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1. 发明公开

EP0392468A3 Composite type semiconductor device having electric isolation layer 失效
标题翻译：具有电隔离层的复合型半导体器件
公开(公告)号：EP0392468A3
公开(公告)日：1992-07-08
申请号：EP90106870.0
申请日：1990-04-10
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Kihara, Kazuo, c/o Intellectual Property Div. , Taguchi, Minoru, c/o Intellectual Property Div.
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/74 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/74 , H01L21/763 , H01L27/1057
摘要： According to a composite type semiconductor device of the present invention, a buried layer (10) of a second conductive type opposite to the first conductivity type is formed in a region under a major surface of a semiconductor substrate 1 of a first conductivity type, and a conductive layer (11) in which a well region or the like is formed is formed on the buried layer (10). Trench grooves (6) extending into the semiconductor substrate (1) from a surface of the conductive layer (11) through the buried layer (10) are formed, and an insulating film (7b) is formed on side and bottom surfaces of each groove. Poly-silicon (7a) is filled in the grooves to form isolation layers (7) each made of the insulating film (7b) and the poly-silicon (7a). The conductive layer (11) and the buried layer (10) are divided into islands by the isolation layers (7). On these regions, a charge coupled device region (4) having a bipolar transistor, a bipolar element region (5), and element regions (2 and 3) of a MOS structure are formed in a CMOS structure. This composite type semiconductor device can be stably driven with a voltage of 5 V.

2. 发明公开

EP0404180A3 Semiconductor integrated circuit and method of making the same 失效
标题翻译：半导体集成电路及其制造方法
公开(公告)号：EP0404180A3
公开(公告)日：1991-09-11
申请号：EP90111880.2
申请日：1990-06-22
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Taguchi, Minoru, c/o Intellectual Property Div. , Mochizuki, Hiroshi, c/o Intellectual Property Div
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1057 , H01L27/0623
摘要： For providing a semiconductor integrated circuit device including CCD type, bipolar type and MOS type integrated circuit in only one chip, island-shaped epitaxial layers (4) of opposite conductivity type are disposed in a semiconductor substrate (1) of one conductivity type having a low impurity concentration. A field oxide layer (2) is provided so as to surround a periphery of an exposed surface of each epitaxial layer (4). A buried layer (3) of opposite conductivity type having a high impurity concentration is interposed between the semiconductor substrate (1) and each epitaxial layer (4) in such a manner that at least one edge thereof terminates to the lower surface of the field oxide layer (2). The CCD type integrated circuit is provided in the semiconductor substrate (1) and the bipolar type and MOS type integrated circuits are arranged in the epitaxial layers (4).

3. 发明公开

EP0384692A2 Charge-coupled device and process of fabrication thereof 失效
标题翻译： Ladungsverschiebeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung。
公开(公告)号：EP0384692A2
公开(公告)日：1990-08-29
申请号：EP90301787.9
申请日：1990-02-20
申请人： SONY CORPORATION
发明人： Izumi, Akio , Maki, Yasuhito , Narabu, Tadakuni , Sato, Maki , Otsu, Koji , Saito, Katsuyuki
IPC分类号： H01L29/768 , G11C19/00
CPC分类号： H01L29/76875 , H01L27/1057
摘要： A charge-coupled device has a multi-layer structure insulating layer is formed beneath a transfer electrode, floating electrodes and an electrode adjacent the floating electrodes so that pin hole phenomenon in a charge transfer section of the charge coupled device can be successfully prevented. On the other hand, a sole-layer structure insulating layer is formed beneath a gate electrode of a peripheral component so that a threshold voltage of the gate electrode of the peripheral component can be successfully controlled at a desired value.
摘要翻译：电荷耦合器件具有在传输电极，浮动电极和与浮动电极相邻的电极之下的多层结构绝缘层，从而能够成功地防止电荷耦合器件的电荷转移部分中的针孔现象。另一方面，在周边部件的栅电极下方形成底层结构绝缘层，使得可以成功地将外围部件的栅电极的阈值电压控制在期望值。

4. 发明授权

EP0025173B1 Integrierte Gleichrichterschaltung 失效
标题翻译：集成整流器电路
公开(公告)号：EP0025173B1
公开(公告)日：1986-05-07
申请号：EP80105063.4
申请日：1980-08-26
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Manfred, Mauthe, Dipl.-Ing. , Pfleiderer, Hans-Jörg, Dr.
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/78 , H02M7/217
CPC分类号： H01L29/76808 , H01L27/1057

5. 发明公开

EP0125732A1 Charge transfer device 有权转让
标题翻译：电荷耦合器件。
公开(公告)号：EP0125732A1
公开(公告)日：1984-11-21
申请号：EP84200672.8
申请日：1984-05-10
申请人： Philips Electronics N.V.
发明人： Boudewijns, Arnoldus Johannes J.
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/14 , G11C19/28
CPC分类号： H01L27/1057 , G11C19/287 , H01L27/14831
摘要： A charge transfer device having a charge transfer channel and at least one second storage site situated outside this channel, whereby a connection channel for transferring charge packets is present between a first storage site situated in the charge transfer channel and the second storage site, which connection channel can be controlled by a transfer electrode. The transfer electrode is strip-shaped and extends in the longitudinal direction of the charge transfer channel. According to the invention, the transfer electrode essentially lies beside the charge transfer channel and has at the area of an end of the connection channel a projection which ensures a satisfactory charge transfer from the storage site in question to the connection channel.

