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    • 2. 发明公开
    • OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENTARRAY MIT LICHTLEITERSTRUKTUR
    • 与光导结构光电子器件阵列
    • EP3054487A1
    • 2016-08-10
    • EP16153680.0
    • 2016-02-01
    • Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH
    • Schmid, MartinaAndrä, PatrickManley, PhillipLux-Steiner, Martha Christina
    • H01L31/0232H01L31/0352H01L31/0384
    • H01L31/02327H01L31/022466H01L31/035281H01L31/0384Y02E10/50
    • Ein derartiges Bauelementearray ist charakterisiert durch eine Lichtleiterstruktur zum Leiten von in das Bauelementearray einfallender elektromagnetischer Strahlung, die mindestens Mittel aufweist, die die Strahlung in laterale Wellenleitermoden koppelt, sowie durch Arrayelemente (4, 4.1, 4.2, 4.3), die benachbart zu den Mitteln, die die Strahlung in horizontale Wellenleitermoden koppeln, angeordnet sind, und jedes Arrayelement (4, 4.1, 4.2, 4.3) mindestens eine aktive Schicht zur Ausbildung eines optoelektronischen Bauelements aufweist, und die Arrayelemente laterale Abmessungen im Nano- bis Mikrometerbereich aufweisen sowie mindestens von wenigstens einem Matrixmaterial (5) ummantelt sind, und durch einen Betrag des Realteils des Brechungsindex der mindestens einen aktiven Schicht, der größer ist als der Betrag des Realteils des Brechungsindex des das jeweilige Arrayelement (4, 4.1, 4.2, 4.3) ummantelnden Matrixmaterials (5), wobei dieses Verhältnis der beiden Brechungsindizes in einem Abstand von der Lichtleiterstruktur bis mindestens der Abklinglänge der Felder der lateralen Wellenleitermoden gilt.
    • 这样的器件阵列的特征在于光导结构为入射电磁辐射的器件阵列,其中至少包括一个耦合辐射转换成横向波导模式,以及阵列元件(4,4.1,4.2,4.3)设置成邻近所述装置的装置在指导, 耦合所述辐射转换成水平波导模式被布置,并且每个阵列元件(4,4.1,4.2,4.3)至少包括有源层用于在纳米形成光电子器件,以及具有阵列元件的横向尺寸到微米范围和至少至少一个的 基质材料(5)的护套,和由所述至少一个有源层的折射率,其大于相应的数组元素的折射率的实部的幅度更大的实部的总和护套(4,4.1,4.2,4.3)的基体材料(5), 在折射的两个指数的该比率 从导光体结构的距离至少在横向波导模式的字段的衰减长度被考虑。