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1. 发明授权

EP1269259B1 SOLVENTLESS, RESISTLESS DIRECT DIELECTRIC PATTERNING 有权
标题翻译：无溶剂，抗电介质的直接松散的组织结构
公开(公告)号：EP1269259B1
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：EP01904847.9
申请日：2001-01-11
申请人： Semiconductor Research Corporation , CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC. , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： GLEASON, Karen, K. , OBER, Christopher , HERR, Daniel
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/36 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/167 , G03F7/36
摘要： Provided is a process for lithographically patterning a material on a substrate comprising the steps of (a) depositing a radiation sensitive material on the substrate by chemical vapor deposition; (b) selectively exposing the radiation sensitive material to radiation to form a pattern; and (c) developing the pattern using a supercritical fluid (SCF) as a developer. Also disclosed is a microstructure formed by the foregoing process. Also disclosed is a process for lithographically patterning a material on a substrate wherein after steps (a) and (b) above, the pattern is developed using a dry plasma etch. Also disclosed is a microstructure comprising a substrate; and a patterned dielectric layer, wherein the patterned dielectric layer comprises at least one two-dimensional feature having a dimensional tolerance more precise than 7%. Also disclosed is a microelectronic structure comprising a substrate; a plurality of transistors formed on the substrate; and a plurality of conductive features formed within a dielectric pattern, wherein the plurality of conductive features include at least one two-dimensional feature having a dimensional tolerance more precise than 7%.

2. 发明公开

EP1033744A2 Improved dry photolithography process for deep ultraviolet exposure 审中-公开
标题翻译： Verbittenes trocken-photolithographisches Verfahren zur Bestrahlung im tiefen UV-Bereich
公开(公告)号：EP1033744A2
公开(公告)日：2000-09-06
申请号：EP00301505.4
申请日：2000-02-25
申请人： Applied Materials, Inc.
发明人： Weidman, Timothy , Nault, Michael P. , Bekiaris, Nikolaos , Sugiarto, Dian , Mui, David
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/268 , H01L21/3105 , G03F7/004 , H01L21/312 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/167 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3121 , H01L21/32139
摘要： An organosilane precursor having a silicon atom bound to at least two carbon atoms and to at least one hydrogen atom is used to form a deep ultra-violet photoresist layer with good edge definition and high contrast that is usable to define features with high resolution. The contrast of the photoresist layer can be selected according to the oxygen content in the development plasma. The plasma-polymerized organosilane layer is stable in air, both before and after photolithographic exposure for times consistent with conventional photolithographic processing of wafers in a production environment.
摘要翻译：使用具有至少两个碳原子和至少一个氢原子结合的硅原子的有机硅烷前体形成具有良好边缘清晰度和高对比度的深紫外光致抗蚀剂层（即，在曝光部分和未曝光部分之间选择性地显影蚀刻）可用于定义高分辨率的特征。可以根据显影等离子体中的氧含量来选择光致抗蚀剂层的对比度。等离子体聚合的有机硅烷层在空气中稳定，在光刻曝光之前和之后，与生产环境中的硅片的常规光刻处理相一致。

3. 发明公开

EP0714119A2 Pattern forming process, apparatus for forming said pattern and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process 失效
标题翻译：用于产生结构和方法，用于使用该方法制备半导体器件的方法和装置
公开(公告)号：EP0714119A2
公开(公告)日：1996-05-29
申请号：EP95203233.2
申请日：1991-05-08
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Yagi, Takayuki , Komatsu, Toshiyuki , Sato, Yasue , Kawate, Shinichi
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： H01L21/32139 , G03F7/16 , G03F7/167 , G03F7/2043 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , Y10S438/908 , Y10T29/41
摘要： The invention provides a process for forming an etching pattern by providing a resist pattern on a clean surface of a material to be worked by etching and etching the surface. The clean surface of the material is obtained by subjecting the surface to a plasma obtained from hydrogen gas and/or an inert gas or by subjecting the surface to hydrogen ions or fluorine ions. The resist pattern is obtained by forming a polymerized film by CVD and selectively removing a desired portion of the polymerized film.
摘要翻译：一种用于形成上蚀刻图案，其包括选择性地照射光的材料的一个清洁表面通过蚀刻被加工，从而在所述物质的气氛，以形成从相片自由基的自由基形成物质，形成具有耐蚀刻性的改性部分过程在表面处的光照射的部分，然后对所述材料的表面的未改性的部分被加工，以蚀刻处理，从而形成在蚀刻图案的图案由照射形成的相应。

