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1. 实用新型

CN211249980U 一种便于固定的建筑工具箱失效
公开(公告)号：CN211249980U
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201921264208.9
申请日：2019-08-06
申请人：解文攀 , 李合朝 , 李伟 , 牛志成 , 梁训潮 , 陈代兴 , 李少龙 , 史珺 , 吕永生
发明人：解文攀 , 李合朝 , 李伟 , 牛志成 , 梁训潮 , 陈代兴 , 李少龙 , 史珺 , 吕永生 , 李锐
IPC分类号： B25H3/02
摘要：本实用新型公开了一种便于固定的建筑工具箱，包括箱体，所述箱体的顶部安装有箱盖，所述箱体的底部左侧设有左侧门，所述箱体的底部右侧设有右侧门，所述箱体的内壁安装有托板，所述托板的顶部安装有电机，所述箱体的底部设有收集仓，所述收集仓的左侧设有电源箱，所述电源箱与箱体相连，所述电源箱的内壁安装有电源，所述电源通过导线与电机电性连接。该便于固定的建筑工具箱，通过电机、转杆和轴套之间的配合，电机为交流伺服电机，能够通过调节电流通过电机所产生功率的大小，调节电机的转速，通过调节电机的转速提高切刀的切割效率，降低现场工人的操作强度，适合推广使用。

2. 实用新型

CN211433657U 一种建筑施工用护镜失效
公开(公告)号：CN211433657U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201921267495.9
申请日：2019-08-07
申请人：谢艳艳 , 牛翠娟 , 柳海亮 , 周辉 , 沈鹏 , 李合朝 , 白运东 , 沈志远 , 史珺
发明人：谢艳艳 , 牛翠娟 , 柳海亮 , 周辉 , 沈鹏 , 李合朝 , 白运东 , 沈志远 , 史珺 , 李蛟
IPC分类号： A61F9/02
摘要：本实用新型提供了一种建筑施工用护镜，包括镜框、弹力带和放置腔，弹力带固定连接于镜框的两端后侧，放置腔嵌入于镜框两侧下端,镜框包括平光镜片、排汗槽、镜片槽、软垫层、通风口和防尘网，平光镜片固定镶嵌于镜框正前端，排汗槽嵌入于镜框顶部后方，镜片槽贯穿于镜框顶部中间，软垫层固定连接于镜片槽内侧，通风口贯穿于镜框两端，防尘网固定连接于通风口内侧。设置有排汗槽，通过设置排汗槽使得流出的汗液可以经凹槽从镜框外侧流出,不会因为汗水流到镜框表面造成平光镜片斑驳影响视线，造成工作效率降低，适用于建筑施工用护镜的生产和使用，具有良好的发展前景。

3. 发明公开

CN113282938A 利用芯片防伪印章生成网络空间中虚拟印章的方法及应用审中-实审
公开(公告)号：CN113282938A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110611759.3
申请日：2021-06-02
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： G06F21/60 , G06F21/62 , G06Q10/10
摘要：本发明公开了一种利用芯片防伪印章生成网络空间中虚拟印章的方法及应用，其中，该方法涉及包括内设安全芯片的芯片防伪印章，所述安全芯片的芯片信息包括安全芯片的全球唯一序列码、所有者公钥和所有者私钥，该方法为用所有者私钥对芯片防伪印章的安全芯片的全球唯一序列码，采用第一次加密算法进行加密运算，形成一份数字证书，该数字证书为虚拟印章。本发明解决了现有技术中存在的问题一：如何在网络签章时使得虚拟印章和实体印章有效关联起来的问题；问题二：如何提高网络签章时使得虚拟印章的安全性和防伪性的问题。

4. 发明公开

CN112519014A 一种用于铸锭单晶的籽晶制备方法及其铺设方法有权
公开(公告)号：CN112519014A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011340851.2
申请日：2020-11-25
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： B28D5/00 , B24B1/00 , C30B15/36
摘要：本发明公开了一种用于铸锭单晶的籽晶制备方法及其铺设方法。它具体包括如下步骤：在籽晶生长阶段，先确定晶体的生长方向所对应的晶向，沿确定的晶体生长方向进行垂直生长，且要采用无位错单晶的制备方法来进行，将籽晶生长为棒料；在籽晶加工阶段，首先要沿籽晶的生长方向对应晶向将籽晶棒切割成截面为正方形的棒料；棒料切好后，再将籽晶切割成籽晶块料切好后，对籽晶块料进行研磨、倒角加工，然后进行碱洗，以消除加工时籽晶表面的损伤层。本发明的有益效果是：不会产生多晶形核，从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性；能够消除籽晶中50%的位错，而且在整个单晶的生长过程中，能够使位错的产生几率降到最低。

5. 发明公开

CN112076277A 一种用于美白祛斑养颜的组合物无效
公开(公告)号：CN112076277A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011224987.7
申请日：2020-11-05
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： A61K36/8905 , A61K36/87 , A61P17/00 , A61P29/00 , A61P17/10 , A61K35/644 , A61K35/64 , A61K35/618
摘要：本发明属于中药材应用技术领域，具体涉及一种用于美白祛斑养颜的组合物；提供了一种内服外敷配合，药性温和的用于治疗粉刺的美容养颜的中药组合物；其内服药由以下重量份的药材组成：当归5‑25份，川芎1‑20份，炒白芍5‑25份，生地10‑40份，艾叶3‑20份，香附1‑20份，赤芍1‑20份，柴胡1‑20份，苍术1‑18份，辛夷1‑18份；其外敷药由以下重量份的药材组成：白茯苓15‑50份，虎杖5‑20份，白芷5‑25份，白术5‑25份，白芍5‑25份，白蔹5‑25份，益母草5‑25份，甘草5‑25份，僵蚕10‑20份，柴胡5‑25份，红花5‑25份，当归5‑25份，薄荷10‑20份，黄芪5‑25份，附子5‑10份，珍珠粉15‑50份，青黛5‑20份，蜂蜜15‑50份，本发明广泛应用于中药美容技术领域。

