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1. 发明公开

CN117594684A 双面混合太阳能电池及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN117594684A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211622637.5
申请日：2022-12-16
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：吴帅 , 张东威 , 章金生 , 叶枫 , 方亮 , 徐希翔
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/20
摘要：本发明公开了双面混合太阳能电池及其制备方法，双面混合太阳能电池包括：半导体基底；隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；氧化铝层和减反层；本征非晶硅层和掺杂非晶硅层。通过在正面的第一区域设置掺杂的poly finger(即掺杂多晶硅层)，降低了正面的寄生光吸收，解决了HJT电池中正面全面的非晶硅导致寄生吸收较高的问题。且在正面的第二区域设置氧化铝层和减反层，对第二区域进行钝化，降低了正面的复合，增加了少数载流子寿命，进一步降低了反射率。且本发明在第一区域设置的掺杂多晶硅层，在第二区域设置的氧化铝层，对于清洗要求低(相对于HJT电池对非晶硅钝化绒面的清洗要求高而言)，降低了工艺难度。

2. 发明公开

CN115513308A 背接触太阳能电池及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN115513308A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211056084.1
申请日：2022-08-31
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：张东威 , 吴帅 , 李云朋 , 叶枫 , 方亮 , 徐希翔
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要：本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底；隧穿氧化层和掺杂晶硅层，隧穿氧化层在第一区域上，掺杂晶硅层在隧穿氧化层的远离半导体基底的表面上；本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，掺杂晶硅层与掺杂非晶硅层的导电类型相反，本征非晶硅层在第二区域上，并延伸在掺杂晶硅层的远离遂穿氧化层的部分表面上，掺杂非晶硅层在本征非晶硅层的远离半导体基底的表面上；隔离结构，隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明既增大了背接触太阳能电池的制备工艺窗口，降低了工艺难度，又提高了掺杂区的表面钝化效果，从而使太阳能电池的Eta、Uoc、FF均能达到与现有的HBC电池结构相当的水平。

3. 发明授权

CN116130530B Topcon太阳能电池及其制备方法有权
公开(公告)号：CN116130530B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211089812.9
申请日：2022-09-07
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：吴帅 , 张东威 , 张鹏 , 李云朋 , 叶枫 , 方亮
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要：本发明公开了Topcon太阳能电池及其制备方法，Topcon太阳能电池包括：具有相对的正面和背面的单晶硅层；第一掺杂区，第一掺杂区包括掺杂硅层，掺杂硅层设置在正面；第一电极；第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区的导电类型相反，第二掺杂区包括多个间隔设置的第二子掺杂区，第二子掺杂区包括隧穿氧化层和掺杂晶硅层，隧穿氧化层设置在背面，掺杂晶硅层设置在隧穿氧化层的远离单晶硅层的表面；第二电极。本发明通过将背面的第二掺杂区分为多个间隔设置的第二子掺杂区，改善了背面因全面积钝化而导致的poly寄生吸收问题，且有效解决了poly厚度做厚后接触电阻变好，但电流降低的问题。

4. 发明公开

CN115832065A 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件审中-实审
公开(公告)号：CN115832065A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211516779.3
申请日：2022-11-29
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：张东威 , 吴帅 , 李云朋 , 叶枫 , 方亮 , 徐希翔
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要：本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，用于同时防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的横向界面和纵向界面处产生漏电。所述背接触电池包括：硅基底、第一钝化层、第一掺杂半导体层、第二钝化层、第二掺杂半导体层和绝缘层。第一钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置于硅基底具有的背光面上。第二钝化层和第二掺杂半导体层依次层叠设置于背光面上。层叠设置的第二钝化层和第二掺杂半导体层覆盖层叠设置的第一钝化层和第一掺杂半导体层的部分区域，第二掺杂半导体层和第一掺杂半导体层的导电类型相反。绝缘层至少位于第二钝化层和第一掺杂半导体层之间，用于将第二钝化层和第一掺杂半导体层间隔开。

5. 发明公开

CN115513307A 背接触太阳能电池及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN115513307A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211053775.6
申请日：2022-08-31
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：张东威 , 吴帅 , 李云朋 , 叶枫 , 方亮 , 徐希翔
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要：本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个第一区域、第二区域和交错叠置区域；遂穿氧化层和P型掺杂晶硅层；第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明通过将不同温度选择性钝化接触技术结合到IBC结构得到了一种杂化的背接触电池技术，进而解决了HBC结构n区工艺窗口窄而导致的容易伤害n区的问题以及传统HBC电池制造过程成本高和制备工艺复杂的问题，降低了工艺难度和制造成本。

