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1. 发明公开

EP2386623A1 Cleaning composition, method for producing semiconductor device, and cleaning method 有权
标题翻译：清洁组合物，制造半导体器件和清洁方法的方法
公开(公告)号：EP2386623A1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：EP11166033.8
申请日：2011-05-13
申请人： Fujifilm Corporation
发明人： Inaba, Tadashi , Takahashi, Kazutaka , Takahashi, Tomonori , Mizutani, Atsushi
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
摘要： Provided are a cleaning composition which is capable of inhibiting the metal of a semiconductor substrate from corrosion, and has an excellent removability of plasma etching residues and/or ashing residues on the semiconductor substrate, a method for producing a semiconductor device, and a cleaning method using the cleaning composition. The cleaning composition for removing plasma etching residues and/or ashing residues formed on a semiconductor substrate, and a preparation method and a cleaning method for a semiconductor device, using the cleaning composition, wherein the cleaning composition includes (Component a) water; (Component b) an amine compound; (Component c) hydroxylamine and/or a salt thereof; (Component d) a quaternary ammonium compound; (Component e) an organic acid; and (Component f) a water-soluble organic solvent; and has a pH of 6 to 9.
摘要翻译：本发明提供一种清洗组合物，所有这些都能够抑制从腐蚀的半导体基片的金属，并具有等离子蚀刻残渣及/或灰化残留物在半导体基板的优异的可除去性，用于制造半导体器件的方法，以及清洁方法使用清洁组合物。使用所述清洗组合物用于除去等离子蚀刻残渣及/或灰化形成在半导体衬底残余物的清洗组合物，及其制备方法和用于半导体器件的清洗方法，所述清洗组合物包括worin（成分a）水; （成分b）的胺化合物; （C成分）羟胺和/或其盐; （D成分）的季铵化合物; 有机酸（E成分）; 和（F成分）的水溶性有机溶剂; 并具有pH为6至9日

2. 发明授权

EP1543983B1 Ink-jet recording medium and process for producing the same 有权转让
标题翻译：喷墨记录介质以及它们的制造方法
公开(公告)号：EP1543983B1
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：EP04030024.6
申请日：2004-12-17
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Nagata, Kozo , Matsushita, Tetsunori , Inaba, Tadashi
IPC分类号： B41M5/00
CPC分类号： B41M5/5245

3. 发明授权

EP2386623B1 Cleaning composition, method for producing semiconductor device, and cleaning method 有权
标题翻译：清洁组合物，制造半导体器件和清洁方法的方法
公开(公告)号：EP2386623B1
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：EP11166033.8
申请日：2011-05-13
申请人： Fujifilm Corporation
发明人： Inaba, Tadashi , Takahashi, Kazutaka , Takahashi, Tomonori , Mizutani, Atsushi
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004

4. 发明授权

EP1308776B1 Photothermographic material and method of thermal development of the same 有权
标题翻译：光热成像材料和工艺的这种热开发
公开(公告)号：EP1308776B1
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：EP02024554.4
申请日：2002-11-04
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Oka, Yutaka , Ohzeki, Tomoyuki , Yamane, Katsutoshi , Yamamoto, Seiichi , Yamada, Sumito , Mifune, Hiroyuki , Inaba, Tadashi , Watanabe, Katsuyuki , Yamada, Kohzaburoh
IPC分类号： G03C1/498 , G03C7/305
CPC分类号： G03C1/49809 , G03C1/08 , G03C1/09 , G03C1/10 , G03C1/49818 , G03C1/49845 , G03C1/49881 , G03C7/30511 , G03C2001/03558 , G03C2001/091 , G03C2200/24 , G03C2200/39
摘要： Disclosed are photothermographic materials having, on a support, a layer that contains at least a photosensitive silver halide, a non-photosensitive organic silver salt, a reducing agent and a binder, in which the mean silver iodide content of the photosensitive silver halide falls between 5 and 100 mol%, preferably between 40 and 100 mol%.

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