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1. 发明公开

EP1431779A1 Halbleiter-Detektor mit optimiertem Strahlungseintrittsfenster 失效转让
公开(公告)号：EP1431779A1
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：EP03028983.9
申请日：2003-12-17
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. , PNSensor GmbH
发明人： Lechner, Peter , Lutz, Gerhard , Strüder, Lothar
IPC分类号： G01T1/29 , H01J47/00
CPC分类号： H01L31/115 , H01J2237/2441 , H01L31/022408
摘要： Es wird ein Halbleiter-Detektor zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung oder Teilchenstrahlung beschrieben, der einen Halbleiterkörper (10) eines ersten Leitungstyps mit ersten und zweiten Hauptoberflächen, eine Gruppe von Driftelektroden mit einem zweiten, entgegengesetzten Leitungstyp, die auf der ersten Hauptoberfläche zur Erzeugung mindestens eines Driftfeldes im Halbleiterkörper (10) angeordnet sind, und eine Gegenelektrodenanordnung (30) umfaßt, die auf der zweiten Hauptoberfläche angeordnet ist, den zweiten Leitungstyp aufweist und ein Strahlungseintrittsfenster bildet, wobei die Gegenelektrodenanordnung (3) eine flächige Hauptelektrode (31) und mindestens eine Barrierenelektrode (32) umfaßt, die elektrisch voneinander isoliert sind, und die mindestens eine Barrierenelektrode (32) mit einer Spannungsquelle (50) verbunden und dazu eingerichtet ist, relativ zum Halbleiterkörper (10) mit einer Sperrspannung beaufschlagt zu werden, die größer als die Sperrspannung der Hauptelektrode (31) ist.
摘要翻译：半导体辐射检测器（100）具有漂移电极和具有平坦主电极（31）的对电极单元（30）和与电压源（50）连接（33）的阻挡电极（32），使得相对于半导体本体（10）比主电极大。包括用于在不同单元中的电极之间具有连接的单元的结构的独立权利要求。

2. 发明授权

EP1431779B1 Halbleiter-Detektor mit optimiertem Strahlungseintrittsfenster 失效转让
标题翻译：具有优化的辐射入口窗半导体探测器
公开(公告)号：EP1431779B1
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：EP03028983.9
申请日：2003-12-17
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. , PNSensor GmbH
发明人： Lechner, Peter , Lutz, Gerhard , Strüder, Lothar
IPC分类号： G01T1/29 , H01J47/00
CPC分类号： H01L31/115 , H01J2237/2441 , H01L31/022408

3. 发明授权

EP1596439B1 Avalanche-Strahlungsdetektor 有权
标题翻译：雪崩辐射检测器
公开(公告)号：EP1596439B1
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：EP05010035.3
申请日：2005-05-09
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Lutz, Gerhard , Richter, Rainer H. , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107

4. 发明公开

EP1596439A3 Avalanche-Strahlungsdetektor 有权
标题翻译：雪崩辐射检测器
公开(公告)号：EP1596439A3
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：EP05010035.3
申请日：2005-05-09
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Lutz, Gerhard , Richter, Rainer H. , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107
摘要： Die Erfindung betrifft einen Avalanche-Strahlungsdetektor, mit einem Halbleitersubstrat (HK) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), einem Avalanche-Bereich (AB), der in dem Halbleitersubstrat (HK) an der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (HK) angeordnet ist, sowie mit einer Steuerelektrode (R) zur Einstellung der elektrischen Feldstärke in dem Avalanche-Bereich (AB). Es wird vorgeschlagen, dass die Steuerelektrode (R) ebenfalls an der Vorderseite des Halbleitersubstrats (HK) angeordnet ist.

