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    • 3. 发明授权
    • Epitaxial growth for waveguide tapering
    • 波导锥形外延生长
    • US06987912B2
    • 2006-01-17
    • US10808787
    • 2004-03-23
    • Michael T. Morse
    • Michael T. Morse
    • G02B6/10G02B6/26G02B6/42C03B37/22C03C25/00
    • G02B6/1228G02B6/131
    • A method to form a semiconductor taper without etching the taper surfaces. In one embodiment, a semiconductor waveguide is formed on a workpiece having an unetched top surface; e.g., using a silicon insulator (SOI) wafer. A protective layer is formed on the waveguide. The protective layer is patterned and etched to form a mask that exposes a portion of the waveguide in the shape of the taper's footprint. In one embodiment, selective silicon epitaxy is used to grow the taper on the exposed portion of the waveguide so that the taper is formed without etched surfaces. Micro-loading effects can cause the upper surface of the taper to slope toward the termination end of the taper.
    • 一种在不蚀刻锥形表面的情况下形成半导体锥形的方法。 在一个实施例中,半导体波导形成在具有未蚀刻顶表面的工件上; 例如使用硅绝缘体(SOI)晶片。 在波导上形成保护层。 保护层被图案化和蚀刻以形成掩模,其将波导的一部分暴露在锥形足迹的形状中。 在一个实施例中,使用选择性硅外延在波导的暴露部分上生长锥形,使得锥形形成而没有蚀刻表面。 微加载效应可能导致锥形的上表面朝着锥度的终止端倾斜。