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1. 发明公开

CN118742064A 一种自组装二元共聚物薄膜材料及基于该材料的太阳电池审中-实审
公开(公告)号：CN118742064A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410717968.X
申请日：2024-06-04
申请人：浙江大学
发明人：吴刚 , 陈红征
IPC分类号： H10K30/86 , H10K30/50 , C09D165/00
摘要：本发明公开了一种自组装二元共聚物薄膜材料及基于该材料的太阳电池。该太阳电池包括基底、透明电极层、空穴传输层、活性层、电子传输层、金属电极层；从基底自下到上顺次设有透明电极层、空穴传输层、活性层、电子传输层、金属电极层。空穴传输层材料是一种自组装二元共聚物薄膜，由不同功能结构单元构成的嵌段聚合物，该聚合物兼具了良好的可溶解性、成膜性与铆钉基底的能力，可以实现功能单元在基底上结构有序的均匀组装，从而为活性层钙钛矿的生长提供优质的基底，并实现高效的空穴提取与传输，对于实现可大面积溶液加工的高稳定、高效率太阳电池的制备具有十分重要的意义。

2. 发明公开

CN118359793A 一种近红外波段电致变色聚合物及其制备方法和一种电致变色薄膜审中-实审
公开(公告)号：CN118359793A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410613968.5
申请日：2024-05-17
申请人：上海戎科特种装备有限公司
发明人：陶益杰 , 张朝阳 , 贵龙骏
IPC分类号： C08G61/12 , C09D165/00
摘要：本发明提供了一种近红外波段电致变色聚合物，其结构单元中包括如下所示的结构中的一种：

3. 发明授权

CN116376408B 一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法有权
公开(公告)号：CN116376408B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310088394.X
申请日：2023-02-09
申请人：南京邮电大学
发明人：孙华斌 , 丁佳瀚 , 许智奇 , 吴洁 , 陈子龙 , 于志浩 , 徐勇
IPC分类号： C09D165/00 , C09D133/12 , H10K85/10 , H10K71/16 , H10K10/46
摘要：本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。

4. 发明公开

CN117887368A 一种贴PMMA板过高温高湿无转移PE抗静电网纹膜及制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117887368A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311578251.3
申请日：2023-11-24
申请人：广东东立新材料科技股份有限公司
发明人：高钊杰
IPC分类号： C09J7/25 , C09J7/50 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09D165/00 , C09D5/24
摘要：本发明属于胶黏剂领域，尤其涉及C09J7领域，更具体的涉及一种贴PMMA板过高温高湿无转移PE抗静电网纹膜及制备方法。本发明提供的贴PMMA板过高温高湿无转移PE抗静电网纹膜的制备方法，包括在PE基材层上先涂布一层抗静电液涂层，烘干后收卷，然后在抗静电液涂层上涂布油性丙烯酸胶层然后收卷，所得到的网纹膜就有优异的抗静电性能，并且耐高温高湿，在60℃/90％湿度条件下放置3天观察保护膜表面，无网格转移、无线条转移，无析出起雾，并且易于剥离，PMMA表面无残胶，有很好的实际应用前景。

5. 发明授权

CN112074558B 制备PEDOT膜的方法有权
公开(公告)号：CN112074558B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201880092901.4
申请日：2018-05-04
申请人：图尔库大学
发明人： C·克瓦恩斯特伦 , P·达姆林 , M·萨洛梅基 , M·瑙马 , R·B·耶瓦莱
IPC分类号： C08G61/12 , H10K30/80 , H10K50/80 , C09K3/16 , C09D5/24 , C09D165/00 , H01B1/12 , H10K85/10 , H01G9/00 , H01G9/028 , H01G9/15
摘要：本发明公开了一种用于制备衬底上的PEDOT膜的方法，所述膜包括衬底和在衬底表面上的至少一个PEDOT层。该方法包括以下步骤：将包含氧化剂和碱抑制剂的溶液涂覆在衬底的表面上，通过在聚合温度下使涂覆有氧化剂的衬底的表面暴露于EDOT单体蒸汽，使涂覆有氧化剂的衬底经受聚合步骤，以及其中在聚合步骤中，使涂覆有氧化剂的衬底的温度保持在受控的衬底温度，并且其中所述受控的衬底温度比所述聚合温度低2至40℃。此外还公开了导电PEDOT膜，包括导电PEDOT膜的电子器件以及导电PEDOT膜的不同用途。

6. 发明公开

CN116987310A 一种双抗防静电离型膜及其制备工艺审中-实审
公开(公告)号：CN116987310A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310791925.1
申请日：2023-06-30
申请人：惠州市诺曼新材料有限公司
发明人：孙刚 , 杨光辉 , 陈玉平
IPC分类号： C08J7/046 , C08J7/044 , C08J7/04 , C09D165/00 , C09D5/24 , C09D133/00 , C09D175/04 , C09D7/65 , C08L67/02
摘要：本发明涉及离型膜技术领域，具体是一种双抗防静电离型膜及其制备工艺，离型膜包括基膜、抗静电层与离型层，基膜1的两面分别设有抗静电层，抗静电层的表面设有耐磨层，至少其中一个耐磨层的表面设置离型层，在制备工艺中，耐磨层采用聚四氟乙烯制成，既可以提供耐磨特性，同时可以提高耐热特性；离型层的采用非硅离型剂，主要成分为丙烯酸酯、聚氨酯、相容剂、催化剂、稳定剂与锚固剂，本发明的离型膜通过丙烯酸酯与聚氨酯的共混反应生成，具备良好的断裂拉伸性能，并且具备良好的耐水性与耐溶剂性，避免了含硅离型膜存在的硅转移的问题，设有两层抗静电层，可以降低剥离电压，避免对物造成破坏。

