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1. 发明公开

EP2741315A1 MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR QUANTUM DOT MATERIAL 有权
标题翻译： HERSTELLUNGSVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHRENFÜRQUANTENPUNKTMATERIAL
公开(公告)号：EP2741315A1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：EP12821709.8
申请日：2012-07-02
申请人： Soochow University
发明人： PENG, Changsi
IPC分类号： H01L21/20 , H01S5/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02601 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/0259 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01S5/3412 , H01S2304/00 , H01S2304/02 , H01S2304/04
摘要： A manufacturing apparatus and a manufacturing method for a quantum dot material. The manufacturing apparatus (10) adds an optical device (120) capable of generating an interference pattern in an existing epitaxial apparatus (110), so that a substrate (200) applies an interference pattern on an epitaxial layer while performing epitaxial growth. By means of the interference pattern, a regularly distributed temperature field is formed on the epitaxial layer, so that on the epitaxial layer, an atom aggregation phenomenon is formed at dot positions with higher temperature, but no atoms are aggregated on areas having relatively lower temperature. Therefore, according to the temperature distribution on the surface of the epitaxial layer, positions where quantum dots generate can be controlled manually without introducing defects, thereby achieving a defect-free and long-range ordered quantum dot manufacturing.
摘要翻译：量子点材料的制造装置和制造方法。制造装置（10）在现有的外延装置（110）中添加能够产生干涉图案的光学装置（120），使得在进行外延生长的同时，衬底（200）在外延层上施加干涉图案。通过干涉图案，在外延层上形成规则分布的温度场，使得在外延层上，在具有较高温度的点位置处形成原子聚集现象，但是在具有较低温度的区域上没有原子聚集。因此，根据外延层的表面的温度分布，可以手动地控制量子点产生的位置而不引入缺陷，从而实现无缺陷和长距离有序量子点制造。

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