6. 发明公开

CN116130530A Topcon太阳能电池及其制备方法有权
公开(公告)号：CN116130530A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211089812.9
申请日：2022-09-07
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：吴帅 , 张东威 , 张鹏 , 李云朋 , 叶枫 , 方亮
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要：本发明公开了Topcon太阳能电池及其制备方法，Topcon太阳能电池包括：具有相对的正面和背面的单晶硅层；第一掺杂区，第一掺杂区包括掺杂硅层，掺杂硅层设置在正面；第一电极；第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区的导电类型相反，第二掺杂区包括多个间隔设置的第二子掺杂区，第二子掺杂区包括隧穿氧化层和掺杂晶硅层，隧穿氧化层设置在背面，掺杂晶硅层设置在隧穿氧化层的远离单晶硅层的表面；第二电极。本发明通过将背面的第二掺杂区分为多个间隔设置的第二子掺杂区，改善了背面因全面积钝化而导致的poly寄生吸收问题，且有效解决了poly厚度做厚后接触电阻变好，但电流降低的问题。

7. 发明授权

CN111366456B 一种电池片机械载荷能力的测试方法有权转让
公开(公告)号：CN111366456B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811592890.4
申请日：2018-12-25
申请人：芜湖隆基光伏科技有限公司 , 隆基绿能科技股份有限公司
发明人：仲春华 , 王建波 , 吕俊 , 朱琛 , 张东威 , 杨飞
IPC分类号： G01N3/08
摘要：本发明提供了一种电池片机械载荷能力的测试方法，包括，在电池片的主栅线上焊接焊带；将焊接有焊带的电池片放置于支撑杆上；支撑杆的数量至少为2个；相邻两支撑杆的端点或轴向延长线相交于一点，每一支撑杆均与水平面不共面，支撑杆为电池片提供非均匀的支撑力；对承载于支撑杆上的电池片施加压紧力，直至电池片断裂；测量电池片断裂时的参数。本发明将待测试的电池片进行焊带焊接，以模拟电池片在实际工况中受到的焊接应力，同时，测试过程中支撑杆为电池片提供非均匀的支撑力，使电池片本身产生扭曲力，以模拟电池片在实际工况中受到的扭曲力；能够提高测试结果的一致性，而且测试过程简单、易操作。(56)对比文件JP 2002236082 A,2002.08.23JP 2002323486 A,2002.11.08JP 2013044185 A,2013.03.04KR 20160087143 A,2016.07.21TW 201411126 A,2014.03.16US 2010313637 A1,2010.12.16US 2013021051 A1,2013.01.24US 2013174889 A1,2013.07.11US 2013305835 A1,2013.11.21US 2017038338 A1,2017.02.09CN 206907783 U,2018.01.19CN 206057088 U,2017.03.29CN 103674727 A,2014.03.26CN 203606221 U,2014.05.21CN 106230383 A,2016.12.14CN 208187725 U,2018.12.04CN 102706746 A,2012.10.03CN 102706739 A,2012.10.03CN 203069447 U,2013.07.17KR 20160087582 A,2016.07.22CN 203083893 U,2013.07.24CN 103308397 A,2013.09.18US 2014144428 A1,2014.05.29CN 207147729 U,2018.03.27CN 108711582 A,2018.10.26JP 2003307477 A,2003.10.31DE 10339519 A1,2005.03.17吕俊.光伏垂直一体化--开启PERC新时代.《第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会》.2018,第1-34页.马文勇等.太阳能光伏板风荷载分布模型试验研究《.振动与冲击》.2017,第36卷(第7期),第8-13页.孟力等.定日镜镜面弯曲机构设计及面形优化《.机械工程学报》.2013,第49卷(第11期),第36-42页.Aßmus Marcus 等.Consideration of non-uniform and non-orthogonal mechanicalloads for structural analysis ofphotovoltaic composite structures.《Mechanics for Materials andTechnologies》.2017,第47卷第73-122页.

8. 发明公开

CN115513309A 背接触太阳能电池及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN115513309A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211062923.0
申请日：2022-08-31
申请人：隆基绿能科技股份有限公司
发明人：吴帅 , 张东威 , 杨建超 , 李云朋 , 叶枫 , 方亮
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要：本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个非凹槽区域和多个凹槽区域，所述非凹槽区域和所述凹槽区域交替排列在所述第一表面；遂穿氧化层和N型掺杂晶硅层；第一本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明既增大了背接触太阳能电池的制备工艺窗口，降低了工艺难度，又提高了P区的表面钝化效果，使太阳能电池的性能能达到与现有的HBC电池结构相当的效果。

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