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1. 发明授权

CN117296081B 显示装置、显示方法以及计算机可读存储介质有权
公开(公告)号：CN117296081B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202380011283.7
申请日：2023-02-17
申请人：株式会社爱发科
发明人：茶谷宏纪 , 林裕太 , 曾山俊也 , 川久保大辅
IPC分类号： G06T11/20
摘要：本发明的显示装置具备：显示控制部，执行显示控制处理，所述显示控制处理是对规定的显示目的地的动作进行控制，使所述显示目的地显示多个N维曲线图。将预先确定的多个种类的说明变量分别定义为显示候选说明变量，将预先确定的多个种类的目标变量分别定义为显示候选目标变量，所述N维曲线图中的每一个是示出所述显示候选说明变量中的Q‑1个种类的说明变量与所述显示候选目标变量中的一个种类的目标变量间的关系的曲线图，所述Q为2以上的整数。在多个所述N维曲线图中，包含第一曲线图和第二曲线图，所述第一曲线图和所述第二曲线图的说明变量是共同的，且目标变量互不相同。所述显示控制处理包括：在与固定值变更信息的获取有关的规定条件被满足的情况下，将使所述显示目的地显示的所述第一曲线图和所述第二曲线图更新为，因将辅助说明变量信息所示的辅助说明变量的值变更为所述固定值变更信息所示的当前变量值而引起的变化后的曲线图的处理，所述固定值变更信息包括：所述辅助说明变量信息，将辅助说明变量中的一个或多个指定为值变更对象；和示出当前变量值的信息。

2. 发明授权

CN108885994B 簇射头及真空处理装置有权
公开(公告)号：CN108885994B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780020497.5
申请日：2017-09-15
申请人：株式会社爱发科
发明人：神保洋介 , 山本良明 , 茶谷宏纪 , 西方靖 , 菊池亨
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要：本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。

3. 发明公开

CN117296081A 显示装置、显示方法以及程序有权
公开(公告)号：CN117296081A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202380011283.7
申请日：2023-02-17
申请人：株式会社爱发科
发明人：茶谷宏纪 , 林裕太 , 曾山俊也 , 川久保大辅
IPC分类号： G06T11/20
摘要：本发明的显示装置具备：显示控制部，执行显示控制处理，所述显示控制处理是对规定的显示目的地的动作进行控制，使所述显示目的地显示多个N维曲线图。将预先确定的多个种类的说明变量分别定义为显示候选说明变量，将预先确定的多个种类的目标变量分别定义为显示候选目标变量，所述N维曲线图中的每一个是示出所述显示候选说明变量中的Q‑1个种类的说明变量与所述显示候选目标变量中的一个种类的目标变量间的关系的曲线图，所述Q为2以上的整数。在多个所述N维曲线图中，包含第一曲线图和第二曲线图，所述第一曲线图和所述第二曲线图的说明变量是共同的，且目标变量互不相同。所述显示控制处理包括：在与固定值变更信息的获取有关的规定条件被满足的情况下，将使所述显示目的地显示的所述第一曲线图和所述第二曲线图更新为，因将辅助说明变量信息所示的辅助说明变量的值变更为所述固定值变更信息所示的当前变量值而引起的变化后的曲线图的处理，所述固定值变更信息包括：所述辅助说明变量信息，将辅助说明变量中的一个或多个指定为值变更对象；和示出当前变量值的信息。

4. 发明授权

CN110832624B 等离子体处理方法及等离子体处理装置有权
公开(公告)号：CN110832624B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201880044714.9
申请日：2018-06-21
申请人：株式会社爱发科
发明人：菊池亨 , 神保洋介 , 茶谷宏纪 , 西方靖 , 龟崎厚治
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。

5. 发明公开

CN110832624A 等离子体处理方法及等离子体处理装置有权
公开(公告)号：CN110832624A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044714.9
申请日：2018-06-21
申请人：株式会社爱发科
发明人：菊池亨 , 神保洋介 , 茶谷宏纪 , 西方靖 , 龟崎厚治
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。

6. 发明公开

CN108885994A 簇射头及真空处理装置有权
公开(公告)号：CN108885994A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020497.5
申请日：2017-09-15
申请人：株式会社爱发科
发明人：神保洋介 , 山本良明 , 茶谷宏纪 , 西方靖 , 菊池亨
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要：本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。

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