专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明授权

EP0467944B1 SUBSTITUTIONAL CARBON IN SILICON 失效转让
标题翻译：与硅碳取代。
公开(公告)号：EP0467944B1
公开(公告)日：1995-06-21
申请号：EP90906309.1
申请日：1990-04-11
申请人： Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Gov. of the United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
发明人： CANHAM, Leigh, Trevor , BARRACLOUGH, Keith, Gordon , DYBALL, Mark, Roy
IPC分类号： H01L21/265 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/26593 , Y10S148/004 , Y10S148/155 , Y10S438/918
摘要： PCT No. PCT/GB90/00553 Sec. 371 Date Nov. 6, 1991 Sec. 102(e) Date Nov. 6, 1991 PCT Filed Apr. 11, 1990 PCT Pub. No. WO90/13138 PCT Pub. Date Nov. 1, 1990.The invention provides a method of producing silicon with about 100% substitutionality of very high concentrations of carbon up to about 1021 cm-3, which has good quality recrystallized layers containing low levels of residual damage, and which avoids precipitation of mobile carbon. This method, compatible with current state-of-the-art VLSI silicon technology, comprises the sequential steps of: implanting a silicon wafer with carbon ions, and two step annealing of the implanted silicon wafer.

32. 发明公开

EP0449524A3 Optical annealing method for semiconductor layer and method for producing semiconductor device employing the same semiconductor layer 失效
标题翻译：用于半导体层的光学退火方法和用于生产使用相同半导体层的半导体器件的方法
公开(公告)号：EP0449524A3
公开(公告)日：1992-01-15
申请号：EP91302509.4
申请日：1991-03-22
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Yonehara, Takeo
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02667 , H01L21/2022 , H01L21/2686 , H01L29/66757 , Y10S148/004
摘要： An optical annealing method for a semiconductor layer provided on a substrate comprises irradiating a base member provided with a semiconductor layer and an absorbing layer for incoherent light across an insulating layer, with incoherent light.

33. 发明公开

EP0328048A3 Herstellung von Halbleiterscheiben mit verbesserter Kontrolle der Innenstörstellen 失效
标题翻译：生产半导体波形的方法，具有内部重要性的修改检查
公开(公告)号：EP0328048A3
公开(公告)日：1990-10-31
申请号：EP89102106.5
申请日：1989-02-08
申请人： MEMC Electronic Materials, Inc.
发明人： Huber, Walter, Dr.
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/324
CPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , Y10S148/004 , Y10S148/024 , Y10S148/06 , Y10S148/071 , Y10S257/928
摘要： Die Konzentration der Innenstörstellen in einer Halbleiterscheibe wird in einem zweistufigen Wärmeverfahren gesteuert. In einer Konzentrationsreduktionsphase wird die Scheibe schnell auf eine erhöhte Temperatur im Bereich von ungefähr 900 bis 1350° C erwärmt, was zu einer teilweisen oder gesamten Auflösung von ausscheidbaren Verunreinigungen in der Scheibe führt. In einer Konzentrationssteigerungsstufe werden die Scheiben einem Temperverfahren bei relativ niedriger Temperatur, bei dem die Dichte der potentiellen Innenstörstellen erhöht wird, unterworfen.
Durch entsprechendes Steuern der Verfahrenstemperaturen und Behandlungszeiten können die zwei Stufen in jeder Reihenfolge durchgeführt werden, um Scheiben zu erhalten, die Innenstörstellenkonzentrationen innerhalb eines gewünschten Bereichs aufweisen.

34. 发明公开

EP0345443A3 Verfahren zum Kurzzeittempern einer Halbleiterscheibe durch Bestrahlung 失效
标题翻译：使用辐射的半导体波长的快速热退火方法
公开(公告)号：EP0345443A3
公开(公告)日：1990-03-28
申请号：EP89106877.7
申请日：1989-04-17
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Kakoschke, Ronald, Dr.
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/2686 , Y10S148/004
摘要： Das Verfahren zum Kurzzeittempern einer Halbleiterscheibe (1) durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung sieht vor, den größten Teil der zur Erwärmung der Halbleiterscheibe (1) benötigten Energie durch mindestens einseitige Bestrahlung der Halbleiterscheibe (1) mit elektromagnetischer Strahlung aus einer Hauptbestrahlungsanordnung (62) zu übertragen, wobei die Intensitäten (I M , I R ) der auf dem mittleren Bereich (6) und der auf dem Randbereich (5) gerichteten Strahlung gleich sind. Damit zur Erhöhung der Ausbeute während des gesamten Temperprozesses die Temperaturen im mittleren (6) und im Randbereich (5) der Halbleiterscheibe (1) gleich sind, wird zum Ausgleich der im Randbereich (5) der Halbleiterscheibe (1) erhöht auftretenden Wärmeabstrahlung zusätzlich eine elektromagnetische Strahlung auf den Randbereich (5) der Halbleiterscheibe gerichtet. Das Verfahren dient der Verbesserung von Kurzzeittemperverfahren bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen.

