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1. 发明授权

CN105612460B 独立于偏振的干涉仪有权
公开(公告)号：CN105612460B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201480055807.3
申请日：2014-09-11
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , A·J·登博夫 , J·L·克罗策 , S·G·J·马斯杰森
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7069 , G01B9/02011 , G01B9/02015 , G01B11/272 , G01B2290/70 , G03F9/7049 , G03F9/7088
摘要：设备、系统和方法用于使用独立于偏振的干涉仪来检测衬底上的特征的对准。设备、系统和方法包括接收从衬底上的标记衍射或散射的光的光学元件。光学元件可以将衍射光分裂成由一个或多个检测器进行检测的多个子光束。衍射光可以可选地或者在检测之后的处理期间进行组合。系统可以基于具有任何偏振角度或状态的接收到的衍射光来确定对准和/或重叠。

2. 发明公开

CN105612460A 独立于偏振的干涉仪有权
公开(公告)号：CN105612460A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055807.3
申请日：2014-09-11
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , A·J·登博夫 , J·L·克罗策 , S·G·J·马斯杰森
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7069 , G01B9/02011 , G01B9/02015 , G01B11/272 , G01B2290/70 , G03F9/7049 , G03F9/7088
摘要：设备、系统和方法用于使用独立于偏振的干涉仪来检测衬底上的特征的对准。设备、系统和方法包括接收从衬底上的标记衍射或散射的光的光学元件。光学元件可以将衍射光分裂成由一个或多个检测器进行检测的多个子光束。衍射光可以可选地或者在检测之后的处理期间进行组合。系统可以基于具有任何偏振角度或状态的接收到的衍射光来确定对准和/或重叠。

3. 发明公开

CN114667446A 用于过滤图像的方法和相关联的量测设备审中-实审
公开(公告)号：CN114667446A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080065378.3
申请日：2020-09-03
申请人： ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： A·E·A·科伦 , J·克鲁泽 , N·梅塔 , 帕特里克·华纳 , V·T·滕纳 , P·A·J·廷尼曼斯 , H·克拉莫
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20
摘要：披露了一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法。所述方法包括：接收表示由所述区域所散射的辐射的一部分的辐射信息；以及在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。

4. 发明授权

CN108112267B 用于光刻设备的对准传感器有权
公开(公告)号：CN108112267B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201680054143.8
申请日：2016-08-23
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
发明人： A·波洛 , S·G·J·马斯杰森 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·D·克斯顿 , R·J·哈弗林
IPC分类号： G03F9/00 , G02B6/293
摘要：一种光刻设备包括被配置用于确定包括周期性结构的对准目标的位置的对准传感器。对准传感器包括解多路复用器(700)以解多路复用多个强度通道(一个示出为在光纤702处的输出)。解多路复用器包括串联设置的多个级以及许多解多路复用部件(706，708a,b，710a‑d，712a‑h)，每个解多路复用部件可操作用于划分输入辐射束为两个辐射束部分。第一级具有设置用于接收入射辐射束作为输入辐射束的第一解多路复用部件(706)。每个后续级设置使其具有两倍于前一级的解多路复用部件的数目，在第一级之后每个级的每个解多路复用部件接收从前一级的解多路复用部件输出的辐射束部分的一个作为输入。

5. 发明公开

CN108112267A 用于光刻设备的对准传感器有权
公开(公告)号：CN108112267A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201680054143.8
申请日：2016-08-23
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
发明人： A·波洛 , S·G·J·马斯杰森 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·D·克斯顿 , R·J·哈弗林
IPC分类号： G03F9/00 , G02B6/293
摘要：一种光刻设备包括被配置用于确定包括周期性结构的对准目标的位置的对准传感器。对准传感器包括解多路复用器(700)以解多路复用多个强度通道(一个示出为在光纤702处的输出)。解多路复用器包括串联设置的多个级以及许多解多路复用部件(706，708a,b，710a-d，712a-h)，每个解多路复用部件可操作用于划分输入辐射束为两个辐射束部分。第一级具有设置用于接收入射辐射束作为输入辐射束的第一解多路复用部件(706)。每个后续级设置使其具有两倍于前一级的解多路复用部件的数目，在第一级之后每个级的每个解多路复用部件接收从前一级的解多路复用部件输出的辐射束部分的一个作为输入。

