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61. 发明公开

EP2666750A1 Polykristallines Silicium 有权转让
标题翻译： Polykristallines硅胶
公开(公告)号：EP2666750A1
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：EP13167980.5
申请日：2013-05-16
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Vietz, Matthias , Pech, Dr. Reiner
IPC分类号： C01B33/02 , B65B17/00 , B65B23/00 , B65D75/00 , B65D77/00
CPC分类号： B02C23/08 , B65B1/32 , B65B55/24 , B65D31/00 , C01B33/02 , Y10T428/12674
摘要： Polykristallines Silicium, das in Form von Bruchstücken vorliegt und in Kunststoffbeutel mit mindestens 5 kg Einwaage verpackt ist, beinhaltend Bruchstücke einer Größe von 20 bis 200 mm, dadurch gekennzeichnet dass ein Feinanteil im Kunststoffbeutel kleiner als 900 ppmw, bevorzugt kleiner als 300 ppmw, besonders bevorzugt kleiner als 10 ppmw beträgt.
Das polykristalline Silicium wird nach Zerkleinern eines mittels CVD (Siemens-Prozess) erzeugten Siliciumstabs sortiert und klassifiziert, gegebenenfalls entstaubt und anschließend dosiert und verpackt. Dosiereinheit und Verpackungseinheit umfassen Elemente, die während des Dosierens und während des Verpackens ein Abtrennen von Feinanteil oder kleinen Partikeln erlauben. Die Verpackungseinheit umfasst einen Energieabsorber oder einen Vorratsbehälter, der ein Gleiten oder Rutschen der Siliciumbruchstücke in den Kunststoffbeutel ermöglicht. Nach dem Befüllen des Kunststoffbeutels wird innerhalb des Beutels eine Gasströmung erzeugt, durch die Staub oder kleine Partikel aus dem Beutel transportiert werden, die mit einer Absaugvorrichtung abgesaugt werden.
摘要翻译：块状块状的多晶硅填充在塑料袋中，该塑料袋的质量至少为5公斤，其中块的尺寸为20-200毫米，塑料袋中的任何细小部分均小于900ppmw，优选小于 300 ppmw，是新的。包括用于制造多晶硅的独立权利要求。

62. 发明公开

EP2660201A1 POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT CASTING MOLD AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SILICON NITRIDE POWDER FOR MOLD RELEASE MATERIAL FOR POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT CASTING MOLD AND SLURRY CONTAINING SAME 有权
标题翻译：多晶SILIZIUMINGOTGIESSFORM及其制造方法和暂停它们的用途
公开(公告)号：EP2660201A1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：EP11853890.9
申请日：2011-07-27
申请人： Ube Industries, Ltd.
发明人： YAMAO, Takeshi , HONDA, Michio , JIDA, Shinsuke
IPC分类号： C01B33/02 , B22C1/00 , B22C3/00 , C01B21/068
CPC分类号： B29C33/54 , B29C33/58 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
摘要： Provided are a polycrystalline silicon ingot casting mold, a method for producing a polycrystalline silicon ingot casting mold, a silicon nitride powder for a mold release material for the polycrystalline silicon ingot casting mold, and a slurry containing the silicon nitride powder for the mold release material, with which high-quality silicon ingots can be obtained at high yields by minimizing sticking of the surfaces of the silicon ingot with the mold, or losses and damages that occur when solidified silicon ingot is released from the mold. The method for producing a polycrystalline silicon ingot casting mold having a release layer is characterized by being provided with: a slurry forming step for forming a slurry by mixing a silicon nitride powder with water, the silicon nitride powder being obtained by blending a silicon nitride powder (A) having an average particle diameter along the short axis of 0.6 to 13 µm with a silicon nitride powder (B) having an average particle diameter along the short axis of 0.1 to 0.3 µm at a weight ratio of 5 : 5 to 9 : 1; a slurry coating step for coating the surface of the mold with the slurry; and a heating step for heating the mold at 800 to 1200°C in an atmosphere containing oxygen, after the slurry coating step.
摘要翻译：本发明提供一种多晶硅铸锭铸造模具，用于制造多晶硅铸锭铸造模具，氮化硅粉末为用于多晶硅铸锭铸造模具中的脱模材料的方法，和包含用于脱模材料的氮化硅粉末的浆料，利用该高品质的硅锭可以以高收率通过最小化硅锭的表面的粘附与模具，或损失和损害没有时出现凝固硅锭从模具中释放而获得。用于生产具有剥离层的多晶硅铸锭铸造模具的方法是通过设置有特点：形成用于通过与水混合的氮化硅粉末形成浆液步骤的浆料，将氮化硅粉末被通过混合氮化硅粉末而获得（A），其具有上沿的0.6至13微米，具有上以5的重量比沿0.1至0.3微米短轴平均粒径的氮化硅粉末（B）的短轴平均粒径：5〜9： 1; 用于与浆料中的模具的表面上涂覆浆料涂布步骤; 再在含氧气氛中，在800将模具加热至1200℃，将浆料涂覆步骤之后的加热步骤。

