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1. 发明公开

EP0499921A3 Current control device particularly for power circuits in mos technology 失效
标题翻译：电流控制装置，特别适用于mos技术的电源电路
公开(公告)号：EP0499921A3
公开(公告)日：1994-03-30
申请号：EP92102150.7
申请日：1992-02-10
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Colandrea, Francesco , Poletto, Vanni
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/16 , G05F1/56
CPC分类号： H03K17/0822 , G05F1/575 , H03K17/165
摘要： The current control device comprises a MOSFET transistor (40) which has its source terminal connected to one terminal of a dissipative load (41), its gate terminal connected to a pump circuit (43) which receives in input a supply voltage (V IN ) and a square-waveform voltage (V OSC ,46), and its drain terminal connected to a power supply (44). The device furthermore comprises a control circuit (47) which is coupled to the MOSFET transistor (40) by means of an electrical connection and generates signals for adjusting the supply voltage (V IN ) and the square-waveform voltage (V OSC ,46) of the pump circuit (43).
摘要翻译：该电流控制装置包括一个MOSFET晶体管（40），其源极端连接到耗散负载（41）的一端，其栅极端连接到一个泵电路（43），该电路接收输入电源电压（VIN）和方波形电压（VOSC，46），其漏极端连接到电源（44）。该装置还包括通过电连接与MOSFET晶体管（40）耦合的控制电路（47），并产生用于调节电源电压（VIN）和方波电压（VOSC，46）的信号泵电路（43）。

2. 发明公开

EP0519156A1 Ground loss protection device particularly for mos integrated circuits 失效
标题翻译：设备针对接地连接，特别是对于MOS集成电路丢失保护。
公开(公告)号：EP0519156A1
公开(公告)日：1992-12-23
申请号：EP92102151.5
申请日：1992-02-10
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Colandrea, Francesco , Poletto, Vanni
IPC分类号： H03K17/08 , B60R16/02
CPC分类号： H03K17/0822 , H03K17/063
摘要： Ground loss protection device particularly for MOS integrated circuits which comprises a high-side driver device (10) which has an input terminal (15), a substrate (11) connected to the ground and an output terminal (12) for driving loads (13) which are external to the high-side driver device (10). The output terminal (12) is provided by means of the source terminal of a MOS transistor (17). At least one terminal of a load (13) is connected to the output terminal (12) and the other terminal of the load (13) is connected to the ground. The protection device comprises at least one diode (14) which connects the substrate (11) to the output terminal (12). The diode (14) connects the substrate (11) to the ground through the load (13) if the ground connection of the substrate (11) is interrupted.
摘要翻译：连接到地，并用于驱动负载的输出端子（12），特别是对于MOS集成电路地丢失保护装置，它包括一个高边驱动器装置（10），其具有输入端子（15），一基板（11）（13 ），它们是外部的高边驱动器装置（10）。输出端子（12）由一个MOS晶体管（17）的源极端子的方式提供。在负载的至少一个端子（13）被连接到输出端（12）和所述负载的另一端（13）被连接到地面。所述保护装置包括至少一个二极管（14），其在基板（11）连接到所述输出端子（12）。二极管（14）通过，如果在基板（11）的接地连接被中断的负荷（13）连接所述基板（11）到地面。

3. 发明公开

EP0499921A2 Current control device particularly for power circuits in mos technology 失效
标题翻译： Stromregelungseinrichtung，insbesonderefürLeistungsschaltungen在MOS-Technologie。
公开(公告)号：EP0499921A2
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：EP92102150.7
申请日：1992-02-10
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Colandrea, Francesco , Poletto, Vanni
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/16 , G05F1/56
CPC分类号： H03K17/0822 , G05F1/575 , H03K17/165
摘要： The current control device comprises a MOSFET transistor (40) which has its source terminal connected to one terminal of a dissipative load (41), its gate terminal connected to a pump circuit (43) which receives in input a supply voltage (V IN ) and a square-waveform voltage (V OSC ,46), and its drain terminal connected to a power supply (44). The device furthermore comprises a control circuit (47) which is coupled to the MOSFET transistor (40) by means of an electrical connection and generates signals for adjusting the supply voltage (V IN ) and the square-waveform voltage (V OSC ,46) of the pump circuit (43).
摘要翻译：电流控制装置，特别是用于MOS技术中的电源电路，其包括其源极端子连接到耗散负载（41）的一个端子的MOSFET晶体管（40），其栅极端子连接到泵电路（43）输入电源电压（VIN）和方波电压（VOSC，46），其漏极端子连接到电源（44）。该装置还包括通过电连接耦合到MOSFET晶体管（40）的控制电路（47），并产生用于调节电源电压（VIN）和方波电压（VOSC，46）的信号泵电路（43）。

4. 发明授权

EP0499921B1 Current control device, particularly for power circuits in MOS technology 失效
标题翻译：特别是用于在MOS技术的电源电路的电流控制装置
公开(公告)号：EP0499921B1
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：EP92102150.7
申请日：1992-02-10
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
发明人： Colandrea, Francesco , Poletto, Vanni
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/082 , H03K17/16 , G05F1/56
CPC分类号： H03K17/0822 , G05F1/575 , H03K17/165

5. 发明公开

EP0674389A1 Overload protection circuit for MOS power drivers 失效
标题翻译： ÜberlastschutzschaltkreisfürMOS-Leistungstreiber。
公开(公告)号：EP0674389A1
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：EP94830125.4
申请日：1994-03-22
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Colandrea, Francesco , Poletto, Vanni
IPC分类号： H03K17/08
CPC分类号： H03K17/0822
摘要： The circuit (10) includes two regulating loops connected parallel to each other. The slow regulating loop (11) presents a lower first intervention threshold, and the fast regulating loop (12) a higher second intervention threshold. The slow regulating loop is low-gain and frequency-stable for accurately controlling the maximum value of the current (I D ) supplied by the driver (1) in the event of slow overloads or transient states. In the event of rapid overloads, the slow regulating loop fails to intervene effectively, current supply increases rapidly, and the fast regulating loop is turned on to rapidly discharge the parasitic capacitance of the driver (1). The resulting increase in current supply due to instability of the fast loop poses no hazard by virtue of the power transistor being saturated and so permitting effective intervention of the slow regulating loop (linear regulating region) which maintains the output current at the set nominal value.
摘要翻译：电路（10）包括彼此平行连接的两个调节回路。缓慢调节回路（11）呈现较低的第一干预阈值，快速调节回路（12）具有较高的第二干预阈值。缓慢调节环路是低增益和频率稳定的，用于在发生缓慢的过载或瞬态状态时精确控制由驱动器（1）提供的电流（ID）的最大值。在快速过载的情况下，慢调节回路无法有效干预，电流迅速增加，快速调节回路导通，快速放电驱动器（1）的寄生电容。由于快速回路的不稳定性导致的电流供应的增加不会因功率晶体管饱和而造成危害，因此允许有效干预慢调节回路（线性调节区域），从而将输出电流维持在设定的额定值。

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