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1. 发明授权

CN102899716B 一种双向平动机构及区熔单晶炉有权
公开(公告)号：CN102899716B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210342795.5
申请日：2012-09-14
申请人：北京京运通科技股份有限公司
发明人：袁静 , 张继宏 , 徐振斌
IPC分类号： C30B13/26 , C30B13/00 , C30B29/06
摘要：本发明涉及区熔单晶硅技术领域，公开了一种双向平动机构，包括平动下板，固定于区熔单晶炉的上炉室；平动中板，与平动下板滑动装配；平动上板，与区熔单晶炉的上传动固定连接，且与平动中板滑动装配；驱动平动中板滑动的第一驱动装置，与平动下板相对固定；驱动平动上板滑动的第二驱动装置，与平动中板相对固定；平动中板相对平动下板的滑动方向与平动上板相对平动中板的滑动方向相互交叉；平动上板、平动中板和平动下板均具有贯穿其厚度方向的通孔。具有上述双向平动机构的区熔单晶炉，其上传动的上轴可以实现多个方向上的运动且可以自动对中，提高拉制单晶硅的成品率和气相掺杂的端面均匀性，保证晶体的高品质。本发明还提供了一种区熔单晶炉。

2. 发明公开

CN101680108A 生产单晶的方法和设备无效复审申请
公开(公告)号：CN101680108A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780052807.8
申请日：2007-04-13
申请人： TOPSIL半导体材料股份公司
发明人： P·瓦本加德 , A·尼尔森 , T·L·拉尔森 , J·E·彼德森 , L·詹森
IPC分类号： C30B13/26 , C30B13/32 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B13/26 , C30B13/32 , C30B13/34 , Y10T117/1084
摘要：公开了一种用于生产单晶的方法，包括：使多晶棒(1)通过加热区域12)以产生熔融区(3)，向所述熔融区施加磁场，和通过熔融材料在单晶种(4)上的凝固而引发单晶(5)的生长。生长中的单晶以在顺时针和逆时针旋转方向之间交替的模式旋转。所述方法对于生产具有均匀电特性的硅单晶是有用的。也公开了用于实施所述方法的设备。

3. 发明授权

CN112334605B 制备半导体材料的单晶的方法、实施该方法的装置以及硅半导体晶片有权
公开(公告)号：CN112334605B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201980042984.0
申请日：2019-06-04
申请人：硅电子股份公司
发明人： L·阿尔特曼绍夫尔 , G·迈斯特恩斯特 , G·拉特尼克斯 , S·齐策尔斯贝格尔
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/26 , C30B30/04
摘要：通过FZ法制备半导体材料的单晶的方法，实施该方法的设备以及硅半导体晶片。该方法包括在进料棒和生长的单晶之间产生熔融区；在第一感应线圈的高频磁场中熔化进料棒的材料；使生长的单晶顶部的熔融区的材料结晶；使生长的单晶围绕旋转轴旋转，并根据预定的模式改变旋转方向和旋转速度；以及在熔融区上施加第二感应线圈的交变磁场，其中交变磁场相对于生长的单晶的旋转轴不是轴对称的。

4. 发明公开

CN112334605A 制备半导体材料的单晶的方法、实施该方法的装置以及硅半导体晶片有权
公开(公告)号：CN112334605A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980042984.0
申请日：2019-06-04
申请人：硅电子股份公司
发明人： L·阿尔特曼绍夫尔 , G·迈斯特恩斯特 , G·拉特尼克斯 , S·齐策尔斯贝格尔
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/26 , C30B30/04
摘要：通过FZ法制备半导体材料的单晶的方法，实施该方法的设备以及硅半导体晶片。该方法包括在进料棒和生长的单晶之间产生熔融区；在第一感应线圈的高频磁场中熔化进料棒的材料；使生长的单晶顶部的熔融区的材料结晶；使生长的单晶围绕旋转轴旋转，并根据预定的模式改变旋转方向和旋转速度；以及在熔融区上施加第二感应线圈的交变磁场，其中交变磁场相对于生长的单晶的旋转轴不是轴对称的。

