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    • 1. 发明公开
    • High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
    • Optisch gepumpte Hochleistungshalbleiterlaser mit externem共振器
    • EP1760848A2
    • 2007-03-07
    • EP06076897.5
    • 1999-10-18
    • COHERENT, INC.
    • Caprara, AndreaSpinelli, Luis A.Chilla, Juan L.
    • H01S3/109H01S5/183H01S5/14
    • H01S5/041H01S3/07H01S3/08018H01S3/082H01S3/094053H01S3/09408H01S3/09415H01S3/1083H01S3/109H01S3/139H01S5/02484H01S5/141H01S5/18383
    • External-cavity optically-pumped semiconductor lasers (OPS-lasers) including an OPS-structure having a mirror-structure surmounted by a surface-emitting, semiconductor multiplayer (periodic) gain-structure are disclosed. The gain-structure is pumped by light from diode-lasers. The OPS-lasers can provide fundamental laser output-power of about two Watts (2.0 W) or greater. Intracavity frequency-converted arrangements of the OPS-lasers can provide harmonic laser output-power of about one-hundred milliwatts (100 mW) or greater, even at wavelengths in the ultraviolet region of the electromagnetic spectrum. These high output powers can be provided even in single axial-mode operation. Particular features of the OPS-lasers include a heat sink-assembly for cooling the OPS-structure, a folded resonator concept for providing optimum beam size at optically-nonlinear crystals used for frequency conversion, preferred selection of optically-nonlinear materials for frequency-conversion, and compound resonator designs for amplifying second harmonic-radiation for subsequent conversion to third or fourth harmonic radiation.
    • 公开了包含OPS结构的外腔光泵浦半导体激光器(OPS-激光器),其具有由表面发射半导体多人(周期性)增益结构所覆盖的镜面结构。 增益结构由二极管激光器的光泵浦。 OPS激光器可以提供约2瓦(2.0瓦)或更大的基本激光输出功率。 OPS激光器的腔内频率转换装置即使在电磁波谱的紫外区域的波长处,也能提供约百毫瓦(100mW)或更大的谐波激光输出功率。 即使在单轴模式操作中也可以提供这些高输出功率。 OPS激光器的特征包括用于冷却OPS结构的散热器组件,用于在用于频率转换的光学非线性晶体处提供最佳光束尺寸的折叠谐振器概念,用于频率转换的光学非线性材料的优选选择 以及用于放大二次谐波辐射以用于随后转换成第三或第四谐波辐射的复合谐振器设计。
    • 6. 发明公开
    • Laser beam generator
    • Laserstrahlgenerator
    • EP0749186A2
    • 1996-12-18
    • EP96114188.4
    • 1993-06-17
    • SONY CORPORATION
    • Oka, Michio
    • H01S3/109H01S3/131
    • H01S3/1312G02F1/37H01S3/08018H01S3/08054H01S3/08072H01S3/0815H01S3/109H01S3/1611H01S3/1643H01S3/1665H01S3/1673
    • A laser beam generator (13) includes first and second mirrors (14R, 16R), a laser light source (11), a laser medium (15), a non-linear optical crystal element (16) and a birefringent element (14). The laser light source generates a pumping light beam. The laser medium (15), arranged between the first and second mirrors (14R, 16R) is irradiated with the pumping light beam via one of the mirrors (14R) to generate a fundamental laser beam based on the pumping light beam. The non-linear optical crystal element (16) is arranged between the first and second mirrors to generate a second harmonic laser beam under the type II phase matching as the fundamental laser beam from the laser medium (15) is passed through it in resonant oscillation. The birefringent element (14) has its one surface at a pumping light beam inlet side coated with a high reflectance coating (14R) and has its opposite surface parallel to it with a nonreflective coating (14T). The birefringent element (14) is set so that its optical axis is inclined at a predetermined azimuth angle with respect to the crystal axis of the non-linear optical crystal element (16). The surface of the birefringent element (14) coated with a high reflectance coating (14R) constitutes one of the first or second mirrors.
    • 激光束发生器(13)包括第一和第二反射镜(14R,16R),激光源(11),激光介质(15),非线性光学晶体元件(16)和双折射元件(14) 。 激光光源产生泵浦光束。 布置在第一和第二反射镜(14R,16R)之间的激光介质(15)通过其中一个反射镜(14R)被激发光束照射,以产生基于激发光束的基本激光束。 非线性光学晶体元件(16)设置在第一和第二反射镜之间,以在激光介质(15)的基本激光束以共振振荡的方式通过时,在II型相位匹配下产生二次谐波激光束 。 双折射元件(14)的一个表面在泵浦光束入口侧涂覆有高反射率涂层(14R),并且其相对表面与非反射涂层(14T)平行。 双折射元件(14)被设定为使得其光轴相对于非线性光学晶体元件(16)的晶轴以预定的方位角倾斜。 涂覆有高反射率涂层(14R)的双折射元件(14)的表面构成第一或第二反射镜之一。
    • 10. 发明公开
    • Dispositif laser d'émission d'onde Térahertz à structure trouée
    • 激光雕刻机Struktur,Terahertz-Wellen ausstrahlt
    • EP2660938A2
    • 2013-11-06
    • EP13165779.3
    • 2013-04-29
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
    • Gerard, Jean-MichelClaudon, JulienLeo, GiuseppeAndronico, AlessioMunsch, Mathieu
    • H01S1/02H01S5/06H01S5/10G02F1/35
    • H01S3/08018B82Y20/00G02F1/3534H01S5/0604H01S5/0607H01S5/1075H01S5/1096H01S5/18375H01S5/3412
    • La présente invention concerne un dispositif (101) laser d'émission d'onde THz comportant une hétérostructure (102) de forme sensiblement cylindrique comportant une première couche (107) en matériau semiconducteur optiquement non linéaire incluant des émetteurs (110, 111) aptes à émettre dans deux modes de galerie appartenant au proche IR, les deux modes de galerie étant confinés dans la première couche (107) et permettant la génération au sein de la première couche (107) d'un rayonnement dans un mode de galerie électromagnétique THz, ledit rayonnement étant généré par différence des fréquences des deux modes de galerie, la géométrie sensiblement cylindrique de l'hétérostructure assurant l'accord de phase entre les deux modes de galerie appartenant au proche IR et le mode Térahertz, une deuxième (108) et une troisième (106) couche en matériau semiconducteur présentant chacune un indice optique plus faible que l'indice du matériau utilisé pour la première couche (107) et une couche métallique (103, 104) située à une extrémité de l'hétérostructure (102). L'hétérostructure (102) est munie en son centre d'un trou (114) de forme sensiblement cylindrique s'étendant sur toute la hauteur (h) de l'hétérostructure (102).
    • 器件(101)具有半导体异质结构(102),该半导体异质结构(102)包括光学非线性半导体材料中的层(107),该半导体材料包括两个光学语音模式的发射体。 这些模式被限制在层内,并且能够产生频率在0.5到5THz之间的辐射。 另一半导体材料层(108)和第三半导体材料层(106)具有较小的光学折射率。 异质结构包括在其中心具有圆柱形状的孔(114),其中形状在异质结构的整个高度上延伸。 还包括用于调整太赫兹模式的频率的方法的独立权利要求。