4. 发明公开

EP0404446A2 A method of forming photoresists by polymerisation of di-unsaturated monomers 失效
标题翻译： Durch聚合物von zweifachungesättigtenMonomeren gebildeteFotowiderstände。
公开(公告)号：EP0404446A2
公开(公告)日：1990-12-27
申请号：EP90306514.2
申请日：1990-06-14
申请人： LOCTITE (IRELAND) Ltd.
发明人： Woods, John , Guthrie, John , Coakley, Pauline
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/16 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/167 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/039
摘要： A photoresist coating for use in microlithography comprises a polymer of a monomer of the formula

wherein X and Y are strong electron withdrawing groups and R⁴ is H or providing that X and Y are both -CN, R⁴ may be aliphatic hydrocarbyl, aryl or alkaryl. Preferred monomers are of the formula

wherein R⁷ is a C₁-C₅ alkyl or C₂-C₅ alkenyl group, more particularly ethyl 2-cyanopenta-2,4-dienoate or allyl 2-cyanopenta-2,4-dienoate.
Methods for applying a resist coating by vapour deposition of these monomers and exposure to radiation are described. A positive or negative tone image can be produced, depending upon the imaging method employed.
摘要翻译：用于微光刻的光致抗蚀剂涂层包括式CHEM的单体的聚合物，其中X和Y是强吸电子基团，R 4是H或提供X和Y都是-CN，R 4，可以是脂族烃基，芳基或烷芳基。优选的单体是式CHEM，其中R 7是C 1 -C 5烷基或C 2 -C 5烯基，更特别的是2-氰基四氢-2,4-二烯酸乙酯或2-氰基二甲基-2,4-二烯酸烯丙基酯。描述了通过气相沉积这些单体并暴露于辐射来施加抗蚀剂涂层的方法。根据所使用的成像方法，可以产生正或负色调图像。

5. 发明公开

EP0259418A1 PROCEDES POUR APPLIQUER SIMULTANEMENT SUR UNE PLURALITE DE PLAQUETTES DE CIRCUITS INTEGRES UNE PELLICULE PHOTOSENSIBLE D'EPAISSEUR UNIFORME EN VERRE DE SELENIURE DE GERMANIUM OU D'ARSENIC SENSIBILISE PAR UN SEL D'ARGENT 失效
标题翻译：步骤中使用银盐致敏GERMANIUMSELENID-或砷硒眼镜的感光厚度几家半导体片同时涂布。
公开(公告)号：EP0259418A1
公开(公告)日：1988-03-16
申请号：EP87901512.0
申请日：1987-03-06
申请人： A.S.M.- SUD EUROPE
发明人： RIBES, Michel, R. , MAURIN, Maurice, G. , CROS, Bernard, J. , PEYTAVIN, Serge, A. , JULIEN, Patrick, J. Résidence Le Clos des Elses , XINXO, Ferran
IPC分类号： G03C1 , C23C16 , G03F7 , H01L21
CPC分类号： G03F7/0044 , G03F7/167
摘要： Des procédés pour appliquer simultanément sur une pluralité de plaquettes de circuits intégrés une pellicule photosensible d'épaisseur uniforme en verre de séléniure de germanium ou d'arsenic sensibilisé par un sel d'argent. Un dispositif selon l'invention comporte un réacteur (1) de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma qui est connecté sur une pompe à vide (4) et sur un panneau de distribution de gaz (6) qui est connecté sur des bouteilles (7, 8, 9) contenant respectivement de l'azote, de l'hydrogène sélénié et du germane. Le réacteur (1) comporte un chariot (13) portant des paires de plaques en graphite (15a, 15b) qui sont connectées sur un générateur (17) de tension oscillante. Les plaquettes en silicium (18) sont posées contre les électrodes (15a, 15b). Une application est la fabrication de circuits intégrés complexes.

6. 发明公开

EP0136421A2 Microlithographic process 失效
标题翻译： Mikrolithographisches Verfahren。
公开(公告)号：EP0136421A2
公开(公告)日：1985-04-10
申请号：EP84108095.5
申请日：1984-07-11
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Hiraoka, Hiroyuki
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/20 , G03F7/36
CPC分类号： H01L21/02126 , G03F7/0755 , G03F7/167 , H01L21/02277 , H01L21/312 , H01L21/3121
摘要： A monomer vapour is pattern-wise exposed to a beam of ions (eg protons) to cause a pattern-exposed polymer film to be deposited on a substrate. If the exposed polymer film is resistant to oxygen plasma, surface portions of the substrate not protected by the deposited pattern-exposed polymer film can be dry etched with oxygen plasma. The substrate can be a silicon wafer. The pattern-exposed polymer film can be deposited on a resist film.
摘要翻译：单体蒸汽以图案方式暴露于离子束（例如质子），以使图案暴露的聚合物膜沉积在基底上。如果暴露的聚合物膜对氧等离子体具有耐受性，则可以用氧等离子体干燥蚀刻不被沉积的图案暴露的聚合物膜保护的衬底的表面部分。衬底可以是硅晶片。图案曝光的聚合物膜可以沉积在抗蚀剂膜上。