6. 发明授权

CN112519014B 一种用于铸锭单晶的籽晶制备方法及其铺设方法有权
公开(公告)号：CN112519014B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011340851.2
申请日：2020-11-25
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： B28D5/00 , B24B1/00 , C30B15/36
摘要：本发明公开了一种用于铸锭单晶的籽晶制备方法及其铺设方法。它具体包括如下步骤：在籽晶生长阶段，先确定晶体的生长方向所对应的晶向，沿确定的晶体生长方向进行垂直生长，且要采用无位错单晶的制备方法来进行，将籽晶生长为棒料；在籽晶加工阶段，首先要沿籽晶的生长方向对应晶向将籽晶棒切割成截面为正方形的棒料；棒料切好后，再将籽晶切割成籽晶块料切好后，对籽晶块料进行研磨、倒角加工，然后进行碱洗，以消除加工时籽晶表面的损伤层。本发明的有益效果是：不会产生多晶形核，从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性；能够消除籽晶中50%的位错，而且在整个单晶的生长过程中，能够使位错的产生几率降到最低。

7. 发明授权

CN100359331C 旋钮自动检测方法及设备失效
公开(公告)号：CN100359331C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510032841.1
申请日：2005-01-14
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： G01R31/00 , H01L21/66
摘要：一种旋钮自动检测方法及设备，其中，方法包括如下步骤：a、在专用检测设备的计算机内设定每个工位的测试参数及每个旋钮的测试次数和故障判据；b、将被测旋钮装入专用检测设备的旋钮定位机构内，使旋钮轴心与驱动旋钮的电机的轴心保持同心；c、通过人机界面输入被测旋钮的ID号，并启动自动测试过程；d、由专用检测设备的控制装置确定被测旋钮的旋转原点，并由夹持机构夹持旋钮；e、由专用检测设备的控制装置控制驱动电机按预定角度和档位进行运转检测；f、采集检测数据，如符合预定的测试参数要求和达到预定次数，则完成测试，并保存数据；g、将测试数据由人机界面显示，并自动生成测试报表。设备包括旋钮定位机构10、旋钮输送机构20、旋钮夹持机构30、旋钮驱动机构40、控制机构50及机架60。本发明使旋钮检测过程可自动进行，可实时显示测试状态，自动生成测试报表，能有效降低劳动强度，大大提高工作效率。

8. 发明公开

CN1645156A 旋钮自动检测方法及设备失效
公开(公告)号：CN1645156A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510032841.1
申请日：2005-01-14
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： G01R31/00 , H01L21/66
摘要：一种旋钮自动检测方法及设备，其中，方法包括如下步骤：a.在专用检测设备的计算机内设定每个工位的测试参数及每个旋钮的测试次数和故障判据；b.将被测旋钮装入专用检测设备的旋钮定位机构内，使旋钮轴心与驱动旋钮的电机的轴心保持同心；c.通过人机界面输入被测旋钮的ID号，并启动自动测试过程；d.由专用检测设备的控制装置确定被测旋钮的旋转原点，并由夹持机构夹持旋钮；e.由专用检测设备的控制装置控制驱动电机按预定角度和档位进行运转检测；f.采集检测数据，如符合预定的测试参数要求和达到预定次数，则完成测试，并保存数据；g.将测试数据由人机界面显示，并自动生成测试报表。设备包括旋钮定位机构10、旋钮输送机构20、旋钮夹持机构30、旋钮驱动机构40、控制机构50及机架60。本发明检使旋钮测过程可自动进行，可实时显示测试状态，自动生成测试报表，能有效降低劳动强度，大大提高工作效率。

9. 发明公开

CN101255598A 太阳能等级多晶硅的制备方法无效转让
公开(公告)号：CN101255598A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710172387.9
申请日：2007-12-17
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： C30B29/06 , C01B33/025 , C01B33/037
摘要：一种太阳能等级多晶硅的制备方法，根据精料原则选择硅矿石，在精炼阶段通过多层次和多阶段的化学反应，通过造渣进一步提纯，并进而通过物理提纯的方法精密去除微小含量的杂质，从而制备出能够满足太阳能电池制造的多晶硅。本发明提供的一种太阳能等级多晶硅的制备方法，工艺阶段分明，化学反应量小，耗电量小，而且无污染排放，可以大幅度地降低多晶硅生产的投资成本和生产成本，本发明由于在物理法的基础上有效地结合了高温冶金化学方法，因而工艺更加简便，成本比物理法更低，可进行大规模生产。

10. 实用新型

CN214327963U 一种用于铸锭单晶硅的籽晶坩埚结构有权
公开(公告)号：CN214327963U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202022755946.2
申请日：2020-11-25
申请人：史珺
发明人：史珺
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/14 , C30B29/06
摘要：本实用新型公开了一种用于铸锭单晶硅的籽晶坩埚结构。它包括籽晶和坩埚，所述籽晶的横截面形状呈正方形，所述坩埚的横截面形状呈U型，所述坩埚的底部中央设有凹槽，所述凹槽的尺寸与籽晶的尺寸相一致，所述的籽晶置于凹槽内且与凹槽无缝接触。本实用新型的有益效果是：能够提高保证在用铸锭法进行单晶生长时，结合上述坩埚结构，不会产生多晶形核，从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性；同时，结合籽晶与坩埚之间的结构设计，还能够消除籽晶中50%以上的位错，而且在整个单晶的生长过程中，能够使位错的产生几率降到最低。

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