基本信息:
- 专利标题： 半導体積層体および受光素子
- 申请号：JP2014089743 申请日：2014-04-24
- 公开(公告)号：JP6454981B2 公开(公告)日：2019-01-23
- 发明人： 有方 卓 , 京野 孝史 , 西塚 幸司 , 柴田 馨 , 秋田 勝史
- 申请人： 住友電気工業株式会社
- 申请人地址： 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
- 专利权人： 住友電気工業株式会社
- 当前专利权人： 住友電気工業株式会社
- 当前专利权人地址： 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
- 代理人： 北野 修平; 田中 勝也
- 主分类号： H01L31/0264
- IPC分类号： H01L31/0264 ; H01L31/10
公开/授权文献:
- JP2015211053A 半導体積層体および受光素子 公开/授权日：2015-11-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |