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1. 发明公开

CN1080669A 地面贮罐底板外侧阴极保护新方法失效
公开(公告)号：CN1080669A
公开(公告)日：1994-01-12
申请号：CN92108479.X
申请日：1992-06-30
申请人：华东输油管理局
发明人：葛斗福 , 张宗旺 , 李春光 , 陈昆刚 , 樊增钊 , 张承典 , 徐乃欣
IPC分类号： C23C13/06
摘要：一种地面贮罐底板外侧阴极保护新方法，属于金属防腐蚀领域，包括三明治式保护结构：在贮罐原基础上，增铺石墨阳极层、固体电解质层组成的复合垫层，石墨参比电极埋于其中，阳极层通电点装置设于阳极层内，复合垫层外涂敷聚氨酯密封胶绝缘。外接恒电位仪，高阻抗电位表，构成阴极保护系统。贮罐底板阴极保护电位分布均匀，对罐区附近金属构筑物无干扰。不用绝缘法兰，延长贮罐寿命，节约维修经费，是一种经济而有效的控制贮罐底板外侧腐蚀的方法。

2. 发明授权

US4297383A Apparatus and method for obtaining fingerprints 失效
标题翻译：用于获得指纹的装置和方法
公开(公告)号：US4297383A
公开(公告)日：1981-10-27
申请号：US186624
申请日：1980-09-12
申请人： Louis P. Bourdon
发明人： Louis P. Bourdon
IPC分类号： A61B5/1172 , A61B5/10 , C23C13/06
CPC分类号： A61B5/1172
摘要： This invention relates to an apparatus and method for developing latent fingerprints on an object by fuming said object with the vapors of the chemical cyanoacrylate. Apparatus is disclosed comprising a first chamber to contain the object and to close to form an air tight seal, a second chamber to contain the chemical pool and vapors thereof and a pump system. The method involves pumping the vapors from the second chamber into the first chamber to develop the latent fingerprints on the object to be tested.
摘要翻译：本发明涉及通过用化学氰基丙烯酸酯的蒸汽发烟所述物体来在物体上显影潜在指纹的装置和方法。公开了一种装置，其包括第一室以容纳物体并关闭以形成气密密封，第二室容纳化学池和蒸汽，以及泵系统。该方法包括将蒸气从第二室泵送到第一室中以在被测物体上开发潜在指纹。

3. 发明授权

US4172171A Magnetic recording medium 失效
标题翻译：磁记录介质
公开(公告)号：US4172171A
公开(公告)日：1979-10-23
申请号：US848770
申请日：1977-11-04
申请人： Masaaki Suzuki , Ryuji Shirahata
发明人： Masaaki Suzuki , Ryuji Shirahata
IPC分类号： C09D5/23 , C09D7/12 , G11B5/64 , G11B5/66 , G11B5/716 , G11B5/85 , H01F41/20 , B32B7/00 , C23C13/06 , G11B5/74
CPC分类号： H01F41/20 , G11B5/716 , Y10S428/90 , Y10T428/24975
摘要： This invention relates to a magnetic recording medium which comprises a non-magnetic support, at least one magnetic recording layer containing a magnetic powder and a binder and being provided on the support and a ferromagnetic metal thin film with a thickness of at most 1 micron, being provided on the magnetic recording layer by an oblique incidence vapor deposition method with an electric field. This multi-layer magnetic recording medium exhibits various excellent magnetic recording performances.
摘要翻译：本发明涉及一种磁记录介质，其包括非磁性载体，至少一个包含磁性粉末和粘合剂的磁记录层，并且设置在载体上，厚度至多为1微米的强磁性金属薄膜，通过具有电场的倾斜入射气相沉积方法设置在磁记录层上。该多层磁记录介质具有各种优异的磁记录性能。

5. 发明授权

US4492180A Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor 失效
标题翻译：用于将选定的沉积掩模分选和对准衬底的设备及其方法
公开(公告)号：US4492180A
公开(公告)日：1985-01-08
申请号：US243825
申请日：1981-03-16
申请人： Richard T. Martin
发明人： Richard T. Martin
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/56 , G03F9/00 , C23C13/08 , C23C13/06
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/042 , G03F9/00
摘要： Apparatus for indexing and accurately registering a selected one of a plurality of deposition masks in operative relationship to a substrate comprising carriage means for supporting a plurality of deposition masks in an aligned spaced relationship relative to each other wherein each of the deposition masks has a selected number of prealigned registration members located thereon in a predetermined pattern and which are adapted to co-act with reference registration members loaded thereagainst, gantry means for supporting a substrate at a deposition station above the surface of the deposition masks having the prealigned registration members located thereon, reference registration members which are located on the substrate or around the periphery of the gantry means and which are directed towards and adapted to be loaded against the prealigned registration members to position the gantry means and the substrate relative to the selected one of said plurality of deposition masks, indexing means for transporting the carriage means including one or more deposition masks supported thereby or gantry means along a predetermined path and to index a selected one of the plurality of deposition masks to a deposition station, and gantry loading means which moves the carriage means and gantry means having the substrate and reference registration members toward each other to accurately register the substrate at a predetermined space and position relative to an indexed selected one of the plurality of deposition masks is shown. A method for indexing and accurately registering a substrate to a deposition mask is also shown.
摘要翻译：用于将与多个沉积掩模中选定的一个沉积掩模进行索引和精确对准的装置，所述沉积掩模具有可操作的关系，该基板包括用于相对于彼此以对准的间隔关系支撑多个沉积掩模的托架装置，其中每个沉积掩模具有选定数量以预定图案位于其上的预对准登记构件，其适于与加载在其上的参考登记构件共同作用，用于在位于其上的预对准登记构件的沉积掩模的表面上方的沉积站处支撑基板的台架装置，参考对准构件，其位于基板上或围绕台架装置的周边，并且朝向并适于相对于预对准配准构件加载以相对于所选择的多个沉积物中的所选择的一个沉积物定位台架装置和衬底面具，索引mea 用于传送包括由其支撑的一个或多个沉积掩模的托架装置或沿着预定路径的台架装置并将多个沉积掩模中的所选一个索引到沉积站;以及台架装载装置，其移动托架装置和龙门架装置使基板和基准对准元件彼此朝向彼此精确地对准衬底至预定的空间和相对于多个沉积掩模中选定的一个索引的位置的位置。还示出了用于将衬底分度和精确地配准到沉积掩模的方法。

6. 发明授权

US4469719A Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material 失效
标题翻译：用于控制沉积材料层的边缘梯度的方法
公开(公告)号：US4469719A
公开(公告)日：1984-09-04
申请号：US332497
申请日：1981-12-21
申请人： Richard T. Martin
发明人： Richard T. Martin
IPC分类号： C23C14/04 , C23C13/06
CPC分类号： C23C14/044
摘要： A method for controlling the slope of the edge gradient of a layer of vapor deposition material onto a substrate from an evaporation source of vapor deposition material comprising the steps of forming a flux of vapor deposition material having an effective source cross-sectional area and shape from an evaporation source of a vapor deposition material located at a known position, indexing a deposition mask having a plurality of apertures extending therethrough such that the mask is in a spaced relationship from the source defining a source-to-mask distance and positioned in the flux of vapor deposition material to permit the flux of vapor deposition to pass through the apertures, registering a substrate in a spaced relationship from the deposition mask defining a mask-to-substrate distance to permit the flux of the vapor deposition material passing through the apertures in the deposition mask to impinge onto the substrate forming a layer of vapor deposit material thereon, controlling at least one of the effective source cross-sectional area and shape of the flux of vapor deposition material, position of the evaporation source of a deposition material relative to the deposition mask, the magnitude of the substrate-to-mask distance and the magnitude of the mask-to-source distance to produce an edge onto the deposited layer of the vapor deposition material having the desired gradient is shown. A product produced by the process is also shown.
摘要翻译：一种用于从气相沉积材料的蒸发源控制蒸镀材料层到衬底上的边缘梯度斜率的方法，包括以下步骤：形成具有有效源截面积和形状的气相沉积材料焊剂位于已知位置的气相沉积材料的蒸发源，对沉积掩模进行分度，所述沉积掩模具有延伸穿过其中的多个孔，使得所述掩模与所述源间隔开，所述源限定了源到掩模的距离，并定位在所述焊剂中的气相沉积材料以允许气相沉积的通量穿过孔，以与隔离掩模成间隔的关系将衬底对准，其限定掩模到衬底的距离，以允许气相沉积材料的通量穿过孔中的孔沉积掩模冲击到衬底上，在其上形成一层气相沉积材料，控制在其上气相沉积材料的通量的有效源截面积和形状中的至少一个，沉积材料的蒸发源相对于沉积掩模的位置，衬底对掩模距离的大小以及示出了掩模到源距离以产生具有期望梯度的气相沉积材料的沉积层上的边缘。还显示了通过该方法生产的产品。

