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1. 发明专利

JPWO2016140229A1 半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016140229A1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017503666
申请日：2016-03-01
申请人：有限会社MTEC
发明人：加藤光治 , 宇佐見保 , 島田忠
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： B23K20/00 , B23K26/36 , B23K26/57
摘要：本発明の半導体基板の製造方法は、第1の半導体材料の単結晶からなる第1基板2に水素層3を形成する水素層形成工程と、第1基板と仮基板4とを接合する接合工程と、第1基板を水素層を境界として分離させ、第1基板の分離された表面側を第1薄膜層22として仮基板上に残す第1分離工程と、第1薄膜層が残された仮基板上に第2の半導体材料からなる支持層6を形成する支持層形成工程と、仮基板を除去する第2分離工程と、基板の周縁部72を切除する切除工程と、を備える。

2. 发明专利

JP2014207418A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207418A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094574
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/10
摘要：【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はSiC種基板の表層に水素を注入し、表面に反射膜層を設けた基板の表面と、ポリSiC基板の表面とを貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリSiCに反射膜層、単結晶SiCが形成された状態で、発光層と同じ材料による側面反射体を形成しその内側に発光層であるGaN系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする発明である。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题为了解决在反射膜上形成具有结晶结构的半导体的问题，通常即使在发光性化合物半导体膜的正下方具有反射膜的基板结构也是有效的，在发光层的靠近位置具有侧面反射板的结构是有效的，并且具有高导热性的基板对于半导体的基底基板是有效的，以便有效地发射发光元件的光或有效地提取发光。解决方案：在本发明的半导体器件中，将氢注入到SiC种子基片的表面层中，包括在表面上形成的反射膜层和多SiC衬底的表面的衬底的表面被接合，随后在t氢注入层分离衬底。基板用于发光元件，在其上形成与发光层相同的材料的侧反射器，并且在侧反射器内形成GaN基单晶化合物半导体，其中反射膜层和在多晶硅上形成单晶SiC。

3. 发明专利

JP2014057035A Compound semiconductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：化合物半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2014057035A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2012219795
申请日：2012-09-12
申请人： Mtec:Kk , 有限会社Mtec
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/12 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the cost of an SiC substrate for a high voltage drive element.SOLUTION: In order to minimize the amount of SiC crystal used, a hydrogen ion implantation layer is formed on a seed substrate, the surface thereof and the surface of a GaN thin-film layer formed on a sapphire substrate are pasted together, and the seed substrate thereafter is peeled off and separated. An SiC layer is formed by epitaxial growth on the SiC thin-film layer on the sapphire substrate. A MOSFET element, etc. are formed on the SiC layer, and then a glass substrate is pasted to the element surface via a material which can be peeled off by an ultraviolet ray. Thereafter, the sapphire substrate and the GaN layer are removed by laser, the surface of the SiC layer is metalized before a heat sink is pasted thereto, and an ultraviolet ray is irradiated upon the glass surface in that state to remove the glass substrate. In this way, an SiC element is formed on the heat sink. The seed substrate can be reused by polishing its surface after being separated. The amount of the seed substrate used is infinitesimal, because it is needed for only hydrogen ion implantation and polishing.
摘要翻译：要解决的问题：降低用于高电压驱动元件的SiC衬底的成本。解决方案：为了最小化所使用的SiC晶体的量，在种子衬底上形成氢离子注入层，其表面和将形成在蓝宝石衬底上的GaN薄膜层的表面粘合在一起，然后剥离并分离种子基底。通过在蓝宝石衬底上的SiC薄膜层上外延生长形成SiC层。在SiC层上形成MOSFET元件等，然后通过紫外线剥离的材料将玻璃基板粘贴到元件表面。此后，通过激光去除蓝宝石衬底和GaN层，在将散热片粘贴之前将SiC层的表面金属化，并在该状态下将玻璃表面照射紫外线以除去玻璃衬底。以这种方式，在散热器上形成SiC元件。种子基材可以在分离后通过抛光其表面而再次使用。使用的种子底物的量是无穷小的，因为仅需要氢离子注入和抛光。