7. 发明授权

EP1691362B1 PROCESS FOR PRODUCING ORIGINAL DISC FOR OPTICAL DISC AND ORIGINAL DISC FOR OPTICAL DISC 有权
标题翻译：工艺用于生产原始数据载体，以执行光盘光盘及其原盘
公开(公告)号：EP1691362B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：EP04799948.7
申请日：2004-11-30
申请人： Sony Corporation
发明人： SHIRASAGI, Toshihiko C/O SONY DISC&DIG. SOL. INC. , MINEGISHI, Shinji C/O SONY DISC & DIG. SOL.INC.
IPC分类号： G11B7/26 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0043 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/083 , C23C14/3492 , G03F7/0015 , G03F7/16 , G03F7/167 , G11B7/007 , G11B7/261 , G11B7/266

8. 发明公开

EP1269259A4 SOLVENTLESS, RESISTLESS DIRECT DIELECTRIC PATTERNING 有权
标题翻译： LÖSUNGSMITTELFREIES，RESISTLOSES DIREKTES STRUKTURIEREN VON DIELEKTRIKA
公开(公告)号：EP1269259A4
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：EP01904847
申请日：2001-01-11
申请人： SEMICONDUCTOR RES CORP , CORNELL RES FOUNDATION INC , MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
发明人： GLEASON KAREN K , OBER CHRISTOPHER , HERR DANIEL
IPC分类号： G03F7/16 , B81B7/00 , G03F7/00 , G03F7/32 , G03F7/36 , G03H1/00
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/167 , G03F7/36
摘要： Provided is a process for lithographically patterning a material on a substrate comprising the steps of (a) depositing a radiation sensitive material on the substrate by chemical vapor deposition; (b) selectively exposing the radiation sensitive material to radiation to form a pattern; and (c) developing the pattern using a supercritical fluid (SCF) as a developer. Also disclosed is a microstructure formed by the foregoing process. Also disclosed is a process for lithographically patterning a material on a substrate wherein after steps (a) and (b) above, the pattern is developed using a dry plasma etch. Also disclosed is a microstructure comprising a substrate; and a patterned dielectric layer, wherein the patterned dielectric layer comprises at least one two-dimensional feature having a dimensional tolerance more precise than 7%. Also disclosed is a microelectronic structure comprising a substrate; a plurality of transistors formed on the substrate; and a plurality of conductive features formed within a dielectric pattern, wherein the plurality of conductive features include at least one two-dimensional feature having a dimensional tolerance more precise than 7%.
摘要翻译：提供了一种用于在衬底上光刻图案化材料的方法，包括以下步骤：（a）通过化学气相沉积在衬底上沉积辐射敏感材料; （b）将辐射敏感材料选择性地暴露于辐射以形成图案; 和（c）使用超临界流体（SCF）作为显影剂显影图案。还公开了通过前述方法形成的微结构。还公开了一种用于光刻地图案化衬底上的材料的方法，其中在上述步骤（a）和（b）之后，使用干等离子体蚀刻显影图案。还公开了一种包含基底的微结构; 以及图案化的介电层，其中所述图案化介电层包括具有比7％更精确的尺寸公差的至少一个二维特征。还公开了包括基底的微电子结构; 形成在所述基板上的多个晶体管; 以及形成在电介质图案内的多个导电特征，其中所述多个导电特征包括具有比7％更精确的尺寸公差的至少一个二维特征。

9. 发明公开

EP0841593A1 Method and apparatus for depositing a photoresist layer on a substrate 失效
标题翻译： Verfahren und Vorrichtung zur Fotolackbeschichtung eines Substrats
公开(公告)号：EP0841593A1
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：EP97117703.5
申请日：1997-10-13
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： Weidman, Timothy , Sugiarto, Dian
IPC分类号： G03F7/16
CPC分类号： B05D1/62 , C23C16/30 , C23C16/5096 , G03F7/0757 , G03F7/167
摘要： An improved method and apparatus for forming a plasma-polymerized methylsilane (PPMS) photo-sensitive resist material includes the steps of pressurizing the chamber to between about 1 to about 2 Torr (133,3 Pa to 266,6 Pa), heating the substrate to between about 50°C and about 200°C, and plasma-polymerizing the precursor methylsilane gas to deposit a stable film having high-photosensitivity at high deposition rates.
摘要翻译：用于形成等离子体聚合甲基硅烷（PPMS）光敏抗蚀剂材料的改进方法和装置包括以下步骤：将室加压至约1至约2托（133,3 Pa至266,6 Pa），加热基板至约50℃至约200℃，并使前体甲基硅烷气体等离子体聚合以在高沉积速率下沉积具有高光敏性的稳定膜。

10. 发明授权

EP0382932B1 Process for the vapor deposition of polysilanes 失效
标题翻译：一种用于聚硅烷的气相沉积工艺。
公开(公告)号：EP0382932B1
公开(公告)日：1994-11-09
申请号：EP89123324.9
申请日：1989-12-16
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Dobuzinsky, David M. , Hakey, Mark C. , Holmes, Steven J. , Horak, David V.
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： G03F7/167 , G03F7/0754

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