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1. 发明授权

EP3184673B1 PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE D'UN FOUR DE RECUIT UTILISÉ POUR FORMER DES DONNEURS THERMIQUES 有权
公开(公告)号：EP3184673B1
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：EP16204250.1
申请日：2016-12-15
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DUBOIS, Sébastien , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： C30B33/02

2. 发明授权

EP2896076B1 DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE RESTAURATION DES CELLULES SOLAIRES À BASE DE SILICIUM AVEC TRANSDUCTEUR ULTRASON 有权
标题翻译：装置和方法用于回收光伏与硅基太阳能电池的使用超声波换能器
公开(公告)号：EP2896076B1
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：EP13774465.2
申请日：2013-09-16
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas , GARANDET, Jean-Paul , GIDON, Pierre , TANAY, Florent , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/182 , H01L31/186 , H02S99/00 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T29/41

3. 发明公开

EP2737305A1 DÉTERMINATION DES TENEURS EN DOPANTS DANS UN ÉCHANTILLION DE SILICIUM COMPENSÉ 有权
标题翻译：测定补偿的DOTIERSTOFFGEHALTS硅探头的
公开(公告)号：EP2737305A1
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：EP12748738.7
申请日：2012-07-20
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： G01N27/04 , C30B29/06
CPC分类号： G01N27/041 , C30B29/06 , C30B33/00
摘要： The method of determining concentrations of dopant impurities in a silicon sample involves the provision of a silicon ingot comprising donor-type dopant impurities and acceptor-type dopant impurities, a step (F1) for determining the position of a first zone of the ingot in which there takes place a transition between a first conductivity type and a second opposite conductivity type, a step (F2) for measuring the concentration of free charge carriers in a second zone of the ingot, separate from the first zone, using the Hall effect, Fourier transform infrared spectroscopy or a method using the lifetime of the charge carriers, and a step (F3) for determining the concentrations of dopant impurities in the sample based on the position of the first zone and the concentration of free charge carriers in the second zone of the ingot.

4. 发明公开

EP2697632A1 PROCEDE DE DETERMINATION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE INTERSTITIEL 有权
标题翻译：方法确定间隙氧浓度
公开(公告)号：EP2697632A1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：EP12719994.1
申请日：2012-04-13
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： VEIRMAN, Jordi , DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas
IPC分类号： G01N25/00 , G01N27/04 , H01L21/66
CPC分类号： G01N27/041 , G01J3/42 , G01N27/125 , H01L21/3225 , H01L22/12
摘要： The invention relates to a method for determining the interstitial oxygen concentration of a sample made of a p-doped semiconductor material, which includes a step of thermal treatment (F1) of the sample in order to form thermal donors, determining (F1) the thermal treatment time (t) required to obtain a compensated semiconductor material, determining (F2) the concentration of thermal donors (N
DDT ) in the sample made of compensated semiconductor material, from the concentration of charge carriers (p
o ), and determining (F3) the oxygen concentration (C
o ) from the concentration of thermal donors (N
DDT ) and the thermal treatment time (t).

5. 发明公开

EP2612136A1 PROCEDE DE CARTOGRAPHIE DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE 有权
标题翻译：方法映射氧气浓度
公开(公告)号：EP2612136A1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：EP11758493.8
申请日：2011-08-30
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： VEIRMAN, Jordi , DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas
IPC分类号： G01N27/04
CPC分类号： G01N27/041 , G06F17/11
摘要： The invention relates to a method for determining the oxygen concentration of a sample of a semi-conductor material, said method comprising a step of heat-treating (F1) the sample in order to form thermal donors, the measurement (F2) of the resistivity in one area of the sample, the determination (F3) of the concentration of thermal donors from a relation expressing the mobility of the charge carriers according to a concentration of ionised doping impurities, by adding to the concentration of doping impurities four times the thermal donor concentration, and of the measured resistivity value. The method also comprises the determination (F4) of the oxygen concentration from the thermal donor concentration.

