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1. 发明公开

EP2626902A1 NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 有权转让
标题翻译： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON的NICHTFLÜCHTIGESSPEICHERELEMENT
公开(公告)号：EP2626902A1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：EP11830388.2
申请日：2011-10-06
申请人： Panasonic Corporation
发明人： MIKAWA, Takumi , HAYAKAWA, Yukio , NINOMIYA, Takeki , KAWASHIMA, Yoshio , YONEDA, Shinichi
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625
摘要： A variable resistance nonvolatile storage element (10) includes: a first electrode (106); a second electrode (104); and a variable resistance layer (115) having a resistance value that reversibly changes based on an electrical signal applied between the electrodes, wherein the variable resistance layer has a structure formed by stacking a first transition metal oxide layer (115x), a second transition metal oxide layer (115y), and a third transition metal oxide layer (115z) in this order, the first transition metal oxide layer having a composition expressed as MO x (where M is a transition metal and O is oxygen), the second transition metal oxide layer having a composition expressed as MO y (where x > y), and the third transition metal oxide layer having a composition expressed as MO z (where y > z).
摘要翻译：可变电阻非易失性存储元件（10）包括：第一电极（106）; 第二电极（104）; 以及可变电阻层（115），其具有基于施加在所述电极之间的电信号而可逆地变化的电阻值，其中所述可变电阻层具有通过堆叠第一过渡金属氧化物层（115x），第二过渡金属氧化物层（115y）和第三过渡金属氧化物层（115z），第一过渡金属氧化物层具有以MO x表示的组成（其中M是过渡金属，O是氧），第二过渡金属具有表示为MO y（其中x> y）的组成的氧化物层和具有以MO z表示的组成的第三过渡金属氧化物层（其中y> z）。

2. 发明公开

EP2244293A1 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译： HERMBLEITERSPEICHERVORRICHTUNG HERMBLEITERSPEICHERVORRICHTUNG HERSTELLUNGSVERFAHRENDAFÜR
公开(公告)号：EP2244293A1
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：EP09710369.1
申请日：2009-02-09
申请人： Panasonic Corporation
发明人： MIKAWA, Takumi , KAWASHIMA, Yoshio , ARITA, Koji , NINOMIYA, Takaki
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
摘要： A nonvolatile semiconductor memory device (100) comprises a substrate (102) provided with a transistor (101); a first interlayer insulating layer (103) formed over the substrate to cover the transistor; a first contact plug (104) formed in the first interlayer insulating layer and electrically connected to either of a drain electrode (101a) or a source electrode (101b) of the transistor, and a second contact plug (105) formed in the first interlayer insulating layer and electrically connected to the other of the drain electrode or the source electrode of the transistor; a resistance variable layer (106) formed to cover a portion of the first contact plug; a first wire (107) formed on the resistance variable layer; and a second wire (108) formed to cover a portion of the second contact plug; an end surface of the resistance variable layer being coplanar with an end surface of the first wire.
摘要翻译：非易失性半导体存储器件（100）包括具有晶体管（101）的衬底（102）; 形成在所述衬底上以覆盖所述晶体管的第一层间绝缘层（103）形成在所述第一层间绝缘层中并电连接到所述晶体管的漏电极（101a）或源电极（101b）中的任一个的第一接触插塞（104）和形成在所述第一中间层绝缘层并与晶体管的漏电极或源电极中的另一个电连接; 形成为覆盖所述第一接触插塞的一部分的电阻变化层（106）形成在电阻变化层上的第一线（107）以及形成为覆盖所述第二接触插塞的一部分的第二线（108）所述电阻变化层的端面与所述第一线的端面共面。

3. 发明授权

EP2234160B1 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 失效转让
标题翻译：不挥发的半导体存储装置及其制造方法
公开(公告)号：EP2234160B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：EP08865349.8
申请日：2008-12-26
申请人： Panasonic Corporation
发明人： MIKAWA, Takumi , KAWASHIMA, Yoshio , MIYANAGA, Ryoko
IPC分类号： H01L27/102 , H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633

4. 发明公开

EP2549535A1 NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, PRODUCTION METHOD THEREFOR, DESIGN SUPPORT METHOD THEREFOR, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权转让
标题翻译： NICHTFLÜCHTIGESSPEICHERELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
公开(公告)号：EP2549535A1
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：EP11755916.1
申请日：2011-03-16
申请人： Panasonic Corporation
发明人： HAYAKAWA, Yukio , MIKAWA, Takumi , KAWASHIMA, Yoshio , NINOMIYA, Takeki
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： A nonvolatile memory element which can be initialized at low voltage includes a variable resistance layer (116) located between a lower electrode (105) and an upper electrode (107) and having a resistance value that reversibly changes based on electrical signals applied between these electrodes. The variable resistance layer (116) includes at least two layers: a first variable resistance layer (1161) including a first transition metal oxide (1 16b); and a second variable resistance layer (1162) including a second transition metal oxide (116a) and a third transition metal oxide (116c). The second transition metal oxide (116a) has an oxygen deficiency higher than either oxygen deficiency of the first transition metal oxide (116b) or the third transition metal oxide (116c), and the second transition metal oxide (116a) and the third transition metal oxide (116c) are in contact with the first variable resistance layer (1161).
摘要翻译：可以以低电压初始化的非易失性存储元件包括位于下电极（105）和上电极（107）之间的可变电阻层（116），并且具有基于施加在这些电极之间的电信号而可逆地改变的电阻值。可变电阻层（116）包括至少两层：包括第一过渡金属氧化物（116b）的第一可变电阻层（1161）; 和包含第二过渡金属氧化物（116a）和第三过渡金属氧化物（116c）的第二可变电阻层（1162）。第二过渡金属氧化物（116a）的氧缺乏高于第一过渡金属氧化物（116b）或第三过渡金属氧化物（116c）的氧缺乏，第二过渡金属氧化物（116a）和第三过渡金属氧化物（116c）与第一可变电阻层（1161）接触。

5. 发明公开

EP2128901A1 STORAGE ELEMENT AND STORAGE DEVICE 审中-公开
标题翻译： SPEICHERELEMENT UND SPEICHEREINRICHTUNG
公开(公告)号：EP2128901A1
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：EP07832907.5
申请日：2007-11-30
申请人： Panasonic Corporation
发明人： ARITA, Koji , TAKAGI, Takeshi , MIKAWA, Takumi , KAWASHIMA, Yoshio , WEI, Zhiqiang
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： Memory elements (3) arranged in matrix in a memory apparatus (21), each includes a resistance variable element (1) which changes an electrical resistance value in response to an applied electrical pulse having a positive polarity or a negative polarity and maintains the changed electrical resistance value, and a current suppressing element (2) for suppressing a current flowing when the electrical pulse is applied to the resistance variable element. The current suppressing element includes a first electrode, a second electrode, and a current suppressing layer provided between the first electrode and the second electrode, and the current suppressing layer comprises SiNx (x: positive actual number).
摘要翻译：在存储器装置（21）中以矩阵形式布置的存储元件（3）分别包括电阻变化元件（1），其响应于所施加的具有正极性或负极性的电脉冲改变电阻值，并保持改变电阻值和电流抑制元件（2），用于抑制当电脉冲施加到电阻可变元件时流动的电流。电流抑制元件包括第一电极，第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的电流抑制层，并且电流抑制层包括SiNx（x：正实数）。

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