专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP2010111912A Method of removing lead, reclaimed metal and reclaimed product 有权
标题翻译：去除铅，再生金属和再生产品的方法
公开(公告)号：JP2010111912A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2008285033
申请日：2008-11-06
申请人： Tamura Kaken Co Ltd , タムラ化研株式会社
发明人： KURITA SATOSHI , ONO TAIICHI , TAJIMA NOBUO
IPC分类号： C22B25/08 , B09B3/00 , B23K35/26 , C22B7/00 , C22B9/02 , C22B15/14 , C22B30/06 , C22B58/00 , C22C13/00 , C22C13/02
CPC分类号： C22B13/025 , C22B7/002 , C22B9/05 , C22B13/06 , C22B25/08 , Y02P10/214 , Y10T428/31678
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an industrially excellent method of removing lead that has high removal effect of lead, implements the removal even in small facilities and suppresses capital investment cost. SOLUTION: A material to be treated selected from a group consisting of pure metals and alloys is heated and melted to obtain a melt. The melt is contacted with at least one of a metal halide and a metal oxyhalide to remove lead in the material to be treated. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种工业上优异的去除铅的去除效果好的铅的优良方法，即使在小型设施中也能实现去除，并抑制资本投入成本。解决方案：将从由纯金属和合金组成的组中选择的待处理材料加热熔融以获得熔体。熔体与金属卤化物和金属卤氧化物中的至少一种接触以除去待处理材料中的铅。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP6392210B2 医療用鉛212を製造する方法及び装置有权
公开(公告)号：JP6392210B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2015513194
申请日：2013-05-23
申请人：オラノメッド
发明人：トルグ,ジュリアン , マケール,パトリック , ヤング,ジョーン , アンドレオレッティ,ジルベール , ブルデ,パトリック
IPC分类号： G01N30/88 , G01N30/00 , G01N30/26 , G01N30/02 , G01N30/80 , G21G4/08
CPC分类号： G21G1/0005 , A61K51/12 , C22B13/02 , C22B13/06 , C22C11/00 , G21G4/08 , G21G2001/0094

4. 发明专利

JPWO2005068669A1 スラグフューミング方法有权
公开(公告)号：JPWO2005068669A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：JP2005517090
申请日：2005-01-17
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：高橋　純一 , 純一高橋 , 藤田　敬二 , 敬二藤田 , 丹　敏郎 , 敏郎丹
IPC分类号： C22B7/04 , C04B5/00 , C22B5/16 , C22B7/00 , C22B13/02 , C22B13/06 , C22B19/04 , C22B19/28 , C22B19/30 , C22B19/32
CPC分类号： C22B19/28 , C22B7/04 , C22B13/06 , C22B19/04 , C22B19/32 , Y02P10/212
摘要：亜鉛及び/又は鉛製錬の熔錬炉から産出されるスラグのスラグフューミング方法において、ヒ素及びアンチモン含有量が少ない亜鉛と鉛を含むダストと、安定的に土壌環境基準を満足するスラグとが得られ、かつ低処理コストであるスラグフューミング方法を提供する。亜鉛及び鉛とともにヒ素又はヒ素及びアンチモンを含有するスラグをスラグフューミング炉内で加熱還元し、亜鉛と鉛を揮発分離するスラグフューミング方法において、前記スラグの融体に、1075〜1500℃の温度下で、前記炉中に装入するスラグ量に対して5〜100重量%であるとともに前記炉内の装入物中の鉛量に対して100重量%以上である銅量を含有する銅融体を共存させながら、スラグ中に含有されるヒ素又はヒ素及びアンチモンとを反応させてCu−Fe−Pb−As系均一融体を形成することを特徴とするスラグフューミング方法などによって提供する。【選択図】なし

5. 发明专利

JPS5956536A Separation of elementary lead from lead mass in blast furna-ce 失效
标题翻译：在BLAST FURNA-CE中从LEAD质量分离铅元素
公开(公告)号：JPS5956536A
公开(公告)日：1984-04-02
申请号：JP11179183
申请日：1983-06-21
申请人： Asarco Inc
发明人： KAARU AARU DEIMAACHINI , JIYON II KIYASUTERASU
IPC分类号： C22B13/06
CPC分类号： C22B13/06

