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1. 发明专利

JP2016197631A 絶縁膜形成用前駆体溶液とその製造方法、絶縁膜とその製造方法及びトランジスタデバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于绝缘膜形成的前驱体解决方案及其制造方法，绝缘膜及其制造方法及其晶体管器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016197631A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2015076104
申请日：2015-04-02
申请人： DIC株式会社 , 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
发明人：諸培新 , 下田達也 , 李金望
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/31 , H01L21/316
摘要：【課題】本発明の課題は、従来より低温形成が可能であって、高温製膜にも適用し、トランジスタデバイス用の絶縁膜に用いて好適な絶縁膜形成用溶液とその製造方法、その溶液から得られた絶縁膜とその製造方法並びにそれらによる薄膜トランジスタの提供にある。【解決手段】本発明は、Ln化合物とZr化合物を溶媒に分散させたLnZrO酸化物溶液であり、紫外線の吸収端波長が280nm以上であることを特徴とする絶縁膜形成用前駆体溶液に関する。吸収端波長の長波長シフトは、Ln化合物とZr化合物を溶媒に分散させたLnZrO酸化物前駆体溶液を加圧しながら150〜230℃に加熱するオートクレーブ処理により達成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供可以在比以前更低的温度下形成的绝缘膜形成方法，并且适用于在高温下成膜并用于晶体管器件的绝缘膜的溶液，并且还提供一种制造用于绝缘膜形成的方法，由溶液获得的绝缘膜，制造绝缘膜的方法和由它们制造的薄膜晶体管。方法：公开了用于绝缘膜形成的前体溶液是通过将Ln化合物和Zn化合物分散在溶剂中而形成的LnZro氧化物溶液，其中紫外线的吸收边缘波长为280nm以上。吸收边缘波长向较长波长的转变可以通过高压釜处理加热至150-230℃，同时向分散Ln化合物和Zn化合物的溶液形成的LnZrO氧化物前体溶液施加压力。选择图1

2. 发明专利

JP6647586B2 絶縁膜形成用前駆体溶液の製造方法およびゲート絶縁膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6647586B2
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：JP2015076104
申请日：2015-04-02
申请人： DIC株式会社 , 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
发明人：諸培新 , 下田達也 , 李金望
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/316

3. 发明专利

JP2021114483A シリコンナノ粒子及びそれを用いた非水二次電池負極用活物質並びに二次電池审中-公开
公开(公告)号：JP2021114483A
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2021080251
申请日：2021-05-11
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 川瀬賢一 , 大塚俊一 , 生熊崇人
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38
摘要：【課題】負極活物質の性能向上に大きく寄与するシート状シリコンナノ粒子及び優れた充放電容量、優れた初回クーロン効率、優れた繰り返し充放電時の容量維持率を兼備する電池を提供できる負極活物質を得る。【解決手段】本発明は、 29 Si−NMRのピークが-80ppmの中心に20ppm〜50ppmの半値幅を有し且つ50ppm〜−150ppmの範囲にブロードし、尚且つ、長軸方向の長さが70〜300nmかつ厚みが15〜70nm以下にあることを特徴とするリチウムイオン二次電池負極活物質用シート状シリコンナノ粒子に関する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6015224B2 金属酸化物ナノ構造体の製造方法有权
标题翻译：用于生产金属氧化物纳米结构的方法
公开(公告)号：JP6015224B2
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：JP2012177059
申请日：2012-08-09
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 金仁華
IPC分类号： C01G23/053 , C01G25/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01B13/32

5. 发明专利

JP5958132B2 炭素と金属スズ及び/又は酸化スズ複合ナノシートの製造方法有权
标题翻译：制造碳和金属锡和/或氧化锡复合纳米片的方法
公开(公告)号：JP5958132B2
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：JP2012159573
申请日：2012-07-18
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 金仁華 , 魚田将史 , 木村理香
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/48 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/02
CPC分类号： Y02E60/50

6. 发明专利

JP6939979B2 シリコンナノ粒子及びそれを用いた非水二次電池負極用活物質並びに二次電池有权
公开(公告)号：JP6939979B2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：JP2020505295
申请日：2019-11-12
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 川瀬賢一 , 大塚俊一 , 生熊崇人
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/58 , C01B33/02 , H01M4/38

7. 发明专利

JPWO2019107336A1 負極活物質及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019107336A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2018043507
申请日：2018-11-27
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 加藤愼治 , 清岡隆一 , 黒木勝仁 , 片野聡 , 生熊崇人
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/58
摘要：本発明が解決しようとする課題は、優れた充放電特性(充放電容量、初回クーロン効率及びサイクル特性)を有する負極活物質を提供することにある。珪素(0価を除く)と酸素と炭素からなる珪素系無機化合物(a)と、珪素(0価)(b)とを含む負極活物質であって、珪素系無機化合物(a)に存在する珪素(0価を除く)の化学結合状態(D単位〔SiO 2 C 2 〕、T単位〔SiO 3 C〕、Q単位〔SiO 4 〕)を示す当量構成比〔Q単位/(D単位+T単位+Q単位)〕が0.30以上0.80以下の範囲にあることを特徴する負極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。

8. 发明专利

JP5958139B2 炭素−鉄系結晶体複合ナノシートの製造方法有权
标题翻译：碳 - 制造方法的铁基结晶复合纳米片
公开(公告)号：JP5958139B2
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：JP2012161541
申请日：2012-07-20
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 金仁華
IPC分类号： C01B31/02

9. 发明专利

JPWO2020129467A1 シリコンナノ粒子及びそれを用いた非水二次電池負極用活物質並びに二次電池有权
公开(公告)号：JPWO2020129467A1
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2019044282
申请日：2019-11-12
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 川瀬賢一 , 大塚俊一 , 生熊崇人
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/58 , C01B33/02 , H01M4/38
摘要：負極活物質の性能向上に大きく寄与するシリコンナノ粒子及び優れた充放電容量、優れた初回クーロン効率、優れた繰り返し充放電時の容量維持率を兼備する電池を提供できる負極活物質として、29Si−NMRのピークが−80ppmの中心に20ppm〜50ppmの半値幅を有し且つ50ppm〜−150ppmの範囲にブロードし、尚且つ、長軸方向の長さが70〜300nmかつ厚みが15〜70nm以下にあることを特徴とするリチウムイオン二次電池負極活物質用シリコンナノ粒子、及び、当該シリコンナノ粒子を内包する珪素系無機化合物を提供する。

10. 发明专利

JP6240373B2 金属酸化物ナノシートの製造方法有权
公开(公告)号：JP6240373B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2012029385
申请日：2012-02-14
申请人： DIC株式会社
发明人：諸培新 , 金仁華
IPC分类号： C01F7/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01G49/06 , C04B35/111 , C01B13/36

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