7. 发明公开

EP0073949A2 Verfahren und Herstellung von metallfreien Streifen bei der Metallbedampfung eines Isolierstoffbandes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens 失效
标题翻译：一种用于执行该方法的方法和一个绝缘带的金属化过程中的无金属条带制造，和设备。
公开(公告)号：EP0073949A2
公开(公告)日：1983-03-16
申请号：EP82107330.1
申请日：1982-08-12
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Neuwald, Anselm, Dipl.-Phys.
IPC分类号： C23C13/06
CPC分类号： C23C14/042
摘要： Das Verfahren zur Herstellung von metallfreien Streifen (18) bei der Metallbedampfung eines für den Einsatz in elektrischen Kondensatoren bestimmten Isolierstoffbandes (12) sieht vor, daß das zu metallisierende Isolierstoffband (12) und ein mit gleicher Geschwindigkeit mitlaufendes Abdeckband (13) zunächst in Kontakt gebracht werden, daß dann durch Aufdampfen von ÖI ein Film (15) hergestellt wird, der auch die seitlichen Flächen (16) des Abdeckbandes (13) sowie geringfügig auch angrenzende Flächenbereiche (14) des Isolierstoffbandes (12) bedeckt. Die Vorrichtung für dieses Verfahren enthält eine Kühlwalze, einen Metallverdampfer, einen Ölverdampfer, der in Laufrichtung des Abdeckbandes vor dem Metallverdampfer angeordnet ist, Vorratsrollen für die zu metallisierenden Bänder und eine Reinigungsvorrichtung, die in Laufrichtung des Abdeckbandes vor dem Ölverdampfer angeordnet ist.
摘要翻译：用于产生在一个特定的金属化无金属条带（18），用于在电电容器用绝缘带（12）的方法，提供了待金属化的材料绝缘带（12）和空转速度相同覆盖条（13）被第一接触是，其然后被油（15）的膜的气相沉积法制备覆盖和绝缘带（12）的盖条（13），并且还稍微相邻表面区域（14）的侧表面（16）。该方法的装置包括一个冷却辊，金属蒸发器，设置在金属蒸发器之前运行盖条的方向上的油蒸发器，供应辊待金属带以及设置在油蒸发器之前遮蔽胶带的运行方向的清洁装置。

8. 发明公开

EP0004900A3 Method of making polarizers consisting of a plurality of electrically conductive strips arranged on a glass carrier plate in parallel to each other 失效
标题翻译：制造安置在玻璃载体板上的多个电导线的偏振片的方法同时进行
公开(公告)号：EP0004900A3
公开(公告)日：1979-11-28
申请号：EP79101010
申请日：1979-04-03
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Krüger, Hans, Dipl.-Ing. , Rehme, Hans, Dr.
IPC分类号： G02B05/30 , C23C13/06
CPC分类号： C23C14/225 , C23C14/04 , G02B5/3058 , Y10S359/90
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von aus einer Vielzahl von auf einer Glasträgerplatte angeordneten parallel zueinander ausgerichteten elektrisch leitenden Streifen bestehenden Polarisatoren mit einem Rastermaß von ca. 1/10 der Lichtwellenlänge. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Verfahrensschritt vorgesehen ist, bei dem auf die Glasträgerplatte durch Bedampfen unter einem vorgegebenen Bedampfungswinkel eine wellige, dünenartige Schicht aus leitfähigem Material mit senkrecht zur Bedampfungsrichtung ausgerichteter gleichmäßiger Oberflächenwelligkeit mit einer Pierode von ca. 50 nm aufgebracht wird, und daß ein zweiter Verfahrensschritt vorgesehen ist, bei dem eine vorgegebene Stärke der dünenartigen Schicht durch Teilchenbeschuß unter einem vorgegebenen Beschußwinkel abgetragen wird, so daß eine Anordnung einer Vielzahl von parallel zueinander ausgerichteter, voneinander getrennter und damit elektrisch gegeneinander isolierter Mikrostreifen auf der Glasträgerplatte entsteht.

9. 发明专利

GB8330673D0 PHOTORESIST PRETREATMENT 未知
公开(公告)号：GB8330673D0
公开(公告)日：1983-12-29
申请号：GB8330673
申请日：1983-11-17
申请人： VARIAN ASSOCIATES
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/302 , C23C13/06
摘要： A method for pretreatment of a photoresist layer adhered to a semiconductor wafer prior to charged particle beam processing. The method includes bombarding the photoresist layer with ions which are electrically inactive with respect to the wafer. Suitable ions include ions of the noble gases. The pretreatment method causes rapid photoresist outgassing and carbonization without altering the electrical properties of the wafer. Outgassing during subsequent processing is thereby reduced. The pretreatment method is particularly applicable to ion implantation wherein dose measurement errors resulting from photoresist outgassing are reduced. The pretreatment method is performed at high current to minimize the effect on system throughput.

10. 发明专利

SU901355A1 METHOD OF MAKING MASK FOR COATING SUPPORT 未知
公开(公告)号：SU901355A1
公开(公告)日：1982-01-30
申请号：SU1845753
申请日：1972-11-01
申请人： HOCHVAKUUM DRESDEN VEB
发明人： BOLLINGER KHELMUT , KORNELIUS KHANS-DITER , ELBE DETLEF , FLYAJSHER VERNER , GERING ELIMAR , NAUMAN LOTAR , PETTSOLD KLAUS , SHVENKE VOLFGANG
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/04 , G03F1/48 , C23C13/06

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