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61. 发明公开

EP0536355A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER BESCHICHTUNG AUF EIN SUBSTRAT, BESCHICHTUNG SOWIE PLASMABRENNER 有权
标题翻译：方法用于将涂料涂布在基材，涂料和等离子体炬。
公开(公告)号：EP0536355A1
公开(公告)日：1993-04-14
申请号：EP92908161.0
申请日：1992-04-10
申请人： Fried. Krupp AG Hoesch-Krupp
发明人： LUGSCHEIDER, Erich , WEBER, Thomas , SCHLUMP, Wolfgang
IPC分类号： C23C4 , C23C16
CPC分类号： C23C16/276 , C23C4/134 , C23C16/278 , C23C16/513
摘要： L'invention concerne un procédé pour appliquer un revêtement sur un substrat à l'aide d'une torche à plasma, un revêtement ainsi appliqué et une torche à plasma conçue et adaptée à cet effet. Le revêtement se compose d'une matrice comme couche d'usure et d'inclusions de particules de diamant pour améliorer les caractéristiques matricielles ou bien d'une matrice de matériau liant dans laquelle sont liées par incorporation des particules qui forment ensuite la couche d'usure effective. Les diverses concentrations de matériau diamanté ou matriciel dans le revêtement peuvent être choisies selon les paramètres sélectionnés pour le revêtement, en premier lieu en fonction de la distance du substrat par rapport à la torche à plasma et de l'addition d'agents carburogènes dans la torche à plasma.

62. 发明公开

EP0527133A1 PLASMA REACTION CHAMBER HAVING CONDUCTIVE DIAMOND-COATED SURFACES 失效
标题翻译：导电性金刚石涂层表面等离子体反应室。
公开(公告)号：EP0527133A1
公开(公告)日：1993-02-17
申请号：EP91903485.0
申请日：1990-10-09
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： DOWNEY, Douglas, John , LIPORACE, James, William
IPC分类号： C23C14 , C23C16 , C23F4 , H01J37 , H01L21
CPC分类号： C23C16/27 , C23C14/0611 , C23C14/564 , C23C16/278 , C23C16/4404 , H01J37/32504 , H01J2237/3341
摘要： Chambre à usinage ionique réactif ayant des surfaces de parois à revêtement en diamant (1, 2) pour prévenir une pulvérisation cathodique inopportune de particules des parois qui peuvent contaminer les pièces du dispositif à semi-conducteurs soumises à l'usinage ionique dans la chambre. La couche en diamant est conductrice pour que les parois à revêtement de la chambre puissent être utilisées comme masse pour le processus d'usinage ionique réactif.

63. 发明授权

EP0284190B1 Enhanced CVD method for deposition of carbon 失效
标题翻译：碳沉积的增强CVD方法
公开(公告)号：EP0284190B1
公开(公告)日：1992-11-25
申请号：EP88301364.1
申请日：1988-02-18
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： Yamazaki, Shunpei
IPC分类号： C23C16/26
CPC分类号： C23C16/274 , C23C16/278 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B29/04 , Y10S427/103 , Y10S427/104 , Y10S427/106
摘要： A carbon film may be deposited upon a substrate by an enhanced CVD process in accordance with which nitrogen or a gaseous nitrogen compound such as ammonia (NH3) is added to a gaseous carbon compound such as a hydrocarbon gas in the CVD reaction gas, the added nitrogen serving to inhibit the growth of lattice defects in the deposited carbon whereby carbon may be deposited in a crystalline diamond form. Also disclosed is the addition of boron to the CVD reaction gas for the purpose of enhancing the mechanical binding of the deposited diamond with the substrate surface.

