专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

EP1199915A2 Schaltungsstrukturen auf thermisch gespritzten Schichten 审中-公开
公开(公告)号：EP1199915A2
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：EP01124554.5
申请日：2001-10-13
申请人： Hella KG Hueck & Co.
发明人： Bolzenius, Rainer , Sellent, Manfred
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/44
CPC分类号： H05K1/053 , H05K3/467
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft verschiedene Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung auf einem Trägerkörper. Auf den Trägerkörper, etwa einen Metallkörper, wird eine erste, elektrisch isolierende Basisschicht durch thermisches Spritzen aufgebracht (220).
Danach wird in einem weiteren Schritt (230) eine zweite, beispielsweise elektrisch leitende Schicht auf die Basisschicht aufgebracht, die dann ihrerseits durch subtraktives Strukturieren (240) gemäß vorbestimmter Schaltstrukturen strukturiert wird. Dadurch, daß die angestrebte Schaltungsstruktur der zweiten Schicht aus dem Vollen abgetragen wird, kann je nach verwendeter Abtragungstechnik eine sehr hohe räumliche Auflösung dieser Strukturen erreicht werden. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß in Großserien fein strukturierte Schaltungen auf Trägerrohlingen wirtschaftlich erzeugbar sind, da kein nennenswerter Verschleiß an Masken stattfindet.
摘要翻译：该方法涉及具有根据电路到承载体上的具有确定的物理特性的第一基层的热注射成型（220），将第二层（230）施加到基底上并根据下述方式对第二层进行减法构造（280）预定义的电路结构。独立权利要求还包括以下内容：承载体，使用承载体和电路。

2. 发明公开

EP1199915A3 Schaltungsstrukturen auf thermisch gespritzten Schichten 审中-公开
标题翻译：在热喷涂涂层的电路结构
公开(公告)号：EP1199915A3
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：EP01124554.5
申请日：2001-10-13
申请人： Hella KG Hueck & Co.
发明人： Bolzenius, Rainer , Sellent, Manfred
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/44
CPC分类号： H05K1/053 , H05K3/467
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft verschiedene Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung auf einem Trägerkörper. Auf den Trägerkörper (10), etwa einen Metallkörper, wird eine erste, elektrisch isolierende Basisschicht (20) durch thermisches Spritzen aufgebracht. Danach wird in einem weiteren Schritt eine zweite, beispielsweise elektrisch leitende Schicht (30) auf die Basisschicht (20) aufgebracht, die dann ihrerseits durch subtraktives Strukturieren gemäß vorbestimmter Schaltstrukturen strukturiert wird. Dadurch, daß die angestrebte Schaltungsstruktur der zweiten Schicht (30) aus dem Vollen abgetragen wird, kann je nach verwendeter Abtragungstechnik eine sehr hohe räumliche Auflösung dieser Strukturen erreicht werden. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß in Großserien fein strukturierte Schaltungen auf Trägerrohlingen wirtschaftlich erzeugbar sind, da kein nennenswerter Verschleiß an Masken stattfindet.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式