35. 发明公开

EP0345443A2 Verfahren zum Kurzzeittempern einer Halbleiterscheibe durch Bestrahlung 失效
标题翻译： Verfahren zum Kurzzeittempern einer Halbleiterscheibe durch Bestrahlung。
公开(公告)号：EP0345443A2
公开(公告)日：1989-12-13
申请号：EP89106877.7
申请日：1989-04-17
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Kakoschke, Ronald, Dr.
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/2686 , Y10S148/004
摘要： Das Verfahren zum Kurzzeittempern einer Halbleiterscheibe (1) durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung sieht vor, den größten Teil der zur Erwärmung der Halbleiterscheibe (1) benötigten Energie durch mindestens einseitige Bestrahlung der Halbleiterscheibe (1) mit elektromagnetischer Strahlung aus einer Hauptbestrahlungsanordnung (62) zu übertragen, wobei die Intensitäten (I M , I R ) der auf dem mittleren Bereich (6) und der auf dem Randbereich (5) gerichteten Strahlung gleich sind. Damit zur Erhöhung der Ausbeute während des gesamten Temperprozesses die Temperaturen im mittleren (6) und im Randbereich (5) der Halbleiterscheibe (1) gleich sind, wird zum Ausgleich der im Randbereich (5) der Halbleiterscheibe (1) erhöht auftretenden Wärmeabstrahlung zusätzlich eine elektromagnetische Strahlung auf den Randbereich (5) der Halbleiterscheibe gerichtet.
Das Verfahren dient der Verbesserung von Kurzzeittemperverfahren bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen.
摘要翻译：通过使用电磁辐射照射进行半导体晶片（1）的快速热退火的方法提供通过用至少一个电磁辐射照射半导体晶片（1）来传递加热半导体晶片（1）所需的大部分能量一侧从主照射装置（62）射出，针对中心区域（6）和瞄准周边区域（5）的辐射的强度（IM，IR）相等。为了提高整个退火过程中的效率，为了提高半导体晶片（1）的中心区域（6）和周边区域（5）中的温度是相等的，电磁辐射另外瞄准周边区域（5），以补偿在半导体晶片（1）的外围区域（5）中增加的热辐射。该方法用于改进制造集成半导体电路中的快速热退火工艺。 ... ...

36. 发明公开

EP0173610A2 An improved method for controlling lateral diffusion of silicon in a self-aligned TiSi2 process 失效
标题翻译：一种用于控制在自对准工艺的TiSi2的制备硅的横向扩散的方法。
公开(公告)号：EP0173610A2
公开(公告)日：1986-03-05
申请号：EP85401538.5
申请日：1985-07-26
申请人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人： Koh, Yun Bai
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/285
CPC分类号： C23C10/44 , C23C10/02 , Y10S148/004 , Y10S148/14
摘要： An improved method for forming a titanium silicide layer comprising placing a silicon layer overcoated with titanium in an ambient atmosphere of ultrapure nitrogen and heating the overcoated layer with radiation from a tungsten-halogen source.

37. 发明公开

EP0170848A2 Thermal annealing of integrated circuits 失效
标题翻译：集成电路的热退火。
公开(公告)号：EP0170848A2
公开(公告)日：1986-02-12
申请号：EP85107740.4
申请日：1985-06-24
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Weinberg, Zeev Avraham , Young, Donald Reeder
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/2686 , H01L21/28202 , H01L29/518 , Y10S148/004 , Y10S438/91
摘要： Silicon dioxide insulating films for integrated circuits are provided with enhanced electronic properties, including enhanced dielectric break-down of MOS insulating layers and reduced trapping of holes by exposing a metal oxide semiconductor wafer including an exposed silicon dioxide layer, in an ambient of flowing oxygen gas, to heating radiation from a halogen lamp for a duration on the order of 100 seconds to achieve annealing temperature on the order of 1000C.
For reduced hole trapping, the ambient gas is oxygen and the annealing temperature is on the order of 1000C for a duration on the order of 100 seconds, depending on the oxide thickness.
Nitrogen, occurring at the silicon-silicon dioxide interface as a result of previous processing including a long anneal in nitrogen, increases the improvement of the silicon dioxide by the subsequent rapid thermal annealing in oxygen.

38. 发明公开

EP0134716A1 Process for high temperature drive-in diffusion of dopants into semiconductor wafers 失效
标题翻译：一种用于在高温下在半导体晶片的掺杂物的驱动方法。
公开(公告)号：EP0134716A1
公开(公告)日：1985-03-20
申请号：EP84305792.8
申请日：1984-08-23
申请人： VARIAN ASSOCIATES, INC.
发明人： Russo, Carl Joseph
IPC分类号： C30B31/12
CPC分类号： C30B31/12 , Y10S148/004
摘要： A process for high temperature, rapid drive-in diffusion employs a planar blackbody source placed in parallel alignment with a semiconductor wafer in a vacuum processing chamber. The wafer is rapidly heated, preferably to a temperature in the range of 1100°C to 1300°C and primarily by radiation which promotes uniformity. Typical diffusions are completed in less than one minute. In order to control diffusion distance at elevated temperatures, the process time and source temperature are carefully controlled, and the peak wafer temperature is monitored.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式