5. 发明公开

EP1873834A1 Löschbarriere, insbesondere für einem Halbleiterdetektor, und zugehöriges Betriebsverfahren 有权
标题翻译： Löschbarriere，insbesonderefüreinem Halbleiterdetektor和undzugehörigesBetriebsverfahren
公开(公告)号：EP1873834A1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：EP06016860.6
申请日：2006-08-11
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Lutz, Gerhard , Richter, Rainer , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L27/146 , H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14679 , H01L27/14603
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterdetektor mit einem Halbleitersubstrat (HK), einem Source-Gebiet (S), einem Drain-Gebiet (D), einem externen Gate-Gebiet (G) und einem inneren Gate-Gebiet (IG) zur Sammlung von freien Ladungsträgern, die in dem Halbleitersubstrat (HK) generiert wurden, wobei das innere Gate-Gebiet (IG) in dem Halbleitersubstrat (HK) mindestens teilweise unter dem externen Gate-Gebiet (G) angeordnet ist, um den Leitungskanal (K) in Abhängigkeit von den gesammelten Ladungsträgern von unten zu steuern, sowie mit einem Lösch-Kontakt (CL) zur Entfernung der angesammelten Ladungsträger aus dem inneren Gate-Gebiet (IG), sowie mit einem Drain-Lösch-Gebiet (DCG), das wahlweise als Hilfslösch-Kontakt oder als Drain ansteuerbar ist. Die Erfindung sieht zusätzlich einen Barriere-Kontakt (B) vor, der in lateraler Richtung zwischen dem externen Gate-Gebiet (G) und dem Drain-Lösch-Gebiet (DCG) angeordnet ist, um eine steuerbare Potentialbarriere zwischen dem inneren Gate-Gebiet (IG) und dem Lösch-Kontakt (CL) aufzubauen, die verhindert, dass die in dem inneren Gate-Gebiet (IG) angesammelten Ladungsträger von dem Lösch-Kontakt (CL) abgesaugt werden.
摘要翻译：该结构具有位于半导体衬底的前侧的阻挡接触（B），例如，硅，在外部栅极区域（G）和漏极 - 放电区域（DCG）之间的横向上形成在内部栅极区域和放电接触件（CL）之间的可控势垒。势垒阻止了由放电接触提取的电荷载体，其中电荷载体在内部栅极区积聚。漏极 - 放电区域，势垒接触和/或外部栅极区域部分由金属或多晶硅制成。还包括用于操作半导体检测器的方法的独立权利要求。

6. 发明公开

EP0862226A2 Apparatus and method for detecting electromagnetic radiation or ionizing particles 失效
标题翻译：装置和方法用于检测电磁辐射或电离粒子的
公开(公告)号：EP0862226A2
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：EP98830089.3
申请日：1998-02-24
申请人： ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE , Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Castoldi, Andrea , Gatti, Emilio , Guazzoni, Chiara , Longoni, Antonio , Rehak, Pavel , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/115
CPC分类号： H01L27/14658
摘要： An apparatus for detecting energy and point of incidence of an ionizing event comprising a semiconductor layer (1, 2) with a first type of conductivity, in which at least one first doped region (AN1-AN4; AR; 52) with the first type of conductivity and a corresponding plurality of second doped regions (P1-Pn; S1-S7; 50, 50') with a second type of conductivity associated to said at least one first doped region are formed on a first surface of said layer, said at least first doped region and said corresponding plurality of second doped regions defining a respective drift path for charge carriers with the first type of conductivity, and at least one third doped region (3) with the second type of conductivity is formed on a second surface of said layer, and means (6; R, M1-M8; 6') for biasing said second doped regions and said third doped region which is capable of reversely biasing the junctions between the second doped regions and the semiconductor layer and between the third doped region and the semiconductor layer so as to deplete the semiconductor layer. Said biasing means is capable of providing two different operating conditions of the detection apparatus, the first operating condition providing the formation of a plurality of potential energy wells for said charge carriers in the semiconductor layer (1, 2) at predetermined distances along said drift path from said first doped region (AN1-AN4; AR; 52), said wells being able to confine all of the charge carriers generated by an ionizing event essentially to the points of incidence of the ionizing event, the second operating condition providing the removal of said potential energy wells so as to cause the charge carriers to drift towards said at least one first doped region along said drift path and keeping the charge carriers confined to directions which are perpendicular to the drift path. The electric fields in the apparatus are different, although static in the two different operating conditions.
摘要翻译：与第一种类型用于检测电离事件，其包括半导体层的入射能量和点（1,2）具有第一导电类型，其中至少一个第一掺杂区的装置（52 AN1-AN4; AR）电导率和第二掺杂区（S1-S7; P1-PN 50，50“）的相应的多个与第二类型关联到所述电导率中的至少一个第一掺杂区形成在所述层，所述的第一表面至少第一掺杂区域和所述对应第二掺杂区定义为与所述第一导电类型的载流子的respectivement漂移路径的多个，并且至少一个第三掺杂区域（3）与所述第二导电类型的被形成在第二表面上用于偏置所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的所有其能够反向偏置第二掺杂区和所述半导体层之间以及第三之间的连接处;所述层的装置，以及（6“6 R，M1-M8）的掺杂区和所述半导体层，以便耗尽该半导体层。所述偏置装置能够提供的检测设备的两个不同的操作条件的，所述第一操作条件提供用于在半导体层中所述电荷载体势能阱的多个形成（1，2）在沿着所述漂移路径的预定距离从所述第一掺杂区（AN1-AN4; AR; 52），所述孔能够通过基本上电离事件到电离事件的入射点来限制所有所产生的电荷载流子，所述第二操作条件下提供所述切除的所述电位能量井，从而使电荷载流子，以朝向所述至少一个第一掺杂沿着所述漂移路径区域，并保持局限于方向，它们垂直于所述漂移路径的电荷载体。在该装置中的电场不同漂移，虽然静中有两种不同的操作条件。

