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1. 发明公开

EP1808886A2 Procédé d'ajustement de la contrainte d'un substrat en un matériau semi-conducteur 审中-公开
标题翻译： Verfahren zur Justierung der Beanspruchung eines Substrats in einem Halbleitermaterial
公开(公告)号：EP1808886A2
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：EP07100648.0
申请日：2007-01-17
申请人： S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies
发明人： Le Vaillant, Yves Matthieu
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L29/1054
摘要： L'invention concerne un procédé d'ajustement de la contrainte d'une couche contrainte (2) sur un substrat (1), comprenant les étapes consistant à :
- identifier une ou des régions (21, 22) de la couche contrainte (2) dans lesquelles on souhaite ajuster la contrainte par une mesure de cette contrainte ;
- implanter des éléments dans au moins une des régions (21, 22) de la couche contrainte (2) ainsi identifiées ;
- effectuer un recuit du substrat (1) avec la couche contrainte (2) à une température maintenue pendant une durée suffisante pour guérir les défauts cristallins dus à l'implantation dans la (21) ou les régions implantées (21, 22).
摘要翻译：该方法涉及识别应变硅层（2）的区域（21,22），其中通过测量应变来调节应变，并且在应变层的区域中注入元件。植入的元件具有与形成应变层的化学元素相同的性质。在保持足够的持续时间的温度下，将基片（1）与应变层退火以处理由于注入区域而引起的晶体缺陷。还包括以下独立权利要求：（1）应用于硅层应变调整方法（2）的应变层，半导体材料晶片。

2. 发明公开

EP1702357A1 SUBSTRATE WITH DETERMINATE THERMAL EXPANSION COEFFICIENT 有权转让
标题翻译：的热膨胀系数某些SUBSTRATE
公开(公告)号：EP1702357A1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：EP04791788.5
申请日：2004-10-28
申请人： S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies
发明人： LE VAILLANT, Yves-Mathieu
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B25/18
摘要： The invention relates to a composite support (10) intended to receive a transferred layer (20) made of a material chosen from crystalline materials, so that the assembly forms a substrate (30) for epitaxy, characterized in that it has a longitudinal plane of symmetry (100) parallel to its principal surfaces and in that it consists of: • a central first layer (1) having a first thermal expansion coefficient at a defined temperature T, the said layer extending transversely on either side of the plane of symmetry; and • at least one pair of lateral layers (2, 2'; 3, 3'), the layers of each pair having, facing each other: -arrangements in the composite support (10) that are substantially symmetrical with respect to the plane of symmetry; - second thermal expansion coefficients at the temperature T that are substantially identical to each other; and - thicknesses substantially identical to each other; and in that the materials constituting the layers of the composite support (10) are chosen in such a way that the composite support (10) has an overall thermal expansion coefficient at the temperature T close to the thermal expansion coefficient of the material of the transferred layer (20) at the temperature T. The invention also relates to processes for forming a useful layer on the said composite support and to structures comprising substrates for epitaxy.

3. 发明公开

EP1571241A1 Method of manufacturing a wafer 审中-公开
标题翻译： Herstellungsverfahren eines底物
公开(公告)号：EP1571241A1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：EP04290547.1
申请日：2004-03-01
申请人： S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies
发明人： Bourdelle, Konstantin , Cayrefourcq, Ian , Kennard, Mark
IPC分类号： C30B25/18 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/0251 , H01L21/02532
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a wafer comprising a single crystalline bulk substrate of a first material and at least one epitaxial layer of a second material which has a lattice different from the lattice of the first material. It is the object of the present invention to provide a method for manufacturing a wafer in which a layer which is lattice-mismatched with the substrate can be grown on the substrate with a high effectiveness and high quality at a low cost. The object is solved with a method of the above-mentioned type comprising a roughening step for roughening the surface of the bulk substrate and a growing step for growing the second material on the rough surface of the bulk substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种制造晶片的方法，该方法包括第一材料的单晶体体衬底和具有与第一材料的晶格不同的第二材料的至少一个外延层。本发明的目的是提供一种制造晶片的方法，其中可以以低成本以高效率和高质量在衬底上生长与衬底晶格失配的层。该目的通过上述类型的方法来解决，该方法包括用于使本体衬底的表面粗糙化的粗糙化步骤和用于在第二衬底的粗糙表面上生长第二材料的生长步骤。

4. 发明公开

EP1462184A3 Traitement superficiel d'une plaquette semiconductrice avant collage 有权转让
标题翻译：接合之前的半导体晶片的表面处理
公开(公告)号：EP1462184A3
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：EP04290796.4
申请日：2004-03-25
申请人： S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies
发明人： Maleville, Christophe , Maunand Tussot, Corinne
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/762 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B2203/005 , H01L21/2007 , H01L21/6704 , H01L21/67057 , H01L21/76251
摘要： Procédé de préparation d'une surface d'une plaquette comprenant au moins superficiellement une couche en matériau semiconducteur, la plaquette étant destinée à être mise en contact avec une deuxième plaquette pour réaliser une adhésion entre elles au niveau de la surface à préparer, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes:

a) oxyder (10) la surface de la plaquette avec des espèces chimiques ozonées (1);
b) nettoyer (20,30) la surface de la plaquette au moyen d'espèces chimiques aptes à enlever des particules isolées et/ou enterrées, ainsi que des contaminants métalliques;
c) oxyder (40) la surface de la plaquette avec une solution ozonée (2).

L'invention concerne en outre un procédé de collage de deux plaquettes et une application au procédé.

5. 发明公开

EP1462184A2 Traitement superficiel d'une plaquette semiconductrice avant collage 有权转让
标题翻译： Oberflächenbehandlungeiner Halbleiterscheibe vor dem Kleben
公开(公告)号：EP1462184A2
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：EP04290796.4
申请日：2004-03-25
申请人： S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies
发明人： Maleville, Christophe , Maunand Tussot, Corinne
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B2203/005 , H01L21/2007 , H01L21/6704 , H01L21/67057 , H01L21/76251
摘要： Procédé de préparation d'une surface d'une plaquette comprenant au moins superficiellement une couche en matériau semiconducteur, la plaquette étant destinée à être mise en contact avec une deuxième plaquette pour réaliser une adhésion entre elles au niveau de la surface à préparer, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes:

a) oxyder (10) la surface de la plaquette avec des espèces chimiques ozonées (1);
b) nettoyer (20,30) la surface de la plaquette au moyen d'espèces chimiques aptes à enlever des particules isolées et/ou enterrées, ainsi que des contaminants métalliques;
c) oxyder (40) la surface de la plaquette avec une solution ozonée (2).

L'invention concerne en outre un procédé de collage de deux plaquettes et une application au procédé.
摘要翻译：该方法包括用臭氧化学物质（1）氧化垫的表面。表面被标准的清洁溶液（SC1，SC2）清洗，能够从被粘贴的垫的表面分别去除分离的颗粒和埋入的金属污染物。表面被臭氧化溶液（2）氧化。

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