5. 发明公开

CN102899716A 一种双向平动机构及区熔单晶炉有权
公开(公告)号：CN102899716A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210342795.5
申请日：2012-09-14
申请人：北京京运通科技股份有限公司
发明人：袁静 , 张继宏 , 徐振斌
IPC分类号： C30B13/26 , C30B13/00 , C30B29/06
摘要：本发明涉及区熔单晶硅技术领域，公开了一种双向平动机构，包括平动下板，固定于区熔单晶炉的上炉室；平动中板，与平动下板滑动装配；平动上板，与区熔单晶炉的上传动固定连接，且与平动中板滑动装配；驱动平动中板滑动的第一驱动装置，与平动下板相对固定；驱动平动上板滑动的第二驱动装置，与平动中板相对固定；平动中板相对平动下板的滑动方向与平动上板相对平动中板的滑动方向相互交叉；平动上板、平动中板和平动下板均具有贯穿其厚度方向的通孔。具有上述双向平动机构的区熔单晶炉，其上传动的上轴可以实现多个方向上的运动且可以自动对中，提高拉制单晶硅的成品率和气相掺杂的端面均匀性，保证晶体的高品质。本发明还提供了一种区熔单晶炉。

6. 实用新型

CN202808993U 一种双向平动机构及区熔单晶炉失效
公开(公告)号：CN202808993U
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201220471427.6
申请日：2012-09-14
申请人：北京京运通科技股份有限公司
发明人：袁静 , 张继宏 , 徐振斌
IPC分类号： C30B13/26 , C30B13/00
摘要：本实用新型涉及区熔单晶硅技术领域，公开了一种双向平动机构，包括平动下板，固定于区熔单晶炉的上炉室；平动中板，与平动下板滑动装配；平动上板，与区熔单晶炉的上传动固定连接，且与平动中板滑动装配；驱动平动中板滑动的第一驱动装置，与平动下板相对固定；驱动平动上板滑动的第二驱动装置，与平动中板相对固定；平动中板相对平动下板的滑动方向与平动上板相对平动中板的滑动方向相互交叉；平动上板、平动中板和平动下板均具有贯穿其厚度方向的通孔。具有上述双向平动机构的区熔单晶炉，其上传动的上轴可以实现多个方向上的运动且可以自动对中，提高气相掺杂的端面均匀性，保证晶体的高品质。本实用新型还提供了一种区熔单晶炉。

7. 发明授权

US06840998B2 Silicon single crystal produced by crucible-free float zone pulling 有权
标题翻译：通过无坩埚浮动区域拉制生产的硅单晶
公开(公告)号：US06840998B2
公开(公告)日：2005-01-11
申请号：US10201431
申请日：2002-07-23
申请人： Ludwig Altmannshofer , Manfred Grundner , Janis Virbulis
发明人： Ludwig Altmannshofer , Manfred Grundner , Janis Virbulis
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B13/26 , C30B13/30 , B32B3/02 , C01B33/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/26 , Y10T428/21
摘要： A silicon single crystal is produced by crucible-free float zone pulling, has a diameter of at least 200 mm over a length of at least 200 mm and is free of dislocations in the region of this length. A silicon wafer is separated from the silicon single crystal by a process for producing the silicon single crystal. The silicon single crystal is produced by crucible-free float zone pulling in a receptacle, in which an atmosphere of inert gas and nitrogen exerts a pressure of 1.5-2.2 bar, the atmosphere being continuously exchanged, with the volume of the receptacle being exchanged at least twice per hour. A flat coil with an external diameter of at least 220 mm is inserted in order to melt a stock ingot. The single crystal is pulled at a rate in a range from 1.4-2.2 mm/min and is periodically rotated through a sequence of rotation angles. The direction of rotation is changed, after each rotation, by a rotation angle belonging to the sequence, a change in the direction of rotating defining a turning point on the circumference of the single crystal, and at least one recurring pattern of turning points is formed, in which the turning points are distributed on straight lines which are oriented parallel to the z-axis and are uniformly spaced apart from one another.
摘要翻译：通过无坩埚浮动区域拉伸制造硅单晶，在至少200mm的长度上具有至少200mm的直径，并且在该长度的区域中没有位错。通过制造硅单晶的工艺将硅晶片与硅单晶分离。硅单晶通过在容器中无坩埚浮动区域拉动而产生，其中惰性气体和氮气的气氛施加1.5-2.2巴的压力，连续更换气氛，将容器的体积更换为每小时至少两次。插入具有至少220mm的外径的扁平线圈以熔化原料锭。单晶以1.4-2.2mm / min的速率被拉伸，并且通过一系列旋转角度周期性地旋转。旋转方向在每次旋转之后改变属于该顺序的旋转角度，形成限定单晶圆周上的转折点的旋转方向的变化和至少一个转折点的重复图案其中转折点分布在平行于z轴取向并且彼此均匀间隔开的直线上。