63. 发明公开

EP2558412A4 CASCADING PURIFICATION OF SILICON 有权
标题翻译：预备清洗硅
公开(公告)号：EP2558412A4
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：EP11768343
申请日：2011-04-13
申请人： SILICOR MATERIALS INC
发明人： NICHOL SCOTT , TUMMILLO ANTHONY , SMITH DAN
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/02
CPC分类号： C01B33/037

64. 发明公开

EP2631215A1 Polykristallines Siliciumbruchstück und Verfahren zur Reinigung von polykristallinen Siliciumbruchstücken 有权
标题翻译： PolykristallinesSiliciumbruchstückund Verfahren zur Reinigung von polykristallinenSiliciumbruchstücken
公开(公告)号：EP2631215A1
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：EP13154909.9
申请日：2013-02-12
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Traunspurger, Gerhard , Fabry, Laszlo, Dr. , Pech, Reiner, Dr.
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037 , C01P2002/88 , C01P2002/89 , C01P2002/90 , C01P2006/80 , C30B11/00 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/02046
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein polykristallines Siliciumbruchstück mit einer Konzentration von Kohlenstoff an der Oberfläche von 0,5-35 ppbw.
Verfahren zur Reinigung von polykristallinen Siliciumbruchstücken mit Kohlenstoff-Kontaminationen an der Oberfläche, umfassend eine thermische Behandlung der polykristallinen Siliciumbruchstücke in einem Reaktor bei einer Temperatur von 350 bis 600°C, wobei sich die polykristallinen Siliciumbruchstücke während der thermischen Behandlung in einer Inertgasatmosphäre befinden, wobei die polykristallinen Siliciumbruchstücke nach der thermischen Behandlung eine Konzentration von Kohlenstoff an der Oberfläche von 0,5-35 ppbw aufweisen.
摘要翻译：要求具有0.5-35ppbw碳浓度的多晶硅断裂片。还包括用于清洁表面上具有碳污染的多晶硅断裂片的独立权利要求，包括在350-600℃的惰性气体气氛下在反应器中对多晶硅断裂片进行热处理，其中热处理后的多晶硅断裂片表面具有0.5-35ppbw的碳浓度。