6. 发明授权

CN112513742B 用于确定在衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法有权
公开(公告)号：CN112513742B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980051246.2
申请日：2019-07-01
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , 帕特里克·华纳 , V·T·滕纳 , M·范德斯卡
IPC分类号： G03F7/20
摘要：披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构，所述方法包括：确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场；确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场；和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉，以获得按计算方式确定的干涉电场。

7. 发明公开

CN116758012A 确定与在衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法、掩模版、衬底审中-实审
公开(公告)号：CN116758012A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310622332.2
申请日：2019-05-17
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： L·特里波迪 , 帕特里克·华纳 , G·格热拉 , M·哈伊赫曼达 , F·法哈德扎德 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , 安卓尼斯·科内利斯·马修斯·科普曼 , 弗兰克·斯塔尔斯 , 布伦南·彼得森 , A·B·范奥斯汀
IPC分类号： G06T7/00 , G06N3/08 , G01N21/49 , G01N21/84 , G03F1/38 , G03F7/20
摘要：公开了一种确定与衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法、掩模版、衬底。方法包括：获得结构的输入图像；和使用训练后的神经网络以从所述输入图像确定感兴趣的特性。

8. 发明授权

CN107850862B 光刻设备和器件制造方法有权
公开(公告)号：CN107850862B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20
摘要：描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；‑将位置偏差分组成数据集；‑确定平均数据集；‑从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；‑对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；‑将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。

9. 发明公开

CN107077079A 测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法有权
公开(公告)号：CN107077079A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058279.1
申请日：2015-08-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·博兹库尔特 , M·J·J·加克 , P·A·J·廷尼曼斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G06T7/0004 , G03F7/705 , G03F7/70591 , G03F7/70633 , G06T7/11 , G06T2207/10061 , G06T2207/20224 , G06T2207/30148
摘要：基于目标的图像的强度测量目标结构的属性。方法包括(a)获得目标结构的图像；(b)限定(1204)多个候选感兴趣区域，各候选感兴趣区域包括在图像中的多个像素；(c)至少部分基于在感兴趣区域内的像素的信号值来限定(1208，1216)用于候选感兴趣区域的优化度量值；(d)限定(1208，1216)目标信号函数，目标信号函数限定了图像中的各像素对目标信号值的贡献。各像素的贡献取决于(i)哪个候选感兴趣区域包含该像素和(ii)那些候选感兴趣区域的优化度量值。

10. 发明授权

CN108027571B 光刻设备和器件制造方法有权
公开(公告)号：CN108027571B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680049908.9
申请日：2016-07-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20
摘要：本发明描述了一种用于传感器的初始化方法，传感器被配置成使用相应的多个不同的测量参数来执行对象的属性的多个测量，该多个测量中的不同的测量使用不同的测量参数，方法包括：基于该多个测量估计属性的特性，特性包括由相应的加权系数加权的该多个测量的相应的测量的相应的结果的组合；使用该对象的多个模型，多个模型中的每个相应的模型被配置成使得能够执行该多个测量的相应的仿真；针对多个模型中的相应的模型中的每个执行相应的仿真，相应的仿真包括在相应的多个不同的仿真参数的控制下仿真该多个测量以获得该属性的相应的多个仿真的特性，多个不同的仿真参数指示该多个不同的测量参数；针对多个模型中的每个相应的模型确定相应的偏差，该相应的偏差表示根据相应的模型的该属性的相应的理论特性与相应的模型中的该属性的仿真的特性的相应的进一步组合之间的相应的差；仿真的特性的相应的进一步组合包括多个加权系数，多个加权系数中的每个特定加权系数与多个不同的仿真参数中的特定的一个相关联；使用被配置成优化该属性的仿真的特性与该属性的理论特性之间的对应性的成本函数；该成本函数是多个模型的相应的偏差的函数；优化该成本函数，由此从该成本函数导出多个加权系数；在与传感器相关联的控制器中使用该加权系数以及关联的仿真参数。

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