jointed, the p-type semiconductor is a wide-band compound having a wide band of 1.5 eV or more, in a band gap width and having a chalcopyrite structure forming an intermediate level different from the impurity level in a gap. In the wide-band compound, an element with an electronegativity of 1.9 or more is included, a part of negative elements in a crystal lattice is replaced by another negative element, having a different electronegativity, and the replacement can form the intermediate level.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种超过单体太阳能电池材料的转换效率的上限值的40.7％的转换效率的新颖的材料和设计。解决方案：在包括p型和n型半导体的太阳能电池中，p型半导体是具有1.5eV或更大宽带的宽带化合物，带隙宽度并具有黄铜矿形成与间隙中的杂质水平不同的中间水平的结构。在宽带化合物中，包含电负性为1.9以上的元素，晶格中的负极元素的一部分被具有不同电负性的另一负极元素代替，并且置换可以形成中间电平。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2007266626A Method of manufacturing solar cell on substrate, and solar cell with chalcopyrite absorbing layer 有权
标题翻译：在基板上制造太阳能电池的方法和具有氯化铝吸收层的太阳能电池
公开(公告)号：JP2007266626A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：JP2007159546
申请日：2007-06-15
申请人： Shell Solar Gmbh , シェルソーラーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングShell Solar GmbH
发明人： PROBST VOLKER , RIMMASCH JOERK , HARMS HAUKE
IPC分类号： H01L31/04 , C23C14/34 , H01L31/032 , H01L31/0336
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , Y02E10/541
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a solar cell with chalcopyrite absorbing layers (4, 5). SOLUTION: Desired alkali metal content is obtained in a perfected absorptive layer by doping an element selected from Na, K, and Li or the compound of the element during the manufacture process. The additional diffusion of the alkaline metallic ions from the substrate (1) having alkali metal is prevented by arranging the diffusion intercepting layer (2) between the substrate and the absorptive layer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用黄铜矿吸收层（4,5）制造太阳能电池的方法。解决方案：通过在制造过程中掺杂选自Na，K和Li的元素或元素的化合物，在完善的吸收层中获得期望的碱金属含量。通过在基板和吸收层之间布置扩散截留层（2）来防止碱金属离子从具有碱金属的基板（1）的附加扩散。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2017511784A ナトリウム又はアンチモンによるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２ナノ粒子のドーピング方法有权
公开(公告)号：JP2017511784A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016549369
申请日：2015-01-29
申请人：ナノコテクノロジーズリミテッド , ナノコテクノロジーズリミテッド
发明人：ニューマン，クリストパー , マサラ，オンブレッタ , シュタインハーゲン，チェット
IPC分类号： C01G15/00 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0323 , Y02E10/541
摘要：【解決手段】CIGS相が光起電力デバイスに堆積されるとき、CIGS含有インキ中のドーピング金属濃度を所望濃度にするために用いられる様々な方法がある。ドーピング材料がナトリウムであるとき、ナトリウム塩、例えば酢酸ナトリウムを、銅、インジウム及び/又はガリウムを含有する試剤と共に、Cu(In、Ga)(S,Se)2ナノ粒子の合成反応開始時に添加することによって含有させることできる。また、Cu(In、Ga)(S,Se)2ナノ粒子を合成し、ナトリウム塩を反応溶液に加えた後、ナトリウムの拡散を補助するために、ナノ粒子の分離前に軽く加熱することによって含有させることができる。及び/又は、Cu(In、Ga)(S,Se)2ナノ粒子をその分子鎖の一端でキャッピングし、その分子鎖の他端でナトリウム原子に結合する能力を有するリガンドを使用することによって含有させることができる。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2013106013A Photoelectric conversion element and solar cell 审中-公开
标题翻译：光电转换元件和太阳能电池
公开(公告)号：JP2013106013A
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：JP2011251149
申请日：2011-11-16
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： HIRAGA HIROKI , SHIBAZAKI SOICHIRO , NAKAGAWA NAOYUKI , YAMAZAKI MUTSUKI , YAMAMOTO KAZUE , SAKURADA SHINYA , INABA MICHIHIKO
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/068 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/547
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion element improving conversion efficiency, and further to provide a solar cell.SOLUTION: According to one embodiment, there is provided a photoelectric conversion element comprising: a first electrode having optical transparency; a second electrode; and a light absorption layer. The light absorption layer is provided between the first electrode and the second electrode. The light absorption layer contains a chemical compound semiconductor that contains a first element of the 11th group elements and a second element of the 16th group elements and has a chalcopyrite structure or a Sutanaito structure. The light absorption layer includes a p-type portion and an n-type portion. The n-type portion is provided between the p-type portion and the first electrode. The n-type portion forms a p-n homojunction with the p-type portion. The n-type portion contains dopant. The dopant is an element having a formal charge Vb obtained by a Bond Valence Sum calculation not less than 1.60 and not greater than 2.83.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高转换效率的光电转换元件，并且还提供一种太阳能电池。解决方案：根据一个实施例，提供了一种光电转换元件，包括：具有光学透明度的第一电极; 第二电极; 和光吸收层。光吸收层设置在第一电极和第二电极之间。光吸收层含有含有第11组元素的第一元素和第16族元素的第二元素，具有黄铜矿结构或Sutanaito结构的化合物半导体。光吸收层包括p型部分和n型部分。 n型部分设置在p型部分和第一电极之间。 n型部分与p型部分形成p-n同型结。 n型部分含有掺杂剂。掺杂剂是具有通过债券价值和计算得到的形式充电Vb不小于1.60且不大于2.83的元素。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2010512647A Doping technique for Ibiiiavia compound layer 审中-公开
公开(公告)号：JP2010512647A
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：JP2009540413
申请日：2007-12-03
申请人：ソロパワー、インコーポレイテッド
发明人：アクス、サーダー , ベイソル、ブレント・エム． , マトゥス、ユリー
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要： A method of forming a doped Group IBIIIAVIA absorber layer for solar cells by reacting a a metallic precursor layer with a dopant structure. The metallic precursor layer including Group IB and Group IIIA materials such as Cu, Ga and In are deposited on a base. The dopant structure is formed on the metallic precursor layer, wherein the dopant structure includes a stack of one or more Group VIA material layers such as Se layers and one or more a dopant material layers such as Na.