4. 发明专利

JP2013201409A Compound semiconductor 审中-公开
标题翻译：化合物半导体
公开(公告)号：JP2013201409A
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：JP2012089723
申请日：2012-03-25
申请人： Mtec:Kk , 有限会社Mtec
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem resulting from necessity to perform heat treatment at a temperature exceeding a melting point of a silicon oxide film in order to activate a PN layer of an oxide film separation type SiC substrate for high voltage drive element.SOLUTION: An SiC compound semiconductor according to the invention is characterized in that an element substrate, whose base substrate is made of a material having a high melting point, such as poly-SiC, and in which a single crystal SiC compound semiconductor is formed on an insulation film including a silicon oxide film, has a structure where the silicon oxide film is surrounded by a material having a melting point higher than an activation temperature of impurities of a PN layer that implants ions to the single crystal SiC, thereby preventing the silicon oxide film from scattering or disappearing even in activation processing at a high temperature at which the silicon oxide film melts.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决由于在超过氧化硅膜的熔点的温度进行热处理而产生的问题，以便激活用于高压驱动元件的氧化膜分离型SiC衬底的PN层。：根据本发明的SiC化合物半导体的特征在于，其基底由具有高熔点的材料制成的元件基底，例如聚碳化硅，其中单晶SiC化合物半导体形成在包括氧化硅膜的绝缘膜具有这样的结构，其中氧化硅膜被熔点高于向单晶SiC注入离子的PN层的杂质的活化温度的材料包围，从而防止氧化硅即使在氧化硅膜熔化的高温下的活化处理中，膜也散射或消失。

5. 发明专利

JP5296823B2 The resin molded article and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5296823B2
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：JP2011059672
申请日：2011-03-17
申请人：イリソ電子工業株式会社 , 有限会社Mtec
发明人：勇次郎菅谷 , 光治加藤
IPC分类号： B29C45/14 , B29C45/26
CPC分类号： H01R13/58 , B29C45/14655 , B29C45/14836 , B29C2045/14131 , G01L19/141 , G01L19/147 , H01R43/0235 , H05K3/202 , H05K2201/049 , H05K2201/09118 , H05K2201/10636 , H05K2203/1316 , Y02P70/611
摘要： Provided are a resin molded product and a method for producing the same, wherein, at the time of insert molding of each conductive member and a first element by a resin, an external force applied from each conductive member to the first element due to the pressure of the resin at the time of molding can be suppressed. A second element (3) for fixing conductive members (1) is connected to the conductive members (1) to extend across the conductive members (1). Thus, when a resin portion covering each conductive member (1) and each first element (2) is insert molded, even if the pressure of the resin flowing into a die is applied to each conductive member (1), deformation of the conductive members (1) can be suppressed by the second element (3). Accordingly, there are advantages that an external force, such as twisting, bending, etc., applied from each conductive member (1) to the first element (2) can be significantly reduced, and the characteristics of the first element (2) are not degraded.

6. 发明专利

JPWO2011108664A1 光半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011108664A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2012503262
申请日：2011-03-03
申请人：有限会社Mtec
发明人：宇佐見　保 , 保宇佐見
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/1134 , H01L2224/1403 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/12041 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要：集光率が高く、放射される光束の広がりを調整することができるチップサイズの光半導体装置を提供する。発光素子は、素子基板面上に化合物半導体層により形成された1又は2以上の発光部と、光を取り出す発光面とは反対側の面に素子電極とを具備する。発光素子の発光面側に素子基板と同一サイズの透明部材を備え、発光素子がウエーハに形成された状態において透明部材が配設され、その後に発光素子ごとに分離される。発光素子と同一サイズのパッケージ基板を備え、チップサイズパッケージの光半導体装置とすることができる。透明部材として、レンズを形成することができる。

7. 发明专利

JPWO2010074288A1 高電圧駆動の発光ダイオードモジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2010074288A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：JP2010544198
申请日：2009-12-28
申请人：有限会社Mtec
发明人：宇佐見　保 , 保宇佐見
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/60 , H01L27/156 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48471 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/48091 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要：本発明の目的は、一つ一つの発光ダイオード素子の大きさを小さくしても総合的に輝度及び集光効率を向上させることができ、且つその発光ダイオード素子を複数接続することにより高電圧で駆動できる発光ダイオードモジュールを提供することである。このため、発光層の側面方向に放出される光を発光層に垂直な集光方向へ反射させる側方反射部を内蔵した発光ダイオード素子を複数配列し、その発光素子を直列に接続した発光ダイオードモジュールを、1つの基板上に形成することを可能にした。発光層内の活性層から放出される光のうち、集光方向へ放出された光はそのまま透明基板を通って集光方向へ放出され、集光方向とは反対方向へ放出された光は背面反射膜により集光方向へ反射され、活性層に沿った方向に放出された光は側方反射部により反射されて略集光方向へ集まる。一つ一つの発光ダイオード素子は電気的に分離されており、電源配線層により接続される。

