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2. 发明公开

EP1484767A2 Magnetic memory apparatus and method of manufacturing magnetic memory apparatus 有权
标题翻译： Magnetpeichervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Magnetspeichervorrichtung
公开(公告)号：EP1484767A2
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：EP04291394.7
申请日：2004-06-04
申请人： SONY CORPORATION
发明人： Tai, Kaori, Sony Corporation
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16 , H01L43/12
摘要： A magnetic memory apparatus (1) including a memory cell region (6) and a peripheral circuitry region (8) mounted on a substrate (10) is provided. The memory cell region (6) includes first wiring (11), second wiring (12) that three-dimensionally intersects with the first wiring, and a magnetoresistance effect type memory device (13) disposed in an intersecting region of the first and the second wiring for storing and reproducing information of a magnetic spin. The peripheral circuitry region (8) includes first wiring (61) that is in the same wiring layer as that of the first wiring in the memory cell region (6), and second wiring (62) that is in the same wiring layer as the second wiring (12) in the memory cell region (6), and a magnetic material layer (51) including a high magnetic permeability layer is formed on both side surfaces of the first wiring only within the memory cell region and on a surface opposite to a surface facing the memory device (13).
摘要翻译：提供了一种包括存储单元区域（6）和安装在基板（10）上的外围电路区域（8））的磁存储装置（1）。存储单元区域（6）包括第一布线（11），与第一布线三维相交的第二布线（12）以及设置在第一和第二布线（11）的交叉区域中的磁阻效应型存储器件用于存储和再现磁旋转信息的布线。外围电路区域（8）包括与存储单元区域（6）中的第一布线相同的布线层的第一布线（61），以及与第一布线（62）相同的布线层在存储单元区域（6）中的第二布线（12）和包括高磁导率层的磁性材料层（51）仅在存储单元区域内形成在第一布线的两侧表面上，并且在与第面向存储器件（13）的表面。

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