65. 发明授权

EP2067743B1 Verfahren zur Herstellung von oberflächenmodifizierten Silicium-Nanopartikel 有权
标题翻译：西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语西班牙语
公开(公告)号：EP2067743B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：EP07122096.6
申请日：2007-12-03
申请人： Evonik Degussa GmbH , Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
发明人： Ebbers, André , Kryschi, Carola , Cimpean, Carla , Kuntermann, Thilo Volker
IPC分类号： C01B33/02 , C09C1/28
CPC分类号： C09C1/28 , B82Y30/00 , C01P2002/82 , C01P2004/64 , C01P2006/60
摘要： Preparing surface-modified silicon particles, where the surface modification completely envelops the surface of the silicon particles and consists of moieties (Q), comprises: (a) treating silicon particles completely or partially enveloped with a silicon dioxide layer, in a nonoxidizing medium with 5 vol.% hydrogen fluoride/ethanol solution for 10 minutes, and subsequently removing the liquid phase by distillation the obtained silicon particles freed from silicon dioxide; and (b) reacting the obtained mixture with an alkene compound (III) or an alkylene compound (IV). Preparing surface-modified silicon particles with an average particle diameter of 1-20 nm, where the surface modification completely envelops the surface of the silicon particles and consists of one or more moieties (Q) containing an alkane compound of formula (-C1HR-C2HR-(C(R) 2) n-X) (I) or an alkene compound of formula (-C1H=CH-(C(R) 2) n-X) (II), which are bonded covalently to the silicon via a silicon-carbon bond, comprises: (a) treating silicon particles completely or partially enveloped with a silicon dioxide layer, in a nonoxidizing medium with 5 vol.% hydrogen fluoride/ethanol solution for 10 minutes, and subsequently removing the liquid phase by distillation the obtained silicon particles freed from silicon dioxide; and (b) reacting the obtained mixture with an alkene compound of formula (CHR=CR-(C(R) 2) n-X) (III) or an alkylene compound of formula (CHC-(C(R) 2) n-X) (IV). C1 : carbon atom which forms the covalent silicon-carbon bond; X : a molecule residue having a delocalized pi-electron system; R : CH 3, C 2H 5, n-C 3H 7, iso-C 3H 7, n-C 4H 9 or iso-C 4H 9; and n : 0-9. An independent claim is included for a dispersion comprising the surface-modified silicon particles.
摘要翻译：制备表面改性的硅颗粒，其中表面改性完全包封硅颗粒的表面并由部分（Q）组成，包括：（a）在具有二氧化硅层的非氧化介质中处理完全或部分地包封的硅颗粒， 5体积％氟化氢/乙醇溶液10分钟，然后通过蒸馏除去二氧化硅得到的硅颗粒; 和（b）使所得混合物与烯烃化合物（III）或亚烷基化合物（IV）反应。制备平均粒径为1-20nm的表面改性硅颗粒，其中表面改性完全包围硅颗粒的表面，并且由一种或多种含有式（-C 1 H R-C 2 H R的烷烃化合物）的部分（Q）组成 - （C（R）2）n X）（I）或式（-C 1 H = CH-（C（R）2）n X）（II）的烯烃化合物，其通过硅 - 碳共价键合到硅包括：（a）在具有5体积％氟化氢/乙醇溶液的非氧化介质中处理二氧化硅层完全或部分包封的硅颗粒10分钟，然后通过蒸馏除去所得到的硅颗粒免除二氧化硅; 和（b）使所得混合物与式（CHR = CR-（C（R）2）n X）（III）的烯烃化合物或式（CHC-（C（R）2）n X）的亚烷基化合物 IV）。 C1：形成共价硅 - 碳键的碳原子; X：具有离域π电子系统的分子残基; R：CH 3，C 2H 5，n-C 3H 7，异-C 3H 7，n-C 4H 9或异-C 4H 9; 和n：0-9。对于包含表面改性的硅颗粒的分散体包括独立权利要求。

66. 发明公开

EP2502880A4 ELECTROMAGNETIC CASTING APPARATUS FOR SILICON 审中-公开
标题翻译： ELEKTROMAGNETISCHE GUSSVORRICHTUNGFÜRSILIIUM
公开(公告)号：EP2502880A4
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：EP09851469
申请日：2009-11-20
申请人： CONSARC CORP
发明人： KYOJIRO KANEKO
IPC分类号： C01B33/02 , B22D11/01
CPC分类号： C01B33/02 , B22D11/115
摘要： Disclosed is an electromagnetic casting apparatus for silicon, which is capable of surely producing a high-quality silicon ingot by simple processes. The electromagnetic casting apparatus for silicon comprises a furnace container (100), a conductive crucible (200) that is provided within the furnace container (100), and an induction coil (300) that is provided on the outer periphery of the crucible (200). By setting the inside of the furnace container (100) at a constant pressure using a pre-determined gas and applying a voltage to the induction coil (300), the silicon in the crucible (200) is melted by induction heating, and then solidified. The induction coil (300) is obtained by vertically arranging a plurality of induction coils (310, 320) which have different induction frequencies.
摘要翻译：公开了一种用于硅的电磁铸造装置，其能够通过简单的工艺可靠地生产高质量的硅锭。用于硅的电磁铸造装置包括炉容器（100），设置在炉容器（100）内的导电坩埚（200）和设置在坩埚（200）的外周上的感应线圈）。通过使用预定气体将炉容器（100）的内部设定在恒定压力，并向感应线圈（300）施加电压，坩埚（200）中的硅通过感应加热而熔化，然后固化。通过垂直布置具有不同感应频率的多个感应线圈（310,320）来获得感应线圈（300）。

