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1. 发明专利

JP2014075398A Plasma processing method and plasma processing device 审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2014075398A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2012220887
申请日：2012-10-03
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： HIRASAWA TATSURO , YOKOYAMA ATSUSHI , YASUMURO CHIAKI , FUJISATO TOSHIAKI , YOSHIDA RYUTA , SAKUMA TAKASHI , KAN SENSHU
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H05F3/00 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/50 , H01J37/32568 , H01J37/34 , H01L21/6833
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing method capable of sufficiently obtaining a chucking force for plasma processing and suppressing a particle generation amount by reducing residual charges.SOLUTION: A plasma processing method for performing plasma processing for a workpiece in a state in which the workpiece is absorbed onto an electrostatic chuck provided on an upper surface of a mounting table comprises the steps of: absorbing the workpiece onto the electrostatic chuck by applying a first voltage as an applied voltage and performing plasma processing for the workpiece in a state in which a heat-transfer gas is supplied between the electrostatic chuck and the workpiece (plasma processing step); stopping applied gas supply when the plasma processing step ends and reducing the applied voltage while exhausting heat-transfer gases remaining between the electrostatic chuck and the workpiece (applied voltage reducing step); and setting the applied voltage to the electrostatic chuck to zero and detaching the workpiece from the electrostatic chuck after the applied voltage reducing step (detaching step).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种等离子体处理方法，其能够充分获得用于等离子体处理的夹持力并通过降低残余电荷来抑制颗粒发生量。解决方案：一种用于在工件中执行等离子体处理的等离子体处理方法，工件被吸收到设置在安装台的上表面上的静电卡盘上，包括以下步骤：通过施加第一电压作为施加电压将工件吸收到静电卡盘上，并在工件的等离子体处理中在静电卡盘和工件之间供给传热气体（等离子体处理工序）; 当等离子体处理步骤结束时停止施加的气体供应并且在排出残留在静电卡盘和工件之间的热传递气体的同时降低施加的电压（施加电压降低步骤）; 并且在施加的电压降低步骤（分离步骤）之后，将施加的静电卡盘的电压设置为零并将工件从静电卡盘分离。

2. 发明专利

JP2015012132A Ｃｕ配線の形成方法有权
标题翻译：铜线形成方法
公开(公告)号：JP2015012132A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013136366
申请日：2013-06-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： YOKOYAMA ATSUSHI , KAN SENSHU , SAKUMA TAKASHI , YASUMURO CHIAKI , HIRASAWA TATSURO , ISHIZAKA TADAHIRO , SUZUKI KENJI
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76867 , H01L21/76876 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】凹部にCu配線を形成する際に、配線抵抗の上昇や工程の増加を抑え、かつ十分な埋め込み性を確保しつつ、エレクトロマイグレーション耐性の高いCu配線を得ることができるCu配線の形成方法を提供する。【解決手段】トレンチ203を有するウエハWの全面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にCVDによりRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上にCu合金膜206をPVDにより形成してトレンチ203にCu合金膜を埋め込む工程と、Cu合金膜206の上に、積み増し層207を形成する工程と、CMPにより全面を研磨してトレンチ203にCu配線を形成する工程と、Cu配線208の上に誘電体キャップ層209を形成する工程とを有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种Cu布线形成方法，其可以在抑制布线电阻的增加的同时实现具有高电迁移性的Cu布线，并且在凹陷中形成Cu布线时确保加工次数和确保充分的嵌入性。 Cu布线形成方法包括：在具有沟槽203的晶片W的整个区域上形成阻挡膜204的工艺; 通过CVD在阻挡膜204上形成Ru膜205的工序; 通过PVD在Ru膜205上形成Cu合金膜206以将Cu合金膜嵌入沟槽203中的工艺; 在Cu合金膜206上形成层叠层207的工序; 通过CMP研磨整个区域以在沟槽203中形成Cu布线的工艺; 以及在Cu布线208上形成电介质盖层209的工序。

3. 发明专利

JP2014049529A Plasma processing apparatus and method of cleaning oxide film of metal 审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和清洁金属氧化物膜的方法
公开(公告)号：JP2014049529A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012189656
申请日：2012-08-30
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： YASUMURO CHIAKI , SAKUMA TAKASHI , YOKOYAMA ATSUSHI , TOSHIMA HIROSHI , HARA MASAMICHI , KAN SENSHU , TAKANASHI MORIHIRO , FUJISATO TOSHIAKI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/02041 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32862 , H01L21/02065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of cleaning an oxide film of metal in a plasma processing apparatus, and to provide a plasma processing apparatus.SOLUTION: A plasma processing apparatus 10 comprises: a processing container 12; a mounting table 14; a remote plasma unit 16; a diffusion part 18; and an ion filter 20. The mounting table 14 is provided in the processing container. The remote plasma unit 16 supplies gas containing excited hydrogen to the diffusion part 18 through an exit, and diffuses the active species of hydrogen. The ion filter 20 is interposed between the diffusion part 18 and the mounting table 14, while spaced apart from the diffusion part 18. The ion filter 20 captures hydrogen ions, contained in the active species of hydrogen diffused by the diffusion part 18, and passes the active species of hydrogen where the amount of hydrogen ions is reduced furthermore.
摘要翻译：要解决的问题：提供在等离子体处理装置中清洗金属的氧化膜的方法，并提供等离子体处理装置。解决方案：等离子体处理装置10包括：处理容器12; 安装台14; 远程等离子体单元16; 扩散部18; 和离子过滤器20.安装台14设置在处理容器中。远程等离子体单元16通过出口将含有激发的氢气的气体供给到扩散部分18，并扩散活性物质的氢。离子过滤器20介于扩散部分18和安装台14之间，同时与扩散部分18隔开。离子过滤器20捕获包含在扩散部分18扩散的氢的活性种类中的氢离子，并通过其中氢离子的量的活性种类进一步降低。

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