6. 发明专利

JP2018513274A 低アルファ材料を製造するための同位体置換精錬法审中-公开
公开(公告)号：JP2018513274A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017552828
申请日：2016-03-31
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド , Honeywell International Inc.
发明人：クラーク,ブレット・エム. , グローブ,デレク・イー. , テアハール,ケビン・アール.
IPC分类号： C22B9/00 , C22B9/04 , C22B11/02 , C22B13/06 , C22B15/14 , C22B19/32 , C22B21/06 , C22B23/06 , C22B25/08 , C22B30/02 , C22B30/06 , C22B58/00 , C22B61/00
CPC分类号： C22B9/10 , C22B9/04 , C22B11/00 , C22B13/06 , C22B15/00 , C22B19/32 , C22B21/06 , C22B23/06 , C22B25/08 , C22B30/02 , C22B30/06 , C22B58/00 , C22B61/00 , C25C3/00
摘要：金属から鉛−210(210Pb)を除去するための方法であって、この方法は、精錬されるべき金属中の210Pb濃度を特定すること;この210Pb濃度から、精錬されるべき金属に添加されるべき、精錬されるべき金属よりも低い210Pb濃度を有する低アルファ鉛の量を特定すること;精錬されるべき金属に低アルファ鉛を添加することによってドープされた金属混合物を形成すること;ドープされた金属混合物を精錬して、ドープされた金属混合物中の鉛の少なくとも一部分を分離し、精錬されるべき金属よりも低い210Pb濃度を有する精錬された金属を形成することを含む。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015523555A 医療用鉛２１２を製造する方法及び装置审中-公开
标题翻译：用于制造医用导线212的方法和设备
公开(公告)号：JP2015523555A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2015513194
申请日：2013-05-23
申请人：アレヴァメッドエスアーエス , アレヴァメッドエスアーエス
发明人：トルグ，ジュリアン , マケール，パトリック , ヤング，ジョーン , アンドレオレッティ，ジルベール , ブルデ，パトリック
IPC分类号： G21G4/08 , G01N30/00 , G01N30/02 , G01N30/26 , G01N30/80 , G01N30/88
CPC分类号： G21G1/0005 , A61K51/12 , C22B13/02 , C22B13/06 , C22C11/00 , G21G4/08 , G21G2001/0094
摘要：本発明は医療用鉛212を製造する方法に関する。この方法では、ラジウム224が結合した固体媒質を含む発生器中でラジウム224を崩壊させて鉛212を調製し、その後、鉛212を発生器から水溶液A1の状態で採取する。この方法は、カラム上で液体クロマトグラフィーを行うことによって、水溶液A1に含まれる鉛212を該水溶液中の放射線学的不純物及び化学的不純物から精製することを特徴とする。また、本発明はこの方法を閉鎖系中で自動実行するために特別に設計された装置に関する。更に、本発明はこの方法及び装置を用いて製造された鉛212にも関する。用途:人間と動物の両方における(特にα放射免疫療法による)癌治療や医用画像診断のための核医学に有用な、鉛212系放射性医薬品の製造。
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产医用导线212。以这种方式，在含有固体培养基镭224的发电机由制备引线212，则在水溶液的形式收集A1引线212从发电机塌陷镭224的约束。该方法中，通过对柱进行液相色谱，和其中纯化包括在水溶液中的水溶液A1从放射性杂质和化学杂质的引线212。本发明涉及一种特别设计，以在封闭系统中自动执行此方法的装置。此外，本发明还涉及一种使用该方法和装置制造的引线212。应用：核医学有用，生产引线212个基于放射性药物用于人类的和（特别是通过α放射免疫疗法）在动物中癌症治疗和医学成像两者。

