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1. 发明公开

EP2808886A1 Apparatus for processing a semiconductor workpiece 有权
标题翻译： Vorrichtung zur Verarbeitung einesHalbleiterwerkstücks
公开(公告)号：EP2808886A1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：EP14275128.8
申请日：2014-05-27
申请人： SPTS Technologies Limited
发明人： Ansell, Oliver , Kiernan, Brian , Jeffrey, Toby , Varvara, Maxime
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455
摘要： According to the invention there is an apparatus (10) for processing a semiconductor workpiece (24) including:
a first chamber (14) having a first plasma production source (16) and a first gas supply (12) for introducing a supply of gas into the first chamber;
a second chamber (22) having a second plasma production source (30) and a second gas supply (34) for introducing a supply of gas into the second chamber, the second gas supply being independently controllable of the first gas supply;
a workpiece support (26) positioned in the second chamber; and
a plurality of gas flow pathway defining elements for defining a gas flow pathway in the vicinity of the workpiece when positioned on the workpiece support, wherein the gas flow path defining elements include at least one wafer edge region protection element (28) for protecting the edge of the wafer and/or a region outwardly circumjacent to the edge of the wafer, and at least one auxiliary element (36) spaced apart from the wafer edge region protection element to define the gas flow pathway.
摘要翻译：根据本发明，存在一种用于处理半导体工件（24）的装置（10），包括：具有第一等离子体生产源（16）的第一室（14）和用于引入气体供应的第一气体供应源进入第一个房间具有第二等离子体产生源（30）的第二室（22）和用于将气体供应引入第二室的第二气体供应源（34），第二气体供应源可独立地控制第一气体供应源; 位于所述第二室中的工件支撑件（26）; 以及多个气体流动通道限定元件，用于在定位在工件支撑件上时限定工件附近的气体流动路径，其中气体流动路径限定元件包括至少一个晶片边缘区域保护元件（28），用于保护晶片的边缘和/或向外周向于晶片边缘的区域，以及与晶片边缘区域保护元件间隔开的至少一个辅助元件（36），以限定气体流动路径。

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