8. 发明专利

JP2014207417A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207417A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094573
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/10
摘要：【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はSiC種基板の表層に水素を注入しその基板の表面と、ポリSiC基板の表面とをSiO2,Siを介して貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリSiCに反射膜層、単結晶SiCが形成された状態で、Siによる側面反射体を形成し、全面に結晶性反射膜を形成し、側面反射体の内側にGaN系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题为了解决在反射膜上形成具有晶体结构的半导体的问题，通常即使在发光性化合物半导体膜的正下方具有反射膜的基板结构也是有效的，在发光层的靠近位置具有侧面反射板的结构是有效的，并且具有高导热性的基板对于半导体的基底基板是有效的，以便有效地发射发光元件的光或有效地提取发光。解决方案：在本发明的半导体器件中，将氢注入到SiC籽晶衬底的表面层中，将衬底的表面和多SiC衬底的表面通过SiO 2，Si键合，随后在氢注入层分离衬底。将基板用于通过Si形成侧面反射体的发光元件，在整个区域上形成结晶性反射膜，并且在侧反射器内形成GaN基单晶化合物半导体其中在多SiC上形成反射膜层和单晶SiC。

9. 发明专利

JP2014207416A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207416A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094572
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/12 , H01L33/10 , H01L33/60
摘要：【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はSiC種基板の表層に水素を注入し、表面に反射膜層を設けた基板の表面と、ポリSiC基板の表面とを貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリSiCに反射膜層、単結晶SiCが形成された状態で、Siによる側面反射体を形成しその内側にGaN系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする発明である。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题为了解决在反射膜上形成具有结晶结构的半导体的问题，通常即使在发光性化合物半导体膜的正下方具有反射膜的基板结构也是有效的，在发光层的靠近位置具有侧面反射板的结构是有效的，并且具有高导热性的基板对于半导体的基底基板是有效的，以便有效地发射发光元件的光或有效地提取发光。解决方案：在本发明的半导体器件中，将氢注入到SiC种子基片的表面层中，包括在表面上形成的反射膜层和多SiC衬底的表面的衬底的表面并且随后在氢注入层处分离衬底。在形成反射膜层和单晶SiC的状态下，在侧反射体的内部形成有由Si构成的侧面反射体和GaN侧单体化合物半导体的发光元件的基板在多SiC上。

10. 发明专利

JP2013157588A Compound semiconductor 审中-公开
标题翻译：化合物半导体
公开(公告)号：JP2013157588A
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：JP2012029937
申请日：2012-01-29
申请人： Mtec:Kk , 有限会社Mtec
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L29/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem of a large influence on practical use of an element substrate such as SiC for a high-voltage driver element, which is caused by a large number of crystal faults and a large amount of leakage current.SOLUTION: In a compound semiconductor of a present embodiment, by forming a single-crystal compound semiconductor such as a SiC film on an insulation film on a substrate to form a MOSFET as an element substrate, an electric field from the substrate, and an electric field from a conductor formed in a groove which is formed as a trench in a part of the single-crystal semiconductor and which has oxide films on side walls, and an electric field from a field plate provided in a surface layer of the element through an insulation film ease an electric field applied from a drain to a source of the MOSFET. Accordingly, an influence of a crystal fault of the single-crystal compound semiconductor such as SiC is decreased. And the embodiment achieves a structure which can minimize a P-well by fully utilizing particularities of a trench structure.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决由大量晶体故障和大量泄漏电流引起的用于高电压驱动元件的诸如SiC的元件基板的实际使用的大的影响的问题。：在本实施方式的化合物半导体中，通过在基板上的绝缘膜上形成SiC膜等单晶化合物半导体，形成作为元件基板的MOSFET，来自基板的电场和电场从形成在单晶半导体的一部分中形成为沟槽并且在侧壁上具有氧化物膜的沟槽中的导体以及通过绝缘体在元件的表面层中设置的场板的电场膜缓解了从漏极施加到MOSFET的源极的电场。因此，SiC等单晶化合物半导体的晶体缺陷的影响降低。并且本实施例实现了通过充分利用沟槽结构的特性来使P阱最小化的结构。

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