6. 发明授权

EP0008354B1 Ladungsverschiebespeicher in Seriell-Parallel-Seriellorganisation mit streng periodischer Taktansteuerung 失效
标题翻译：具有串联和串联组合的电荷转移记忆和精确的周期时钟控制
公开(公告)号：EP0008354B1
公开(公告)日：1982-01-06
申请号：EP79102416.9
申请日：1979-07-12
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Feltl, Helmut, Dr.
IPC分类号： G11C19/28 , G11C27/02 , H01L27/10
CPC分类号： H01L27/1057 , G11C19/285 , G11C19/287

7. 发明公开

EP0012841A3 Line-addressable memory with serial-parallel-serial configuration 失效
标题翻译：具有串行并行串行配置的线路可寻址存储器
公开(公告)号：EP0012841A3
公开(公告)日：1981-05-06
申请号：EP79104587
申请日：1979-11-19
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Councill, Edwin Dayne , Kelly, Helen Janet , Lee, Hua-Tung
IPC分类号： G11C19/28
CPC分类号： H01L27/1057 , G11C19/287

8. 发明公开

EP0025173A2 Integrierte Gleichrichterschaltung 失效
标题翻译：集成整流电路。
公开(公告)号：EP0025173A2
公开(公告)日：1981-03-18
申请号：EP80105063.4
申请日：1980-08-26
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Manfred, Mauthe, Dipl.-Ing. , Pfleiderer, Hans-Jörg, Dr.
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/78 , H02M7/217
CPC分类号： H01L29/76808 , H01L27/1057
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Gleichrichterschaltung, die den Wechselspannungsanteil eines analogen Eingangssignals (ue) gleichrichten soll. Hierbei wird eine monolithisch integrierte Anordnung angestrebt, die in MIS-Schaltungen leicht integriert werden kann. Die Erfindung löst dieses Problem in der Weise, daß eine CTD-Anordnung mit zwei parallel zueinander angeordneten "fill and spill"-Eingangsstufen (ES1, ES2) vorgesehen wird. In jeder Stufe sind zwei Gateelektroden (4, 6; 22, 24) vorhanden, die mit derselben Vorspannung beschaltet sind, wobei jeweils eine von ihnen (6,22) zusätzlich mit dem Wechselspannungsanteil des Eingangssignals beaufschlagt ist. Über eine CTD-Ausgangsstufe (AS) wird ein Signal (ua) ausgekoppelt, dessen Wechselspannungsanteil dem gleichgerichteten Wechselspannungsanteil des Eingangssignals (ue) entspricht. Der Anwendungsbereich umfaßt MIS-FETHalbleiterbausteine zur analogen Signalverarbeitung Figur 1
摘要翻译：本发明涉及一种集成整流电路进行整流的模拟输入信号（UE）的AC分量。这里，单片集成布置期望能够容易地集成到MIS电路。本发明以这样的方式解决了这一问题，即具有两个相互平行的“填充和溢出”被提供-Eingangsstufen（ES1，ES2）一个CTD-布置。在每一个阶段，两个栅电极（4，6; 22，24）提供被连接到同一个偏置电压，其中，其中一个（6，22）被附加在由所述输入信号的交流电压分量加载。一个信号（UA）经由CTD-输出级（AS）被耦合，输入信号的整流的AC分量的AC分量（US）对应。范围包括用于模拟信号处理的MIS场效应晶体管的半导体模块。

9. 发明公开

EP0009598A1 Ladungsverschiebespeicher in Seriell-Parallel-Seriell-Organisation 失效
标题翻译：电荷存储在串行到串行的组织。
公开(公告)号：EP0009598A1
公开(公告)日：1980-04-16
申请号：EP79103074.5
申请日：1979-08-21
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Grüter, Otto, Dr.rer.nat.
IPC分类号： G11C19/28 , G11C27/02 , H01L27/10
CPC分类号： G11C19/287 , H01L27/1057
摘要： Die Erfindung betrifft einen auf einem Chip integrierten Ladungsverschiebespeicher mit einer Einlesekette aus abwechselnd hintereinander angeordneten, jeweils über Taktleitungen ansteuerbaren ersten und zweiten Ladungsverschiebeelementen aus Speicher- und Verschiebeelektrode und einem Feld von Parallelketten von Ladungsverschiebeelementen, in die entweder allein aus den ersten oder allein aus den zweiten Ladungsverschiebeelementen der Einlesekette Informationen kennzeichnende Ladungen übernommen werden und mit einer entsprechend der Einlesekette aufgebauten und über Taktleitungen betriebenen Auslesekette, wobei mindestens im Bereich der seriellen Ein- und Ausleseketten des Chips jeweils die gleichartigen Elektroden (T2, T4; Tl, T2) der Ladungsverschiebeelemente (LE) der Ein- ;Auslesekette (EK, AK) gemeinsam mit den zugehörigen ansteuernden Taktleitungen aus einem durchgehenden Leitungsband bestehen. (Fig. 3)
摘要翻译：本发明涉及一种具有的交替一Einlesekette一个集成在芯片电荷耦合存储器从第一或仅由在仅设置一个在另一个之后，在通过时钟线的第一和第二电荷每种情况下换档商店的元素可控和移位电极和电荷的平行链的换挡元件一个字段中，第二的Einlesekette信息表征电荷的电荷转移元件被施加和内置了一个相应的Einlesekette并经由时钟线读出电路，其特征在于，至少在芯片的分别的串行输入和读出电路中，类似的电极（T2，T4; T1，T2）驱动（电荷转移元件LE ）在一个/读出链（EK，AK）都与其中从连续导带驱动相关联的时钟线一起制成。

10. 发明授权

EP0399454B1 Monolithic semiconductor device having CCD, bipolar and MOS structures 失效
标题翻译：具有CCD，双极和MOS结构的单片半导体装置
公开(公告)号：EP0399454B1
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：EP90109682.6
申请日：1990-05-22
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Taguchi, Minoru, c/o Intelletual Property Division , Kihara, Kazuo, c/o Intelletual Property Division
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L27/1057

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