6. 发明公开

EP4022687A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE JONCTION TUNNEL D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 有权
公开(公告)号：EP4022687A1
公开(公告)日：2022-07-06
申请号：EP20807828.7
申请日：2020-10-27
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： BELLANGER, Pierre , DUBOIS, Sébastien , SERON, Charles
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/078 , H01L31/068

7. 发明公开

EP3390699A1 PROCÉDÉ POUR AJUSTER LA RÉSISTIVITÉ D'UN LINGOT SEMI-CONDUCTEUR LORS DE SA FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：EP3390699A1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：EP16819040.3
申请日：2016-12-14
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： VEIRMAN, Jordi , ALBARIC, Mickaël , DUBOIS, Sébastien , STADLER, Jacky , TOMASSINI, Mathieu
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206
摘要： The invention relates to a method for manufacturing ingots made of a semi-conductive material, including the following steps: crystallising under specific draft conditions a first ingot, referred to as the reference ingot, from a first molten load containing oxygen; measuring the interstitial oxygen concentration in various regions distributed along the reference ingot; measuring, in the various regions of the reference ingot, the concentration of thermal donors formed during the crystallisation of the reference ingot; determining the actual durations of an annealing process for forming the thermal donors, undergone by the various regions of the reference ingot during the crystallisation thereof, from the measurements of the interstitial oxygen concentration and the concentration of thermal donors; calculating the thermal donor concentration values to be obtained so that a second ingot has, after crystallisation, an axial electric resistivity according to a target profile; determining an axial profile of interstitial oxygen concentration corresponding to the target axial resistivity profile, from the thermal donor concentration values and the actual durations of the annealing process for forming the thermal donors; crystallising under said specific draft conditions the second ingot from a second molten load containing oxygen, the oxygen concentration of the second molten load being adjusted throughout the crystallisation so as to obtain, in the second ingot, the axial profile of interstitial oxygen concentration.

8. 发明授权

EP3237895B1 PROCEDE DE DETERMINATION D'UNE CONTAMINATION INTRODUITE DANS UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR 有权
公开(公告)号：EP3237895B1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：EP15823682.8
申请日：2015-12-18
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： MARTEL, Benoît , DUBOIS, Sébastien , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： G01N27/04 , G01N27/14 , H01L21/66
CPC分类号： G01N27/041 , G01N27/14 , H01L22/14

9. 发明授权

EP2697632B1 PROCEDE DE DETERMINATION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE INTERSTITIEL 有权
标题翻译：确定间隙氧浓度的方法
公开(公告)号：EP2697632B1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：EP12719994.1
申请日：2012-04-13
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： VEIRMAN, Jordi , DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas
IPC分类号： G01N25/00 , G01N27/04 , H01L21/66
CPC分类号： G01N27/041 , G01J3/42 , G01N27/125 , H01L21/3225 , H01L22/12

10. 发明公开

EP3184673A1 PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE D'UN FOUR DE RECUIT UTILISÉ POUR FORMER DES DONNEURS THERMIQUES 审中-公开
标题翻译：用于校准用于形成热施主的夜间烤箱的方法
公开(公告)号：EP3184673A1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：EP16204250.1
申请日：2016-12-15
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DUBOIS, Sébastien , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： C30B33/02
CPC分类号： F27D19/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , F27D11/02 , F27D2019/0003
摘要： L'invention concerne un procédé d'étalonnage d'un four permettant de soumettre un échantillon de matériau semi-conducteur à un premier recuit de formation des donneurs thermiques, le premier recuit comprenant successivement une montée (P1) en température du four, un premier palier (P2) à une température de consigne (T C ) et une descente (P3) en température du four. Ce procédé d'étalonnage comprend les étapes suivantes :
a) prévoir une pièce étalon constituée du matériau semi-conducteur ;
b) déterminer la concentration en oxygène interstitiel de la pièce étalon ;
c) soumettre la pièce étalon à un deuxième recuit de formation des donneurs thermiques dans le four, le deuxième recuit comprenant des montée et descente en température du four identiques à celles du premier recuit et un deuxième palier à la température de consigne (T C ) pendant une durée de consigne ;
d) déterminer la concentration en donneurs thermiques formés dans la pièce étalon lors du deuxième recuit ;
e) déterminer une durée équivalente de recuit à la température de consigne (T C ), correspondant au moins auxdites montée et descente en température du four, à partir de la concentration en oxygène interstitiel, de la concentration en donneurs thermiques de la pièce étalon et de la durée de consigne.
摘要翻译：本发明涉及一种校准用于使半导体材料样品经历第一次退火以形成热施主的炉子的方法，第一次退火依次包括炉子温度上升（P1），第一次退火在设定温度（TC）下承载（P2）和在烤箱温度下降（P3）。该校准方法包括以下步骤：a）提供由半导体材料制成的标准部件; b）确定标准部件的间隙氧浓度; c）使在炉第二训练退火热施主的参考部分，第二退火包括在炉等同于所述第一退火和在第二轴承到目标温度（TC）的温度上升和下降的设定的持续时间; d）确定在第二退火期间在标准部件中形成的热施主的浓度; e）确定退火到目标温度（TC）的等效持续时间，到所述至少对应上升和烘箱温度下降从间隙氧浓度，基准部的热施主浓度和设定的时间。

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