8. 发明授权

US3401021A Apparatus of zone refining and controlling solute segregation in solidifying melts by electromagnetic means 失效
标题翻译：通过电磁手段在固化熔体中进行区域精炼和控制溶质分离的装置
公开(公告)号：US3401021A
公开(公告)日：1968-09-10
申请号：US48273365
申请日：1965-08-26
申请人： WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP
发明人： TILLER WILLIAM A , JOHNSTON WILLIAM C
IPC分类号： C30B13/26
CPC分类号： C30B13/26 , Y10T117/1088

9. 发明授权

US3287107A Electron beam furnaces 失效
公开(公告)号：US3287107A
公开(公告)日：1966-11-22
申请号：US13320261
申请日：1961-08-22
申请人： ASS ELECT IND
发明人： FRANK EATON NORMAN
IPC分类号： B23K15/00 , C30B13/22 , C30B13/26 , H01J37/16 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/305 , B23K15/00 , C30B13/22 , C30B13/26 , H01J37/16 , Y10S117/905 , Y10T117/1088

10. 发明申请

WO2008125104A1 METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的方法和装置
公开(公告)号：WO2008125104A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/DK2007/050044
申请日：2007-04-13
申请人： TOPSIL SIMICONDUCTOR MATERIALS A/S , VAABENGAARD, Per , NIELSEN, Anne , LARSEN, Theis, Leth , PETERSEN, Jan, Eyving , JENSEN, Leif
发明人： VAABENGAARD, Per , NIELSEN, Anne , LARSEN, Theis, Leth , PETERSEN, Jan, Eyving , JENSEN, Leif
IPC分类号： C30B13/26 , C30B13/32 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B13/26 , C30B13/32 , C30B13/34 , Y10T117/1084
摘要： A method is disclosed for producing a single crystal comprising passing a polycrystalline rod (1) through a heating region 12) to create a molten zone (3), applying a magnetic field to the molten zone, and inducing growth of a single crystal (5) upon solidification of the molten material on a single crystal seed (4). The growing single crystal is rotated in a pattern alternating between clockwise and counter-clockwise rotational directions. The method is useful for producing silicon single crystals having uniform electrical characteristics. Also disclosed is an apparatus for performing said method.
摘要翻译：公开了一种用于制造单晶的方法，包括使多晶棒（1）通过加热区域12）以产生熔融区（3），向熔融区施加磁场，并诱导单晶（5 ）在熔融材料固化在单晶种子（4）上。生长的单晶以顺时针和逆时针旋转方向交替的图案旋转。该方法对于生产具有均匀电特性的硅单晶是有用的。还公开了一种用于执行所述方法的装置。

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