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1. 发明专利

JP2018119903A 振動センサシステム、振動計測方法および振動計測プログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2018119903A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017012827
申请日：2017-01-27
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：狄靖 , 田中義三 , 秋田勝史
IPC分类号： G01H17/00
摘要：【課題】計測対象の振動を計測する構成において、計測対象の振動をより精度よく計測することが可能な振動センサシステム、振動計測方法および振動計測プログラムを提供する。【解決手段】振動センサシステムは、計測対象の振動を計測する振動センサの計測結果を取得する取得部と、所定条件を満たす期間において前記取得部によって取得された前記計測結果に基づいて補正値を決定する補正値決定部と、前記期間の経過後に前記取得部によって取得された前記計測結果である対象計測結果を、前記補正値決定部によって決定された前記補正値を用いて補正する補正部とを備える。【選択図】図5

2. 发明专利

JP6318903B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6318903B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2014128287
申请日：2014-06-23
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：京野孝史 , 有方卓 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/201 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , H01L31/02161 , H01L31/03046 , H01L31/101 , Y02E10/544

3. 发明专利

JP6233070B2 半導体積層体および半導体装置、ならびにそれらの製造方法有权
公开(公告)号：JP6233070B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2014020198
申请日：2014-02-05
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：京野孝史 , 有方卓 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L31/10

4. 发明专利

JP2017135229A 半導体積層体、受光素子および半導体積層体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017135229A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016013121
申请日：2016-01-27
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：冬木琢真 , 有方卓 , 吉本晋 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/105
摘要：【課題】III−V族化合物半導体からなる半導体層を含む受光素子の感度を向上させることが可能な半導体積層体および受光素子を提供する。【解決手段】半導体積層体10は、III−V族化合物半導体からなり、導電型が第1導電型である第1半導体層12と、III−V族化合物半導体からなる量子井戸受光層13と、III−V族化合物半導体からなる第2半導体層14と、III−V族化合物半導体からなり、導電型が第2導電型である第3半導体層15と、を備える。第1半導体層12、量子井戸受光層13、第2半導体層14および第3半導体層15は、この順に積層される。第2導電型のキャリアを生成する不純物の濃度は、第2半導体層14において1×10 14 cm −3 以上1×10 17 cm −3 以下である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6613923B2 半導体積層体、受光素子および半導体積層体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6613923B2
公开(公告)日：2019-12-04
申请号：JP2016013121
申请日：2016-01-27
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：冬木琢真 , 有方卓 , 吉本晋 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L31/10

6. 发明专利

JP6454981B2 半導体積層体および受光素子有权
公开(公告)号：JP6454981B2
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：JP2014089743
申请日：2014-04-24
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：有方卓 , 京野孝史 , 西塚幸司 , 柴田馨 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/10

7. 发明专利

JP2016207835A 半導体積層体および受光素子有权
标题翻译：半导体层叠体和光接收元件
公开(公告)号：JP2016207835A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015087850
申请日：2015-04-22
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：有方卓 , 京野孝史 , 秋田勝史
IPC分类号： H01L31/10
摘要：【課題】nip構造を採用する受光素子の感度を向上させるとともに、暗電流を低減することが可能な半導体積層体および受光素子を提供する。【解決手段】半導体積層体10は、III−V族化合物半導体からなる基板20と、III−V族化合物半導体からなり、導電型がp型であるp型層30と、III−V族化合物半導体からなる量子井戸受光層40と、III−V族化合物半導体からなり、導電型がn型であるn型層50と、を備える。基板20、p型層30、量子井戸受光層40およびn型層50は、この順に積層される。そして、量子井戸受光層40内におけるp型不純物の濃度は5×10 15 cm −3 以下である。【選択図】図1
摘要翻译：甲提高采用nip结构，半导体层叠体和能够降低暗电流的光接收元件的光接收元件的灵敏度。一种半导体堆10包括一III-V族化合物半导体构成的衬底20，由III-V族化合物半导体，导电型和p型层30的是一个p-型，III-V族化合物半导体包括由的量子阱吸收层40，由III-V族化合物半导体，导电类型和n型层50为n型，则。基板20，p型层30，量子阱的吸收层40和n型层50以该顺序层压。然后，在量子阱吸收层40中的p型杂质的浓度为5×1015厘米-3或更小。点域1

8. 发明专利

JP5842894B2 半導体素子有权
公开(公告)号：JP5842894B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2013222164
申请日：2013-10-25
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：京野孝史 , 秋田勝史 , 柴田馨 , 西塚幸司 , 藤井慧
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , H01L31/02963 , H01L31/0304 , H01L31/18 , Y02E10/544

9. 发明专利

JP5776745B2 受光素子及びエピタキシャルウェハ有权
标题翻译：受光元件和所述外延晶片
公开(公告)号：JP5776745B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2013214796
申请日：2013-10-15
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：秋田勝史 , 石塚貴司 , 藤井慧 , 永井陽一
IPC分类号： H01L31/10

10. 发明专利

JP6825387B2 振動センサシステム、振動計測方法および振動計測プログラム有权
公开(公告)号：JP6825387B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2017012827
申请日：2017-01-27
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：狄靖 , 田中義三 , 秋田勝史
IPC分类号： G01M99/00 , G01H17/00

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