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1. 发明授权

EP2674978B1 Tunnel field effect transistor device and method for making the device 有权转让
公开(公告)号：EP2674978B1
公开(公告)日：2020-07-29
申请号：EP12172186.4
申请日：2012-06-15
申请人： IMEC VZW , Katholieke Universiteit Leuven
发明人： Smets, Quentin , Verhulst, Anne S. , Rooyackers, Rita , Heyns, Marc
IPC分类号： H01L29/739

2. 发明授权

EP2378557B1 Method of manufacturing a vertical TFET 有权
标题翻译：一种用于制造垂直TFET方法
公开(公告)号：EP2378557B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：EP10160382.7
申请日：2010-04-19
申请人： IMEC , Katholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D
发明人： Rooyackers, Rita , Leonelli, Daniele , Vandooren, Anne , Verhulst, Anne , Loo, Roger , De Gendt, Stefan
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/267
CPC分类号： H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L21/823885 , H01L29/0665 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66356

3. 发明公开

EP2568506A1 Tunnel transistor, logical gate comprising the transistor, static random-access memory using the logical gate and method for making such a tunnel transistor 审中-公开
标题翻译：隧道晶体管，含晶体管逻辑门，所述逻辑门使用的静态随机存取存储器设备以及用于制造这种隧道晶体管的方法
公开(公告)号：EP2568506A1
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：EP11180814.3
申请日：2011-09-09
申请人： IMEC , Katholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D
发明人： Heyns, Marc , Huyghebaert, Cedric , Verhulst, Anne S. , Leonelli, Daniele , Rooyackers, Rita , Dehaene, Wim
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/8244 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L27/11 , H01L27/11803 , H01L29/0657 , H01L29/66977 , H01L29/7831 , H01L29/78648 , H01L29/78684
摘要： A tunnel transistor (1) comprising a drain (2), a source (4) and a first gate (6) and a second gate (10) for controlling current between the drain (2) and the source (4), wherein the first sides (9,13) of respectively the first and the second gate dielectric material (7,11) are positioned substantially along and substantially contact respectively a first and a second semiconductor part (14,15).
摘要翻译：甲隧道晶体管（1），包括漏（2），源极（4）和第一栅极（6）和用于控制所述漏极之间的电流的第二栅极（10）（2）和所述源（4），worin的第一侧面分别与第一和第二栅极介电材料（7.11）的（9,13）沿着基本上位于与分别基本上接触的第一和第二半导体部（14,15）。

4. 发明公开

EP2378557A1 Method of manufacturing a vertical TFET 有权
标题翻译： Verfahren zur Herstellung eines vertikalen TFET
公开(公告)号：EP2378557A1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：EP10160382.7
申请日：2010-04-19
申请人： IMEC , Katholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D
发明人： Rooyackers, Rita , Leonelli, Daniele , Vandooren, Anne , Verhulst, Anne , Loo, Roger , De Gendt, Stefan
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/267
CPC分类号： H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L21/823885 , H01L29/0665 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66356
摘要： The present invention provides a method for manufacturing at least one nanowire Tunnel Field Effect Transistor (TFET) semiconductor device. The method comprises providing a stack (24) comprising a layer of channel material (34) with on top thereof a layer of sacrificial material (21), removing material from the stack (24) so as to form at least one nanowire (30) from the layer of channel material (34) and the layer of sacrificial material (21), and replacing the sacrificial material (21) in the at least one nanowire (30) by heterojunction material (41, 52). A method according to embodiments of the present invention is advantageous as it enables easy manufacturing of complementary TFETs.
摘要翻译：本发明提供一种用于制造至少一个纳米线隧道场效应晶体管（TFET）半导体器件的方法。该方法包括提供包括沟道材料层（34）的堆叠（24），其顶部具有牺牲材料层（21），从堆叠（24）去除材料，以形成至少一个纳米线（30）从所述通道材料层（34）和所述牺牲材料层（21）开始，并且通过异质结材料（41,42）代替所述至少一个纳米线（30）中的所述牺牲材料（21）。根据本发明的实施例的方法是有利的，因为它能够容易地制造互补的TFET。

