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1. 发明公开

EP1950611A1 Procédé de dépôt d'une couche polymère sur une face d'un support, comportant au moins une zone en creux 有权
标题翻译：包括至少一个凹区中的背衬的表面上施加聚合物层的方法
公开(公告)号：EP1950611A1
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：EP08354001.3
申请日：2008-01-16
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Puget, Christiane , Henry, David
IPC分类号： G03F7/16
CPC分类号： G03F7/162
摘要： Une couche polymère (3) est déposée sur une face (5) d'un support (4), ladite face (5) comportant une partie principale plane (5a) et au moins une zone en creux (5b) par rapport à la partie principale plane (5a). La couche polymère (3) est réalisée par au moins les étapes successives suivantes :
- dépôt d'une quantité prédéterminée d'un mélange liquide au moins le polymère ou au moins un précurseur dudit polymère sur la partie principale plane (5a) de la face (5) du support (4),
- introduction d'au moins une partie du mélange liquide dans la zone en creux (5b) par déplacement d'un cylindre posé sur la partie principale plane (5a) de la face (5)
- dépôt d'une quantité supplémentaire de mélange liquide sur la partie principale plane (5a) de la face (5)
- et mise en rotation du support (4) selon un axe perpendiculaire au plan de la face (5).
摘要翻译：该方法包括在载体上的（4），其中所述液体混合物具有聚合物或聚合物前体的一个表面（5）的主平面部（5a）沉积的液体混合物的预定量。所述液体混合物的一部分在表面的中空区域（图5B）通过移动安装在表面的主平面部分的气缸中引入。所述液体混合物的附加量被沉积在所述表面的主面的一部分。该支撑件沿着轴线旋转垂直于该表面的平面。

2. 发明公开

EP2050713A1 Procédé de réalisation d'une cavité ayant un cordon de scellement ajouré et structure obtenue 有权转让
标题翻译： Verfahren zur Herstellung eines Hohlraums mit einem Dichtwulst
公开(公告)号：EP2050713A1
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：EP08354068.2
申请日：2008-10-07
申请人： Commissariat A L'Energie Atomique - CEA
发明人： Baillin, Xavier , Brun, Jean , Enot, Thierry , Henry, David
IPC分类号： B81C1/00 , H01L23/10
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B2203/0315 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , Y10T29/49002 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49146 , Y10T29/49171 , Y10T29/49181 , Y10T29/49218 , H01L2924/00
摘要： La structure comporte des substrats en regard collés l'un à l'autre par écrasement d'un cordon de scellement (3) périphérique fermé, délimitant, entre les substrats, une cavité fermée dans laquelle est disposé un microsystème. Le cordon de scellement (3) comporte, avant écrasement, des motifs ajourés (5) délimitant, à l'intérieur du cordon (3), une pluralité de zones vides (6).
摘要翻译：该方法包括在破碎条带之前，将邻接的穿孔图案（5）与闭合的外围密封条（3）结合在一起，其中图案限定条带内的空隙区域即孔（6），并由条形成。带材由光致抗蚀剂制成，并被压碎以粘合两个面对的基材，例如硅衬底相对于彼此，其中条带限定了衬底之间的封闭空腔。带材的空隙区域的表面与带材的整个表面的比例在平行于基材的平面中在10至50％的范围内。还包括用于包括具有连续穿孔图案的封闭外围密封条的结构的独立权利要求。

3. 发明公开

EP0751556A1 Procédé de réalisation d'un substrat d'interconnexion permettant de connecter une puce sur un substrat de réception 失效
标题翻译： Herstellungsverfahren eines Verdrahtungssubstrates zur Verbindung eines Chips zu einemTräger
公开(公告)号：EP0751556A1
公开(公告)日：1997-01-02
申请号：EP96401425.2
申请日：1996-06-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Caillat, Patrice , Henry, David
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/4857 , H01L2221/68345 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/15174 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/00
摘要： Le procédé comporte les étapes suivantes : formation sur un substrat (100) initial, d'une couche de matériau fusible (102) formation d'une première couche de matériau diélectrique (104) et gravure de cette couche (104) pour y pratiquer des ouvertures (106) ; formation de pavés de métal (108) dans les ouvertures (106) ; dépôt d'une couche de métal (110) recouvrant les pavés ;gravure de la couche de métal (110) pour former des pistes conductrices (112) ; formation d'une couche de matériau diélectrique (114) recouvrant les pistes conductrices et gravure de cette couche (114) pour y former des ouvertures ; formation de pavés de métal (118) dans ces ouvertures ; séparation du substrat d'interconnexion d'avec le substrat initial.
摘要翻译：为了开发互连衬底，将至少一个微芯片连接在接收衬底上，将一层可熔材料（102）铺设在衬底（100）上。蚀刻电介质材料的初始层（104）以允许开口（106）与互连衬底的出口端匹配。金属垫（108）形成在开口（106）中，以使出口端子被金属层（110）覆盖。金属层（110）被蚀刻以至少部分地在金属层（110）的下面形成与电介质材料（104）中的开口（106）重叠的导电路径（112）。电介质材料层（114）在导电路径之上，被蚀刻以至少部分地在导电路径（112）上方形成开口，以填充金属焊盘。互连基板通过加热，在温度下分离。等于或大于熔融温度。的可熔层（102）。介电材料是预制的。的聚酰亚胺。

4. 发明授权

EP0751556B1 Procédé de réalisation d'un substrat d'interconnexion permettant de connecter une puce sur un substrat de réception 失效
标题翻译：制造布线基板的方法为在载体的芯片的连接
公开(公告)号：EP0751556B1
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：EP96401425.2
申请日：1996-06-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Caillat, Patrice , Henry, David
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/4857 , H01L2221/68345 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/15174 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/00

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