专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

EP2161756B1 Thin film field-effect transistor and display using the same 有权转让
标题翻译：薄膜场效应晶体管，并且该显示用
公开(公告)号：EP2161756B1
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：EP09010930.7
申请日：2009-08-26
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Itai, Yuichiro
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78609 , H01L29/78621 , H01L29/78696

2. 发明授权

EP2105967B1 Thin film field effect transistor and display 有权转让
标题翻译：薄膜场效应晶体管和显示
公开(公告)号：EP2105967B1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：EP09003673.2
申请日：2009-03-13
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Itai, Yuichiro
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L29/78696

3. 发明公开

EP2161756A1 Thin film field-effect transistor and display using the same 有权转让
标题翻译： Dünnschicht-Feldeffekttransistor und diesen verwendende Anzeige
公开(公告)号：EP2161756A1
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：EP09010930.7
申请日：2009-08-26
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Itai, Yuichiro
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78609 , H01L29/78621 , H01L29/78696
摘要： The present invention provides a thin film field-effect transistor comprising a substrate having thereon at least a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source electrode, and a drain electrode, wherein the active layer is an oxide semiconductor layer, a resistance layer having an electric conductivity that is lower than an electric conductivity of the active layer is provided between the active layer and at least one of the source electrode or the drain electrode, and an intermediate layer comprising an oxide comprising an element having a stronger bonding force with respect to oxygen than that of the oxide semiconductor in the active layer is provided between the active layer and the resistance layer.
摘要翻译：本发明提供了一种薄膜场效应晶体管，其包括至少具有栅电极，栅极绝缘膜，有源层，源电极和漏电极的基板，其中有源层为氧化物半导体层，具有低于有源层电导率的电导率的电阻层设置在有源层与源电极或漏电极中的至少一个之间，以及包含氧化物的中间层，该氧化物包括具有较强的元素的氧化物在活性层和电阻层之间设置相对于氧的活性层中氧化物半导体的结合力。

4. 发明公开

EP2105967A1 Thin film field effect transistor and display 有权转让
标题翻译： Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Anzeige
公开(公告)号：EP2105967A1
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：EP09003673.2
申请日：2009-03-13
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Itai, Yuichiro
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要： A TFT is provided which includes, on a substrate, at least a gate electrode, a gate insulating layer, an active layer containing an amorphous oxide semiconductor, a source electrode and a drain electrode, wherein a resistance layer containing an amorphous oxide and having a thickness of more than 3 nm is disposed between the active layer and at least one of the source electrode or the drain electrode, and a band gap of the active layer is smaller than a band gap of the resistance layer. Also, a display using the TFT is provided.
摘要翻译：提供一种TFT，其在基板上至少包括栅极电极，栅极绝缘层，含有非晶氧化物半导体的有源层，源电极和漏电极，其中，含有非晶形氧化物的电阻层具有有源层与源电极或漏电极中的至少一个之间设置大于3nm的厚度，有源层的带隙小于电阻层的带隙。此外，提供使用TFT的显示器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式