7. 发明授权

EP1873834B1 Löschbarriere, insbesondere für einem Halbleiterdetektor, und zugehöriges Betriebsverfahren 有权
标题翻译：灭火屏障，特别是用于半导体检测器和相关的操作方法
公开(公告)号：EP1873834B1
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：EP06016860.6
申请日：2006-08-11
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Lutz, Gerhard , Richter, Rainer , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L27/146 , H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14679 , H01L27/14603

8. 发明公开

EP1596439A2 Avalanche-Strahlungsdetektor 有权
标题翻译：雪崩Strahlungsdetektor
公开(公告)号：EP1596439A2
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：EP05010035.3
申请日：2005-05-09
申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Lutz, Gerhard , Richter, Rainer H. , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107
摘要： Die Erfindung betrifft einen Avalanche-Strahlungsdetektor, mit einem Halbleitersubstrat (HK) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), einem Avalanche-Bereich (AB), der in dem Halbleitersubstrat (HK) an der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (HK) angeordnet ist, sowie mit einer Steuerelektrode (R) zur Einstellung der elektrischen Feldstärke in dem Avalanche-Bereich (AB). Es wird vorgeschlagen, dass die Steuerelektrode (R) ebenfalls an der Vorderseite des Halbleitersubstrats (HK) angeordnet ist.
摘要翻译：雪崩辐射检测器具有由中心雪崩区域（AB）包围的前表面（VS）上的读出触点（A）。中心雪崩区域由环形p掺杂控制电极（R）包围的n掺杂区域（DN）组成。控制电极设定中心雪崩区域的电场强度。它位于具有下面的另外的p掺杂环（R'）的连续p掺杂层（DP）上。在中心雪崩区域内有一个厚n掺杂的半导体衬底（HK）。辐射（h.f）通过p掺杂电极（RK）进入检测器的后侧（RS）。

9. 发明授权

EP0862226B1 Apparatus and method for detecting electromagnetic radiation or ionizing particles 失效
标题翻译：装置和方法用于检测电磁辐射或电离粒子的
公开(公告)号：EP0862226B1
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：EP98830089.3
申请日：1998-02-24
申请人： ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE , Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Castoldi, Andrea , Gatti, Emilio , Guazzoni, Chiara , Longoni, Antonio , Rehak, Pavel , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/115
CPC分类号： H01L27/14658

10. 发明公开

EP0862226A3 Apparatus and method for detecting electromagnetic radiation or ionizing particles 失效
标题翻译：装置和方法用于检测电磁辐射或电离粒子的
公开(公告)号：EP0862226A3
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：EP98830089.3
申请日：1998-02-24
申请人： ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE , Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
发明人： Castoldi, Andrea , Gatti, Emilio , Guazzoni, Chiara , Longoni, Antonio , Rehak, Pavel , Strüder, Lothar
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/115
CPC分类号： H01L27/14658
摘要： An apparatus for detecting energy and point of incidence of an ionizing event comprising a semiconductor layer (1, 2) with a first type of conductivity, in which at least one first doped region (AN1-AN4; AR; 52) with the first type of conductivity and a corresponding plurality of second doped regions (P1-Pn; S1-S7; 50, 50') with a second type of conductivity associated to said at least one first doped region are formed on a first surface of said layer, said at least first doped region and said corresponding plurality of second doped regions defining a respective drift path for charge carriers with the first type of conductivity, and at least one third doped region (3) with the second type of conductivity is formed on a second surface of said layer, and means (6; R, M1-M8; 6') for biasing said second doped regions and said third doped region which is capable of reversely biasing the junctions between the second doped regions and the semiconductor layer and between the third doped region and the semiconductor layer so as to deplete the semiconductor layer. Said biasing means is capable of providing two different operating conditions of the detection apparatus, the first operating condition providing the formation of a plurality of potential energy wells for said charge carriers in the semiconductor layer (1, 2) at predetermined distances along said drift path from said first doped region (AN1-AN4; AR; 52), said wells being able to confine all of the charge carriers generated by an ionizing event essentially to the points of incidence of the ionizing event, the second operating condition providing the removal of said potential energy wells so as to cause the charge carriers to drift towards said at least one first doped region along said drift path and keeping the charge carriers confined to directions which are perpendicular to the drift path. The electric fields in the apparatus are different, although static in the two different operating conditions.

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