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1. 发明公开

EP0484809A3 Verfahren zur Schichtherstellung mittels Abscheidung, insbesondere aus Laser- oder Pseudofunken-Ablation 失效
标题翻译：通过沉积获得涂层的方法，特别是通过激光或PSEUDO-SPARK ABLATION
公开(公告)号：EP0484809A3
公开(公告)日：1992-08-05
申请号：EP91118473.7
申请日：1991-10-30
申请人： Battelle-Institut e.V.
发明人： Stafast, Herbert, Dr. , Reiland, Werner, Dr. , Diegel, Marco , Von der Burg, Erik , Grill, Wolfgang, Prof. Dr.
IPC分类号： C23C14/28 , H01L39/24
CPC分类号： C23C14/32 , C23C14/0021 , C23C14/28
摘要： Um das Schichtwachstum bei gepulsten Abscheidungsverfahren, insbesondere durch gepulste Laser- oder Pseudofunken-Ablation zu verbessern, werden Gaspulse (8) in Form von Überschallmolekülstrahlen (bzw. -Atomstrahlen) einer Länge von 1µ bis 10 ms auf das Substrat (5), bzw. die Filmoberfläche gegeben. Die Gaspulse werden mit den Ablationspulsen (2) zeitlich so koordiniert, daß z.B. ein Gaspuls kurz nach den ablatierten Teilchen das Substrat erreicht. Aufgrund der gepulsten Gaszufuhr kann der Druck am Substrat kurzzeitig bedeutend höher als der maximal mögliche stationäre Hintergrunddruck sein, wodurch im Falle von Reaktivgas dessen Einbau deutlich verbessert wird. Zudem kann der stationäre Hintergrunddruck beim erfindungsgemäßen Verfahren viel kleiner sein als bei einer stationären Gaszufuhr, wodurch großflächige Substrate beschichtet werden können. Bei vielen Systemen läßt sich mit der Erfindung die Substrattemperatur deutlich absenken, wenn das Reaktivgas in aktivierter Form (als Ionen und/oder Radikale) pulsartig auf das Substrat geblasen wird.
摘要翻译：为了改善脉冲沉积过程中的涂层生长，特别是通过脉冲激光或伪火花消融，将气体脉冲（8）以超音速分子束（或原子束）的形式施加到衬底（5）或膜表面，持续时间为1微秒至10毫秒。气体脉冲在时间上与消融脉冲（2）协调，使得例如气体脉冲在消融的颗粒之后不久就到达衬底。作为脉冲气体供应的结果，基板的压力可能在短时间内显着地高于最大可能的稳态背景压力，从而在反应性气体的情况下明显改善其结合。此外，在根据本发明的方法的情况下，稳态背景压力可以低于稳态气体供应，因此可以涂覆大面积的基板。在许多系统中，如果反应气体的脉冲以活性形式（作为离子和/或自由基）吹到基底上，本发明可以明显降低衬底温度。

2. 发明公开

EP0484809A2 Verfahren zur Schichtherstellung mittels Abscheidung, insbesondere aus Laser- oder Pseudofunken-Ablation 失效
标题翻译： Verfahren zur Schichtherstellung mittels Abscheidung，insbesondere aus Laser-oder Pseudofunken-Ablation。
公开(公告)号：EP0484809A2
公开(公告)日：1992-05-13
申请号：EP91118473.7
申请日：1991-10-30
申请人： Battelle-Institut e.V.
发明人： Stafast, Herbert, Dr. , Reiland, Werner, Dr. , Diegel, Marco , Von der Burg, Erik , Grill, Wolfgang, Prof. Dr.
IPC分类号： C23C14/28 , H01L39/24
CPC分类号： C23C14/32 , C23C14/0021 , C23C14/28
摘要： Um das Schichtwachstum bei gepulsten Abscheidungsverfahren, insbesondere durch gepulste Laser- oder Pseudofunken-Ablation zu verbessern, werden Gaspulse (8) in Form von Überschallmolekülstrahlen (bzw. -Atomstrahlen) einer Länge von 1µ bis 10 ms auf das Substrat (5), bzw. die Filmoberfläche gegeben. Die Gaspulse werden mit den Ablationspulsen (2) zeitlich so koordiniert, daß z.B. ein Gaspuls kurz nach den ablatierten Teilchen das Substrat erreicht. Aufgrund der gepulsten Gaszufuhr kann der Druck am Substrat kurzzeitig bedeutend höher als der maximal mögliche stationäre Hintergrunddruck sein, wodurch im Falle von Reaktivgas dessen Einbau deutlich verbessert wird. Zudem kann der stationäre Hintergrunddruck beim erfindungsgemäßen Verfahren viel kleiner sein als bei einer stationären Gaszufuhr, wodurch großflächige Substrate beschichtet werden können. Bei vielen Systemen läßt sich mit der Erfindung die Substrattemperatur deutlich absenken, wenn das Reaktivgas in aktivierter Form (als Ionen und/oder Radikale) pulsartig auf das Substrat geblasen wird.
摘要翻译：为了改善脉冲沉积过程中的涂层生长，特别是通过脉冲激光或伪火花消融，将气体脉冲（8）以超音速分子束（或原子束）的形式施加到衬底（5）或膜表面，持续时间为1微秒至10毫秒。气体脉冲在时间上与消融脉冲（2）协调，使得例如气体脉冲在消融的颗粒之后不久就到达衬底。作为脉冲气体供应的结果，基板的压力可能在短时间内显着地高于最大可能的稳态背景压力，从而在反应性气体的情况下明显改善其结合。此外，在根据本发明的方法的情况下，稳态背景压力可以低于稳态气体供应，因此可以涂覆大面积的基板。在许多系统中，如果反应气体的脉冲以活性形式（作为离子和/或自由基）吹到基底上，本发明可以明显降低衬底温度。

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