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    • 2. 发明公开
    • PROCEDE POUR MODIFIER LES PROPRIETES D UNE COUCHE MINCE ET S UBSTRAT FAISANT APPLICATION DU PROCEDE
    • 为了改变一层薄薄的特性的方法程序,实现衬底
    • EP1501757A2
    • 2005-02-02
    • EP03755160.3
    • 2003-05-07
    • UNIVERSITE CLAUDE BERNARD - LYON 1
    • MARTY, OlivierLYSENKO, Volodymyr
    • B81C1/00
    • B81C1/0038B81C1/00714C30B25/02H01L21/0237H01L21/02381H01L21/02439H01L21/02463H01L21/02513H01L21/02521H01L21/02543H01L21/02546H01L21/0259H01L21/02658H01L39/2454H01L41/332Y10S977/72Y10S977/811Y10S977/825Y10S977/832Y10T428/24802
    • The invention relates to a method of altering the properties of a thin film (1) which is disposed on the surface of a support (2), thereby forming a substrate (3) which is used in the field of micro- and nano-electronics and micro- and nano-technology. The inventive method consists in producing at least one thin film (1) on a nanostructured support having a large specific surface area (2) and treating said nanostructured support (2) in order to generate internal stresses therein. In this way, a deformation is produced in said support at least in the plane of the thin film in such a way as to ensure a corresponding deformation in the thin film, in order to alter the properties thereof.
    • 该薄层被形成为支撑构成在微型,纳米电子学和微,纳米技术所利用的基片的表面上,并且besteht与特定的上部上形成纳米结构的载体上的至少一个薄膜层的 表面,以及处理用于在支持通过其变形在薄层的至少所述平面以这样的方式生成内部菌株,以确保该薄层的相应的变形用于修改其属性的纳米结构支持。 该方法(权利要求)中besteht为了处理通过化学方法与特定的上表面上的纳米结构支持,以确保变形对应于扩展或它的纳米结构的收缩。 纳米结构支持物是从不同的纳米结构选自金属,半导体和电介质材料,颜色的基础上:如多孔硅,IV型的纳米结构的半导体,IV-IV,III-V,II-VI,和 纳米结构的介电材料的二氧化钛,氧化铝,氧化锌等。该方法包括的基础上,所述纳米结构支持的处理之后,结晶材料的薄层上的外延生长。 该薄层被选择哪个可具有中,纳米结构的处理。第之后,晶格参数对应于没有设计成由薄层上外延生长而形成的结晶材料。 该薄层被选择哪个可具有中,纳米结构的处理之后,晶格参数对应于没有设计成由薄层上外延生长而形成的结晶材料。 该薄层可以被预应变或没有。 在该方法的变型中,至少一个中间层设置在所述薄层与所述纳米结构的支撑件之间形成。 薄层波塞唱压电性能可以在纳米结构支持在光刻以获得压电区域,或由纳米结构支撑件的变形的外科手术形成,通过以引起的电荷的外观在的水平 薄层。 一种用于微型,纳米电子或微型,纳米技术的基板(权利要求)通过该方法制成,其包括对应于变形的支持下,薄层,并且外延半导体或超导材料的laeyr形成于所述薄层上 或压电材料的薄层形成。 的基板的应用(权利要求的)是在光电元件的执行或电子组件。