7. 发明公开

CN116964165A 共轭蒽二噻吩三元共聚物和包含它们的光伏器件审中-实审
公开(公告)号：CN116964165A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280019764.8
申请日：2022-03-07
申请人：埃尼股份公司
发明人：加布里埃尔·比安奇 , 法比奥·梅尔基奥雷 , 菲奥伦扎·西蒙妮
IPC分类号： C09D165/00
摘要：具有通式(I)的共轭蒽二噻吩三元共聚物：其中：‑Q，彼此相同或不同，代表氮原子；或者它们选自C‑R1基团，其中R1代表氢原子，或者选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10，任选取代的环烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基；W，彼此相同或不同，代表氢原子；或者它们选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10；W1，彼此相同或不同，代表氢原子；或者它们选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10；X，彼此相同或不同，代表硫原子、氧原子、硒原子；Y，彼此相同或不同，代表氧原子、硫原子；Z，彼此相同或不同，选自氨基‑N‑R2R3，其中R2代表氢原子，或选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10，或选自任选取代的环烷基且R3选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10，或选自任选取代的环烷基；或它们选自‑O‑R4基团，其中R4选自直链或支链的C1‑C30烷基，优选C2‑C24，任选取代的环烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基；或它们选自R5‑O‑[CH2‑CH2‑O]n1‑聚乙烯氧基，其中R5选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10，n1是1‑4范围内的整数；或它们选自‑R6‑OR7基团，其中R6选自直链或支链的C1‑C20亚烷基，优选C2‑C10且R7代表氢原子或选自直链或支链的C1‑C20烷基，优选C2‑C10；或它们选自R5‑[‑OCH2‑CH2‑]n1‑聚乙烯氧基，其中R5具有与上述相同的含义且n1是1‑4范围内的整数；或者它们选自R‑S‑硫醇基团，其中R选自直链或支链的烷基C1‑C20，优选C2‑C10；A代表电子受体基团；电子供体基团；或者选自任选取代的芳基、任选取代的杂芳基；l和m，彼此相同或不同，代表1‑9范围内的整数，优选l是1或2，m是8或9；n是10至500范围内，优选20至300范围内的整数。所述共轭蒽二噻吩三元共聚物可有利地用于在刚性载体或柔性载体上构建光伏器件(或太阳能器件)，例如光伏电池(或太阳能电池)、光伏组件(或太阳能组件)。#imgabs0#

8. 发明授权

CN114106032B 噻吩单体的制备方法及其在制备聚噻吩防腐涂料中的应用有权
公开(公告)号：CN114106032B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202111534266.0
申请日：2021-12-15
申请人：江西省科学院应用化学研究所
发明人：曾国屏 , 韩晓丹 , 董晓娜 , 孙复钱 , 张军
IPC分类号： C07F7/08 , C09D165/00 , C09D5/08
摘要：本发明属于有机高分子光电材料技术领域，公开一种噻吩单体的制备方法，其以含氟、硅原子团的环丙酰胺类化合物和异硫氰酸酯为原料，依次通过分子间[3+2]环合/水解/还原/脱水/氧化反应，高产率制备含氟、硅原子团的噻吩单体，从而为高性能聚噻吩防腐涂料的研制提供新思路，同时拓展了聚噻吩类单体化合物的筛选库；同时，提供上述方法制备得到的噻吩单体在制备聚噻吩防腐涂料中的应用。

9. 发明授权

CN114213632B 一种具有抗蛋白吸附的两亲性含氟共聚物膜的制备方法及应用有权
公开(公告)号：CN114213632B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202111528574.2
申请日：2021-12-14
申请人：济南大学
发明人：李辉 , 燕晴 , 赵绚 , 冯威 , 史大阔 , 袁靓
IPC分类号： C08G61/08 , C09D165/00 , C09D5/16
摘要：本发明提供一种具有抗蛋白吸附的两亲性含氟共聚物膜的制备方法，利用烯烃易位聚合制备两亲性含氟烯烃共聚物，通过溶液浇铸法或旋涂法得到共聚物薄膜。制备的共聚物具有良好抗蛋白粘附性能，属于防污膜材料的制备及应用领域。将两亲性含氟共聚物溶于溶剂中，配制成一定浓度的聚合物溶液，然后将该溶液采用溶液浇铸法或旋涂法涂覆在基材上，在一定温度下干燥后即得共聚物膜。

10. 发明授权

CN113861050B 光敏型化合物、由其制备的抗溶剂型空穴传输层材料及其应用有权
公开(公告)号：CN113861050B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111115680.8
申请日：2021-09-23
申请人：材料科学姑苏实验室 , 上海锐尔发数码科技有限公司
发明人：易袁秋强 , 苏文明 , 刘扬
IPC分类号： C07C217/92 , C07C213/06 , H10K50/15 , H10K50/115 , H10K85/10 , H10K85/60 , C09D165/00 , C09D7/63
摘要：本发明公开了一类含有二苯甲酮基与三芳基胺基组合的光敏型小分子空穴传输材料，该类材料具有与量子点发光材料匹配的合适能级与迁移率，其自身就可以作为QLED的空穴传输层材料，器件性能与基于TFB的器件接近。本发明还提供了所述光敏型小分子空穴传输材料的制备方法，以及由其制备的抗溶剂型空穴传输层材料及其应用。本发明的光敏型空穴传输材料与TFB制备的交联型空穴传输层，有效地克服了聚合物空穴传输材料TFB的不抗溶剂性，实现了空穴传输层100％的抗溶剂性，可以有效避免层间侵蚀问题。

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