8. 发明专利

JP2013189710A High-purity tin alloy 有权
标题翻译：高纯钛合金
公开(公告)号：JP2013189710A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2013076802
申请日：2013-04-02
申请人： Jx Nippon Mining & Metals Corp , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人： SHINDO YUICHIRO , TAKEMOTO KOICHI
IPC分类号： C22C13/00 , B23K35/26 , B23K35/40 , C25C1/14
CPC分类号： C22B25/04 , C22B13/06 , C22B25/08 , C22C13/00 , C22F1/16 , C25C1/14 , C25F1/04 , H01L23/4827 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide high-purity tin or a tin alloy which is used, such as for manufacturing recent semiconductor devices with increased density and increased capacity, for which increased purity is strongly demanded, and in which α-ray dosage of tin is reduced.SOLUTION: High-purity tin includes U and Th with respective contents of 5 ppb or less and Pb and Bi with respective contents of 1 ppm or less, and has a purity of 5N or higher (provided that the gas components of O, C, N, H, S and P are excluded). A high-purity tin alloy includes an additive alloy element having a purity equal to or higher than that of the high-purity tin, and a purity of an alloy obtained from the high-purity tin and the additive alloy element is 5N or higher (provided that the gas components of O, C, N, H, S and P are excluded). An α-ray count of a tin ingot obtained by casting the tin or the tin alloy satisfies 0.001 cph/cm2 or less after the lapse of 6 months or longer.
摘要翻译：要解决的问题：提供使用的高纯度锡或锡合金，例如用于制造近来具有增加的密度和增加的容量的半导体器件，其中强烈要求增加纯度，并且其中α射线用量的锡降低了成分。溶液：高纯度锡包括U和Th，各自含量为5ppb以下，Pb和Bi的含量为1ppm以下，纯度为5N以上（条件是气体成分为O ，C，N，H，S和P）。高纯度锡合金包括纯度等于或高于高纯度锡的添加合金元素，由高纯度锡和添加合金元素获得的合金的纯度为5N以上（条件是排除O，C，N，H，S和P的气体成分）。通过铸造锡或锡合金得到的锡锭的α射线计数在经过6个月以上时满足0.001cph / cm 2以下。

9. 发明专利

JP5295987B2 Process for producing a high purity tin alloy 有权
公开(公告)号：JP5295987B2
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：JP2010017939
申请日：2010-01-29
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：裕一朗新藤 , 幸一竹本
IPC分类号： C22B25/00 , B23K35/26 , B23K35/40 , C22B3/04 , C22B3/24 , C22B3/44 , C22B25/08 , C22C13/00 , C25C1/14
CPC分类号： C22B25/04 , C22B13/06 , C22B25/08 , C22C13/00 , C22F1/16 , C25C1/14 , C25F1/04 , H01L23/4827 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要： Provided is high purity tin or tin alloy wherein the respective contents of U and Th are 5ppb or less, the respective contents of Pb and Bi are 1 ppm or less, and the purity is 5N or higher (provided that this excludes the gas components of O, C, N, H, S and P). This high purity tin or tin alloy is characterized in that the ± ray count of high purity tin having a cast structure is 0.001 cph/cm 2 or less. Since recent semiconductor devices are densified and are of large capacity, there is considerable risk of a soft error occurring due to the influence of the ± ray from materials in the vicinity of the semiconductor chip. In particular, there are strong demands for purifying the soldering material or tin to be used in the vicinity of semiconductor devices, as well as for materials with fewer ± rays. Thus, the present invention aims to provide high purity tin or tin alloy and the manufacturing method of such high purity tin by reducing the ± dose of tin so as to be adaptable as the foregoing material.

10. 发明专利

JP2010511786A Improved electro-slag refining system and method 审中-公开
公开(公告)号：JP2010511786A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2009539357
申请日：2007-11-30
申请人：バッテリー・リダクション・システムズ・エルエルシー
发明人：ラポイント，アルバート・イー , ラポイント，ブライアン・エイ
IPC分类号： C22B9/18 , C22B9/187 , C22B13/02
CPC分类号： C22B4/04 , C22B4/08 , C22B9/18 , C22B13/02 , C22B13/025 , C22B13/06 , H05B3/60 , Y02P10/214
摘要：エレクトロスラグ製錬のためのシステム及び方法は、壁、内部大気、及び外部大気を有する加熱炉と、溶解金属（３１０）とスラグ（３２０）に製錬中の鉱石（３００）を収容するためのトラフ（２００）であって、加熱炉の中に配置されている、トラフ（２００）と、近位端部（４０１）と遠位端部（４０２）を有する炭素電極（４００）であって、電極の遠位端部（４０２）はトラフ（２００）内に配置され、電極（４００）は溶融金属（３１０）の中に浸すことができ、電極（４００）はセラミックバリヤ（５００）によってスラグ（３２０）から分離されている、炭素電極と、を伴っている。
【選択図】図２

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式