专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

EP4069630A1 PROCEDE DE DEPOT LOCALISE D'UN MATERIAU SUR UN ELEMENT METALLIQUE 审中-公开
公开(公告)号：EP4069630A1
公开(公告)日：2022-10-12
申请号：EP20828659.1
申请日：2020-11-30
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： FRANIATTE, Rémi , CHARBONNIER, Jean , DAVID, Nadine
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/60 , H01L23/00

2. 发明公开

EP3502045A1 PROCEDE D EXPOSITION D'UNE REGION SUR UNE FACE D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE 有权
公开(公告)号：EP3502045A1
公开(公告)日：2019-06-26
申请号：EP18214893.2
申请日：2018-12-20
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： CHARBONNIER, Jean , PORNIN, Jean-Louis , CASTANY, Olivier
IPC分类号： B81C1/00 , G02B6/42
摘要： L'invention concerne un procédé d'exposition d'au moins une région d'une face, dite face avant, d'un dispositif électronique, le procédé comprenant les étapes suivantes :
a) une étape de collage d'un capot (600) sur la face avant, le collage étant exécuté de sorte que le capot (600) forme avec la région une cavité (650) fermée, avantageusement hermétiquement fermée ;
b) la formation d'une couche d'encapsulation (700), d'une épaisseur E1, en recouvrement de la face avant et du capot (600) ;
c) une étape d'amincissement de la couche d'encapsulation (700), l'étape d'amincissement comprenant le retrait d'une épaisseur de retrait E2, inférieure à l'épaisseur E1, de la couche d'encapsulation (700), l'épaisseur de retrait E2 étant adaptée pour qu'une ouverture soit formée dans le capot (600).

3. 发明公开

EP4188061A1 STRUCTURE D'INTÉGRATION DESTINÉE À CONNECTER UNE PLURALITÉ DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉS, ASSEMBLAGE ET SYSTÈME ASSOCIÉS 审中-实审
公开(公告)号：EP4188061A1
公开(公告)日：2023-05-31
申请号：EP22209799.0
申请日：2022-11-28
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： CHARBONNIER, Jean , DESCHASEAUX, Edouard , THOMAS, Candice
IPC分类号： H10N60/80 , H10N60/01 , H10N69/00 , G06N10/00
摘要： Un aspect de l'invention concerne une structure d'intégration destinée à connecter une pluralité de dispositifs semi-conducteurs, la structure d'intégration comprenant un substrat, une première face et une deuxième face destinées à recevoir les dispositifs semi-conducteurs, la structure d'intégration comprenant, au niveau de la première surface (S1), au moins un niveau de routage, le ou les niveaux de routage comprenant : au moins une piste de routage conductrice non supraconductrice dans un matériau conducteur ; et au moins une piste de routage supraconductrice dans un matériau supraconducteur ; la structure d'intégration comprenant, au niveau de la deuxième face, au moins un niveau de routage, le ou les niveaux de routage comprenant : au moins une piste de routage conductrice non supraconductrice dans un matériau conducteur ; et au moins une piste de routage supraconductrice dans un matériau supraconducteur ; la structure d'intégration comprenant au moins un via conducteur non supraconducteur reliant une piste de routage conductrice non supraconductrice de la première face à une piste conductrice non supraconductrice de la seconde face et/ou au moins un via supraconducteur reliant une piste de routage supraconductrice de la première face à une piste supraconductrice de la seconde face.

4. 发明公开

EP3425657A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE INTERFACE DESTINEE A ASSEMBLER TEMPORAIREMENT UN SUPPORT MICROELECTRONIQUE ET UNE POIGNEE DE MANIPULATION, ET INTERFACE D'ASSEMBLAGE TEMPORAIRE 审中-实审
公开(公告)号：EP3425657A1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：EP18180674.6
申请日：2018-06-29
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： CHARBONNIER, Jean , GAILLARD, Frédéric-Xavier
IPC分类号： H01L21/20 , H01L23/00 , H01L27/12
摘要： Procédé de réalisation d'une interface d'assemblage temporaire d'un support microélectronique et d'une poignée, comportant au moins :
- la formation d'une première couche comportant au moins un matériau apte à libérer au moins une espèce chimique sous l'action d'un traitement physico-chimique,
- la formation d'une deuxième couche comportant au moins un matériau apte à recevoir le au moins une espèce chimique de sorte à provoquer sa fragilisation,
- la fragilisation de l'interface par application d'un traitement thermique, telle que la au moins une espèce est libérée de la première couche et réagit avec tout ou partie du matériau de la deuxième couche.