67. 发明公开

EP2607309A1 Polykristallines Siliciumstück und Verfahren zum Brechen eines Siliciumkörpers 有权
标题翻译： PolykristallinesSiliciumstückund Verfahren zum Brechen einesSiliciumkörpers
公开(公告)号：EP2607309A1
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：EP12196041.3
申请日：2012-12-07
申请人： Wacker Chemie AG
发明人： Fabry, Laszlo, Dr. , Grübl, Peter , Huber, Christian
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/035
CPC分类号： C01B33/02 , B26F3/002 , C01B33/035 , Y10T225/10
摘要： Die Erfindung betrifft ein polykristallines Siliciumstück mit wenigstens einer Bruch- oder Schnittfläche, die eine Verunreinigung mit Metallen von 0,07 ng/cm 2 bis 1 ng/cm 2 aufweist.
Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zum Brechen eines Siliciumkörpers, vorzugweise eines Stabs aus polykristallinem Silicium,
umfassend die Schritte:
a) Bestimmung der niedrigsten Biegeigenfrequenz des Siliciumkörpers;
b) Anregung des Siliciumkörpers in seiner niedrigsten Biegeigenfrequenz mittels eines Schwingungserregers, wobei die Anregung an einer Anregungsstelle des Siliciumkörpers derart erfolgt, dass der Siliciumkörper an der Anregungsstelle bricht; so dass ein Siliciumstück mit einer Bruchfläche resultiert, die eine Verunreinigung mit Metallen von 0,07 ng/cm 2 bis 1 ng/cm 2 aufweist.
摘要翻译：要求具有至少一个断裂或切割表面和0.07-1ng / cm 2>的金属污染物的多晶硅片。包括用于破坏硅体的独立权利要求，优选为由多晶硅制成的棒，其包括：（a）确定硅体的最低弯曲频率，以及（b）通过振动激发器在其最低弯曲频率下激发硅体其中激发步骤在硅体的激发位置处发生，使得硅体在激发位置处断裂，导致金属污染的表面为0.07-1ng / cm 2>。

68. 发明公开

EP2319801A4 SILICON STARTING MATERIAL CRUSHING DEVICE 审中-公开
标题翻译：破碎装置对于硅起始原料
公开(公告)号：EP2319801A4
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：EP09848447
申请日：2009-08-20
申请人： TEOSS CO LTD
发明人： MURAI TSUYOSHI , KONAKA TOSHINORI
IPC分类号： C01B33/02 , B02C1/10
CPC分类号： C01B33/02 , B02C1/005 , B02C1/04 , B02C1/046

69. 发明公开

EP2480497A1 METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY SILICON 有权转让
标题翻译：工艺生产高纯度硅
公开(公告)号：EP2480497A1
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：EP10819087.7
申请日：2010-09-09
申请人： Elkem Solar AS
发明人： ZEAITER, Khalil
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/02 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/037 , C01B33/00 , C01B33/02 , C01P2006/80
摘要： The present invention relates to a method for producing high purity silicon comprising providing molten silicon containing 1-10% by weight of calcium, casting the molten silicon, crushing the silicon and subjecting the crushed silicon to a first leaching step in an aqueous solution of HCI and/or HCI + FeCI3 and to a second leaching step in an aqueous solution of HF and HNO3. The leached silicon particles is thereafter subjected to heat treatment at a temperature of between 1250°C and 14200C for a period of at least 20 minutes and the heat treated silicon is subjected to a third leaching step in an aqueous solution of HF and HNO3.

70. 发明公开

EP2479142A1 POLYCRYSTALLINE SILICON MASS AND PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON MASS 有权
标题翻译： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINER SILICIUMMASSE
公开(公告)号：EP2479142A1
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：EP10816827.9
申请日：2010-07-21
申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
发明人： NETSU, Shigeyoshi , OKADA, Junichi , KUME, Fumitaka
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/035 , C01B33/037
摘要： The present invention provides a clean and high-purity polycrystalline silicon mass having a small content of chromium, iron, nickel, copper, and cobalt in total, which are heavy metal impurities that reduce the quality of single-crystal silicon. In the vicinity of an electrode side end of a polycrystalline silicon rod obtained by the Siemens method, the total of the chromium, iron, nickel, copper, and cobalt concentrations is high. Accordingly, before a crushing step of a polycrystalline silicon rod 100, a removing step of removing at least 70 mm of a polycrystalline silicon portion from the electrode side end of the polycrystalline silicon rod 100 extracted to the outside of a reactor is provided. Thereby, the polycrystalline silicon portion in which the total of the chromium, iron, nickel, copper, and cobalt concentrations in a bulk is not less than 150 ppta can be removed.
摘要翻译：本发明提供了一种清洁和高纯度的多晶硅质量，它们总共含有少量的铬，铁，镍，铜和钴，这是降低单晶硅质量的重金属杂质。在通过西门子方法获得的多晶硅棒的电极侧端附近，铬，铁，镍，铜和钴的总量高。因此，在多晶硅棒100的破碎步骤之前，提供从提取到反应器外部的多晶硅棒100的电极侧端部去除至少70mm的多晶硅部分的去除步骤。因此，可以除去其中大体积中铬，铁，镍，铜和钴的总浓度不低于150ppta的多晶硅部分。

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