64. 发明公开

EP0481722A1 Process and apparatus for production of a coating film 失效
标题翻译：。。。age。。。。。。。。。。。
公开(公告)号：EP0481722A1
公开(公告)日：1992-04-22
申请号：EP91309476.9
申请日：1991-10-15
申请人： FUJITSU LIMITED
发明人： Kurihara, Kazuaki , Kawarada, Motonobu , Sasaki, Ken-ichi , Teshima, Akitomo
IPC分类号： C23C16/26 , C23C30/00 , C23C4/12 , C23C4/06 , C23C4/10 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/276 , C23C4/134 , C23C16/278 , C23C30/00 , Y10T428/30
摘要： A technique of forming a synthesized diamond film including a mixed intermediate layer (9) of a plasma-spraying material and diamond uses plasma injection by a plasma-spraying torch for the plasma-sprayed material with simultaneous CVD by a CVD plasma torch for the diamond component to form the mixed layer on the substrate. This ensures accurate control of both components. Other embodiments involve the use of an RF or laser-induced plasma, with or without separate torches, so as to avoid the inclusion of electrode material in the layer formed, and yet further embodiments use a wire-feeder for the plasma-sprayed material so as to enable consistent and fine control of its supply as compared to the conventional powder supply.
摘要翻译：形成包括等离子体喷涂材料和金刚石的混合中间层（9）的合成金刚石膜的技术使用等离子体喷涂炬等离子体喷射等离子体喷射用于等离子体喷涂材料，同时通过用于金刚石的CVD等离子体焰炬以在基板上形成混合层。这确保了两个组件的精确控制。其他实施例涉及使用具有或不具有单独的焊炬的RF或激光诱发等离子体，以避免在所形成的层中包含电极材料，并且还有其它实施例使用用于等离子体喷涂材料的线材馈线以便与传统的粉末供应相比，可以实现其供应的一致和精确的控制。

65. 发明公开

EP0445754A1 Method for growing a diamond or c-BN thin film 失效
标题翻译： Verfahren zum Aufwachsen einerDünnschichtaus Diamant oder c-BN。
公开(公告)号：EP0445754A1
公开(公告)日：1991-09-11
申请号：EP91103367.8
申请日：1991-03-06
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人： Kimoto, Tsunenobu , Tomikawa, Tadashi , Fujita, Nobuhiko
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/26 , C04B41/50
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/0236 , C23C16/0245 , C23C16/274 , C23C16/278 , C23C16/342 , C30B29/04 , C30B29/403
摘要： The invention relates to a method for growing a thin epitaxial film selected from a diamond film and a c-BN film or a substrate by vapor phase synthesis comprising the steps of:

(a) placing the substrate in a vacuum chamber;
(b) heating the chamber to a temperature in the range 500 to 1200°C;
(c) treating the substrate with a gaseous mixture selected from a chlorine containing gaseous mixture and a fluorine containing gaseous mixture;
(d) evacuating the gaseous mixture; and
(e) epitaxially growing the thin epitaxial film by introducing a feed gas under chemical vapor deposition conditions.
摘要翻译：本发明涉及通过气相合成生长选自金刚石膜和c-BN膜或基板的薄外延膜的方法，包括以下步骤：（a）将基板放置在真空室中; （b）将室加热至500至1200℃的温度; （c）用选自含氯气体混合物和含氟气体混合物的气体混合物处理基材; （d）抽空气体混合物; 和（e）通过在化学气相沉积条件下引入进料气体外延生长薄的外延膜。

66. 发明授权

EP0161829B1 Process for preparing diamond thin film 失效
标题翻译：制备金刚石薄膜的方法
公开(公告)号：EP0161829B1
公开(公告)日：1990-09-12
申请号：EP85302776.1
申请日：1985-04-19
申请人： Imai, Yoshio
发明人： Imai, Yoshio , Sawabe, Atsuhito , Inuzuka, Tadao
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/04
CPC分类号： C23C16/278 , C23C16/271 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B29/04 , Y10S117/905
摘要： A process for preparing a diamond thin film by an electron assisted chemical vapor deposition (EACVD) is disclosed, in which diamond crystal nuclei are caused to form and grow to a thin film on a heated plate substrate under electron bombardments in an atmosphere of a mixed gas of hydrogen and a hydrocarbon in a reduced pressure. A Boron doped p-type diamond semiconductor is prepared by an addition of a trace amount of diborane in the mixed gas of the hydrogen and the hydrocarbon in said EACVD.