8. 发明专利

JP2009283508A Production process of cis-based thin film solar cell 有权
标题翻译：基于CIS的薄膜太阳能电池的生产工艺
公开(公告)号：JP2009283508A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2008131269
申请日：2008-05-19
申请人： Showa Shell Sekiyu Kk , 昭和シェル石油株式会社
发明人： HAKUMA HIDEKI , TANAKA YOSHIAKI , KURIYAGAWA SATORU
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/022425 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production process of a CIS-based thin film solar cell which attains high photoelectric conversion efficiency by adding an alkali element to a light absorption layer by easy and excellent controllability.
SOLUTION: A production process of a CIS-based thin film solar cell includes steps for forming a back surface electrode layer (2) on a substrate (1), for forming a p-type CIS-based light absorption layer (3) on the back surface electrode layer, and for forming an n-type transparent conductive film (5) on the p-type CIS-based light absorption layer (3), wherein the step of forming a back surface electrode layer (2) consists of a step of forming a first electrode layer (21) by using a back surface electrode material admixed with an alkali metal, and a step of forming a second electrode layer (22) by using the back surface electrode material substantially containing no alkali metal.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供通过容易且优异的控制性将碱性元素添加到光吸收层而获得高光电转换效率的CIS系薄膜太阳能电池的制造方法。解决方案：基于CIS的薄膜太阳能电池的制造方法包括在基板（1）上形成背面电极层（2）的步骤，用于形成p型CIS系的光吸收层（3）），并且在p型CIS系吸光层（3）上形成n型透明导电膜（5），其特征在于，形成背面电极层（2）的工序为通过使用与碱金属混合的背面电极材料形成第一电极层（21）的步骤，以及通过使用基本不含碱金属的背面电极材料形成第二电极层（22）的步骤。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2018523920A カルコゲニド含有光電変換光吸収層を含む光電変換素子及び光電変換素子を形成する関連方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018523920A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2018503764
申请日：2016-08-01
申请人：ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー , ヌボサン,インコーポレイテッド
发明人：ブライアン・グッドフェロー , プーサー・ディー・ポールソン
IPC分类号： C01B19/00 , C23C14/06 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/03928 , C23C14/0623 , C23C14/5866 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/0257 , H01L21/02614 , H01L21/02664 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要：本開示は光電変換素子に関するものであり、光電変換素子は、少なくとも第1領域、第2領域、及び第3領域により規定される組成プロファイルを有するカルコゲニド含有光電変換光吸収層を含む。第2領域は、第1領域と第3領域との間に配置される。カルコゲニド含有光電変換光吸収層の各領域は、Cu、In、Ga、Al、及び少なくとも1種類のカルコゲンを含む。第2領域に含まれるAlの濃度は、第1領域及び第3領域の各領域に含まれるAlの濃度よりも低い。このようなカルコゲニド含有光電変換光吸収層を形成する方法も開示される。【選択図】図1

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