5. 发明公开

EP2674978A1 Tunnel field effect transistor device and method for making the device 有权转让
标题翻译： Tunnelfeldeffekttransistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
公开(公告)号：EP2674978A1
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：EP12172186.4
申请日：2012-06-15
申请人： IMEC , Katholieke Universiteit Leuven
发明人： Smets, Quentin , Verhulst, Anne S. , Rooyackers, Rita , Heyns, Marc
IPC分类号： H01L29/739
摘要： A Tunnel Field Effect Transistor device (TFET) made of at least following layers: a highly doped drain layer (6), a highly doped source layer (2), a channel layer (5), a gate dielectric layer (8) and a gate electrode layer (9), the gate dielectric layer (8) extending along the source layer (2), and a highly doped pocket layer (3) extending in between and along the gate dielectric layer (8) and the source layer (2), characterized in that the pocket layer (3) extends to between and along the source layer (2) and the channel layer (5).
摘要翻译：至少以下层构成的隧道场效应晶体管器件（TFET）：高掺杂漏极层（6），高掺杂源极层（2），沟道层（5），栅极介电层（8）和栅极电极层（9），沿着源极层（2）延伸的栅极介电层（8）和在栅极电介质层（8）和源极层（2）之间延伸的高度掺杂的杂质层（3）），其特征在于，所述袋层（3）在所述源层（2）和所述沟道层（5）之间延伸。

6. 发明公开

EP3016143A1 A method for forming a transistor structure comprising a fin-shaped channel structure 有权
标题翻译： Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur mit einerflossenförmigenKanalstruktur
公开(公告)号：EP3016143A1
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：EP14191340.0
申请日：2014-10-31
申请人： IMEC VZW
发明人： Collaert, Nadine , Eneman, Geert , Horiguchi, Naoto , Kim, Min-Soo , Rooyackers, Rita , Veloso, Anabela , Witters, Liesbeth
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/32 , H01L21/32055 , H01L29/0649 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/78696
摘要： A method for forming a transistor structure comprising a fin-shaped channel structure, comprising:
- providing a layer stack embedded laterally in STI structures;
- recessing the STI structures adjacent to the layer stack to thereby expose an upper portion of the layer stack, the upper portion comprising at least a channel portion;
- providing one or more protection layers on the upper portion of the layer stack;
- after providing one or more protection layers, further recessing the STI structures selectively to the protection layers and the layer stack, to thereby expose a central portion of the layer stack;
- removing the central portion of the layer stack, resulting in a freestanding upper part and a lower part of the layer stack being physically separated from each other;
wherein providing the layer stack comprises providing an etch stop layer at a position directly below the channel portion, such that the freestanding upper part of the layer stack comprises an etch stop layer at its lower surface after selectively removing the central portion.
摘要翻译：一种用于形成包括鳍状沟道结构的晶体管结构的方法，包括：提供在STI结构中横向嵌入的层堆叠; - 将STI结构凹陷到层堆叠附近，从而暴露层堆叠的上部，上部至少包括通道部分; - 在所述层堆叠的上部提供一个或多个保护层; - 在提供一个或多个保护层之后，进一步将STI结构选择性地凹入保护层和层堆叠，从而暴露层堆叠的中心部分; - 去除层堆叠的中心部分，导致层堆叠的独立上部和下部在物理上彼此分离; 其中提供层堆叠包括在通道部分正下方的位置处提供蚀刻停止层，使得层堆叠的独立上部在选择性地去除中心部分之后在其下表面处包含蚀刻停止层。

7. 发明公开

EP2993696A1 Heterosection tunnel field-effect transistor (TFET) 有权
标题翻译：异质晶体管（TFET）
公开(公告)号：EP2993696A1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP14183296.4
申请日：2014-09-02
申请人： IMEC VZW
发明人： Verhulst, Anne S. , Pourtois, Geoffrey , Rooyackers, Rita
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/739
摘要： A TFET device is disclosed comprising at least one heterosection between the source region and the channel region. The at least one heterosection has a low dielectric constant and thickness below 10nm. Additionally a pocket region and another heterosection may be added in between the at least one heterosection and the channel region.
摘要翻译：公开了一种TFET装置，其包括在源极区域和沟道区域之间的至少一个异源区域。所述至少一个杂交具有低介电常数和低于10nm的厚度。此外，可以在至少一个异源区域和通道区域之间加入口袋区域和另一杂交。

8. 发明授权

EP2993696B1 Heterosection tunnel field-effect transistor (TFET) 有权
公开(公告)号：EP2993696B1
公开(公告)日：2020-08-05
申请号：EP14183296.4
申请日：2014-09-02
申请人： IMEC VZW
发明人： Verhulst, Anne S. , Pourtois, Geoffrey , Rooyackers, Rita
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/205

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