5. 发明公开

EP4379797A1 DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE 审中-实审
公开(公告)号：EP4379797A1
公开(公告)日：2024-06-05
申请号：EP23212234.1
申请日：2023-11-27
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： BOURJOT, Emilie , LAVIRON, Cyrille , CHARBONNIER, Jean , LAMY, Yann
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/498 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L28/90 , H01L23/49822 , H01L23/49827
摘要： La présente description concerne un interposeur (12) comprenant des condensateurs (32) ayant une densité supérieure à 700 nF/mm^2, avantageusement supérieure à 1 µF/mm^2, l'interposeur étant adapté à être fixé à une puce (14) par collage hybride.

6. 发明公开

EP4199109A1 GRILLE ARRIERE POUR DISPOSITIF QUANTIQUE 审中-实审
公开(公告)号：EP4199109A1
公开(公告)日：2023-06-21
申请号：EP22211736.8
申请日：2022-12-06
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： CHARBONNIER, Jean , ASSOUS, Myriam , BEDECARRATS, Thomas , RAMBAL, Nils , VINET, Maud
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/06 , H01L21/78 , B82Y10/00
摘要： Réalisation d'un dispositif quantique à Qbits de spin comprenant un substrat de type semi-conducteur sur isolant, le substrat étant doté d'une couche semi-conductrice superficielle (12), la couche semi-conductrice superficielle étant disposée sur une couche isolante (11), la couche isolante étant agencée sur une face supérieure d'une couche de support semi-conductrice (10). Le dispositif est muni d'au moins un composant formé d'un ou plusieurs ilots quantiques s'étendant dans la couche semi-conductrice superficielle (12), les ilots quantiques sont induits par des électrodes de grilles (20A, 20B), dites avants, contrôlant l' électrostatique des ilots quantiques et étant disposées sur la couche semi-conductrice superficielle. En plus le composant est doté en outre d'une grille de contrôle électrostatique arrière, ladite grille de contrôle arrière étant formée d'une couche conductrice (119) tapissant des parois latérales et un fond d'une ouverture (517) traversant ladite couche de support semi-conductrice depuis une face inférieure de ladite couche de support opposée à ladite face supérieure jusqu'à ladite couche isolante (11) du substrat, ladite couche conductrice (119) étant disposée, au fond de l'ouverture (517), contre et avantageusement en contact avec ladite couche isolante du substrat, ladite couche conductrice (119) étant disposée contre et en contact avec ladite couche de support semi-conductrice au niveau desdites parois latérales de ladite ouverture. L'ouverture (517) dans laquelle la grille arrière est formée est gravée de manière concomitante avec des tranchées de découpage (111).

7. 发明公开

EP4057039A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UN INTERPOSEUR PHOTONIQUE ACTIF AUQUEL SONT CONNECTÉES UNE PUCE MICROÉLECTRONIQUE ET UNE PUCE DE CONVERSION ÉLECTRO-OPTIQUE 有权
公开(公告)号：EP4057039A1
公开(公告)日：2022-09-14
申请号：EP22161009.0
申请日：2022-03-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： CHARBONNIER, Jean , BERNABE, Stéphane , THONNART, Yvain
IPC分类号： G02B6/42
摘要： L'invention porte sur un dispositif optoélectronique 1 comportant :
∘ un interposeur photonique 10 comportant :
• un circuit photonique 14.1 contenant au moins un composant optique actif 14.2,
• une couche supérieure d'interconnexion 11, comportant au moins une portion supérieure de commande 11.2,
• une couche inférieure d'interconnexion 17, comportant au moins une portion inférieure de commande 17.2, et des portions inférieures intermédiaires 17.3,
• au moins un TSV 18.1 connectant directement la portion supérieure de commande 11.2 à la portion inférieure de commande 17.2,
• des vias conducteurs 15.1 connectant les portions inférieures intermédiaires 17.3 au composant optique actif 14.2 ;

∘ au moins une première puce microélectronique 20, assemblée à la face supérieure 10a de l'interposeur photonique ;
∘ une deuxième puce microélectronique 30, assemblée à la face inférieure 10b de l'interposeur photonique, et connectée à la portion inférieure de commande 17.2 et aux portions inférieures intermédiaires 17.3.

