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    • 1. 发明专利
    • 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
    • 有机薄膜晶体管,有机半导体薄膜和有机半导体材料
    • JP2015149397A
    • 2015-08-20
    • JP2014021329
    • 2014-02-06
    • 富士フイルム株式会社
    • 平井 友樹益居 健介
    • H01L51/05H01L51/40H01L29/786C07F7/08C07D495/04C07D493/04H01L51/30
    • H01L51/0074C07D493/04C07D495/04C07F7/08C07F7/0856C09D5/24H01L29/786H01L51/0054H01L51/0068H01L51/0073H01L51/0545H01L51/0558
    • 【課題】有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。 【解決手段】下記式で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(XはO、S又はSe;p及びqは0〜2の整数;R 1 〜R 10 、R a 及びR b は水素、ハロゲン又は−L−R;R 1 〜R 10 、R a 及びR b の一つは−L−R;R 5 とR 6 の少なくとも一方が−L−Rである場合Lはエテニル基又はエチニル基;Lは特定の2価の連結基;Rはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基或いはトリアルキルシリル基)。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种有机薄膜晶体管,其使用当用于有机薄膜晶体管的半导体有源层时具有载流子迁移率增加的化合物,并且其对有机溶剂具有高溶解度。溶液:有机薄膜 薄膜晶体管包括在半导体活性层中由下式表示的化合物(在该式中,X表示O,S或Se; p和q表示0-2的整数; RR,Rand R代表氢,卤素或-LR; RR中的一个,Rand R represents -LR; L表示乙烯基或乙炔基,当R R代表-LR; L表示特定二价偶联基团中的至少一个时; L表示烷基,氰基,乙烯基, 乙炔基,氧乙烯基,氧化乙烯单元重复数v为2以上的低聚(氧乙烯)基,硅氧烷基,硅原子数为2以上的低级(硅氧烷)基,或 三烷基甲硅烷基 组)。