67. 发明公开

EP0284190A3 Enhanced CVD method for deposition of carbon 失效
标题翻译：碳化硅沉积CVD法
公开(公告)号：EP0284190A3
公开(公告)日：1989-02-22
申请号：EP88301364.1
申请日：1988-02-18
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： Yamazaki, Shunpei
IPC分类号： C23C16/26
CPC分类号： C23C16/274 , C23C16/278 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B29/04 , Y10S427/103 , Y10S427/104 , Y10S427/106
摘要： A carbon film may be deposited upon a substrate by an enhanced CVD process in accordance with which nitrogen or a gaseous nitrogen compound such as ammonia (NH₃) is added to a gaseous carbon compound such as a hydrocarbon gas in the CVD reaction gas, the added nitrogen serving to inhibit the growth of lattice defects in the deposited carbon whereby carbon may be deposited in a crystalline diamond form. Also disclosed is the addition of boron to the CVD reaction gas for the purpose of enhancing the mechanical binding of the deposited diamond with the substrate surface.

68. 发明公开

EP0279898A1 Verfahren zum Auftragen einer Verschleissschutzschicht und danach hergestelltes Ezeugnis 失效转让
标题翻译：一种用于将磨损并且此后由Ezeugnis方法。
公开(公告)号：EP0279898A1
公开(公告)日：1988-08-31
申请号：EP87112638.9
申请日：1987-08-29
申请人： Ernst Winter & Sohn (GmbH & Co.)
发明人： Meyer, Hans-Robert, Dr. , Wiemann, Hans-Joachim, Dr.
IPC分类号： C23C16/26
CPC分类号： C23C16/27 , C23C16/029 , C23C16/278 , Y10T428/30
摘要： Bekannt ist das Auftragen einer Verschleißschutzschicht in der Art eines Diamantfilmes auf einem Träger aus einem metallischen Hartstoff. Derartiges kann erfolgen durch chemische Dampfabscheidung oder chemische Plasmaabscheidung oder durch ein reaktives Plasmasputtern. Problematisch ist jedoch bei der Aufbringung einer Diamantschicht der unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizient von Diamant und Metall und der Umstand, daß Diamant einen wesentlich höheren Elastizitätsmodul aufweist als ein Hartmetall. Dadurch können auftretende Kräfte zu einem Zerbrechen des Diamantfilmes führen. Um dem Rechnung zu tragen, ist vorgesehen, auf dem Träger aufeinanderfolgend Schichten aufzutragen, deren Material jeweils einen höheren Elastizitätsmodul als dem des Materials der darunterliegenden Schicht aufweist, wobei die äußerste Schicht eine Schicht aus Diamant ist. Dardurch läßt sich eine größere Differenz zwischen dem Elastizitätsmodul der außenliegenden Diamantschicht und dem des Werkstoffes vom Träger ohne Gefahr einer Zerstörung des Diamantfilmes nutzen.
摘要翻译：已知在由金属的硬质材料的支撑金刚石薄膜的形式的耐磨层的应用。例如可通过化学气相沉积或化学等离子体沉积或通过反应性离子溅射来完成。然而，在金刚石和金属和金刚石的弹性模量比碳化物的基本上更高的模量的事实的热膨胀系数不同的金刚石膜的沉积的问题。这会导致金刚石膜产生的力的破裂。为了解决这个问题，提供了一种在载体上依次施加的层，在每种情况下，材料的弹性比所述下层，其中，所述最外层是金刚石的层的材料中的更高的模量。 Dardurch外层并从支撑材料的金刚石的弹性模量之间的较大差别可在不金刚石膜的破坏的任何风险被使用。

70. 发明授权

EP2917385B1 ELECTROLYTIC CELL EQUIPPED WITH MICROELECTRODES 有权
标题翻译：与微电极电解池
公开(公告)号：EP2917385B1
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：EP13789767.4
申请日：2013-11-08
申请人： Industrie De Nora S.P.A.
发明人： GULLÁ, Andrea Francesco
IPC分类号： C25B1/13 , C25B1/26 , C25B1/30 , C25B11/04
CPC分类号： C25B11/02 , C23C14/18 , C23C16/06 , C23C16/278 , C23C16/511 , C25B1/13 , C25B1/26 , C25B1/30 , C25B11/0405

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