8. 发明公开

EP4033540A1 DISPOSITIF COMPRENANT DES GRILLES DE COMMANDE ÉLECTROSTATIQUE REPARTIES SUR DEUX FACES OPPOSÉES D'UNE PORTION DE SEMICONDUCTEUR 审中-公开
公开(公告)号：EP4033540A1
公开(公告)日：2022-07-27
申请号：EP22151813.7
申请日：2022-01-17
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： BEDECARRATS, Thomas , CHARBONNIER, Jean , VINET, Maud , JACQUINOT, Hélène , NIQUET, Yann-Michel , THOMAS, Candice
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L29/76 , B82Y10/00 , H01L29/786
摘要： Dispositif quantique (100) à qubit de spin, comportant :
- une portion semi-conductrice (102) comprenant une première région (104) disposée entre deux deuxièmes régions (106) ;
- une première grille de commande (107) disposée en contact direct avec la première région et configurée pour contrôler un niveau minimum d'énergie potentielle dans la première région, et disposée en contact direct avec une première face (112) de la portion semi-conductrice ;
- des deuxièmes grilles de commande électrostatique (109), chacune disposée en contact direct avec l'une des deuxièmes régions et configurée pour contrôler un niveau maximum d'énergie potentielle dans l'une des deuxièmes régions, et disposée en contact direct avec une deuxième face (118), opposée à la première face, de la portion semi-conductrice,
et dans lequel la première grille n'est pas alignée avec les deuxièmes grilles.

9. 发明公开

EP3086368A3 PUCE ELECTRONIQUE COMPORTANT UNE FACE ARRIERE PROTEGEE 有权
标题翻译：电子芯片具有被保护的靠背包括
公开(公告)号：EP3086368A3
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：EP16165837.2
申请日：2016-04-18
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： CHARBONNIER, Jean , BOREL, Stéphan
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L23/573 , H01L23/576
摘要： Puce électronique (100) comportant au moins :
- un circuit électronique (106) disposé au niveau d'une face avant (104) d'un substrat (102) ;
- une première couche de protection (120) disposée sur une face arrière (117) du substrat ;
- un élément résistif (122) disposé sur la première couche de protection et en regard d'au moins une partie (110) du circuit électronique, supporté mécaniquement par la première couche de protection et relié électriquement et/ou de manière inductive au circuit électronique ;
- une deuxième couche de protection (126) recouvrant au moins l'élément résistif;
et dans laquelle la première couche de protection comporte au moins un matériau diélectrique présentant une résistance à une gravure chimique par au moins un agent de gravure chimique inférieure ou égale à celle d'un matériau diélectrique de la deuxième couche de protection.

10. 发明公开

EP3086368A2 PUCE ELECTRONIQUE COMPORTANT UNE FACE ARRIERE PROTEGEE 有权
标题翻译：电子芯片具有被保护的靠背包括
公开(公告)号：EP3086368A2
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：EP16165837.2
申请日：2016-04-18
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： CHARBONNIER, Jean , BOREL, Stéphan
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L23/573 , H01L23/576
摘要： Puce électronique (100) comportant au moins :
- un circuit électronique (106) disposé au niveau d'une face avant (104) d'un substrat (102) ;
- une première couche de protection (120) disposée sur une face arrière (117) du substrat ;
- un élément résistif (122) disposé sur la première couche de protection et en regard d'au moins une partie (110) du circuit électronique, supporté mécaniquement par la première couche de protection et relié électriquement et/ou de manière inductive au circuit électronique ;
- une deuxième couche de protection (126) recouvrant au moins l'élément résistif;
et dans laquelle la première couche de protection comporte au moins un matériau diélectrique présentant une résistance à une gravure chimique par au moins un agent de gravure chimique inférieure ou égale à celle d'un matériau diélectrique de la deuxième couche de protection.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式