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1. 发明公开

CN1161104A 半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1161104A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN96190732.0
申请日：1996-07-09
申请人：罗姆股份有限公司
发明人：坂本和久
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
摘要：通过向半导体衬底上照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷的半导体器件的制造方法：在进行上述粒子束的照射之前，通过例如在10分钟以内升温到550～850℃的快速加热，在该温度下进行例如1秒～60分钟之间的热处理。即使由于电子束等粒子束的照射会生成晶体缺陷，从而缩短载流子的寿命而使开关速度达到高速化，电流放大倍数等电学特性也不会降低，故可得到满足开关速度和电学特性两方面要求的半导体器件。

2. 发明授权

CN1110074C 半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1110074C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN96190732.0
申请日：1996-07-09
申请人：罗姆股份有限公司
发明人：坂本和久
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
摘要：通过向半导体衬底上照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷的半导体器件的制造方法：在进行上述粒子束的照射之前，通过例如在10分钟以内升温到550～850℃的快速加热，在该温度下进行例如1秒～60分钟之间的热处理。即使由于电子束等粒子束的照射会生成晶体缺陷，从而缩短载流子的寿命而使开关速度达到高速化，电流放大倍数等电学特性也不会降低，故可得到满足开关速度和电学特性两方面要求的半导体器件。

3. 发明授权

EP0780891B1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
标题翻译：法半导体器件
公开(公告)号：EP0780891B1
公开(公告)日：2003-05-02
申请号：EP96922271.0
申请日：1996-07-09
申请人： ROHM CO., LTD.
发明人： SAKAMOTO, Kazuhisa, Rohm Co., Ltd.
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device in which crystal defects are generated in a semiconductor crystal by irradiating a semiconductor substrate (1) with a particle beam. In the preceding process of the irradiation process, the substrate (1) is heat-treated such that the temperature of the substrate (1) is raised rapidly in ten minutes to 550-850 °C and maintained for one second to 60 minutes. Crystal defects are generated in the crystal by irradiating the crystal with such a particle beam as an electron beam, the life time of carriers is shortened, and accordingly the switching speed is increased, not lowering the electric characteristics such as the current amplification factor. Thus a semiconductor device having both a high switching speed and good electric characteristics is fabricated.

4. 发明公开

EP0780891A4 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
标题翻译：法半导体器件
公开(公告)号：EP0780891A4
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：EP96922271
申请日：1996-07-09
申请人： ROHM CO LTD
发明人： SAKAMOTO KAZUHISA
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/263 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/30 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/322
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device in which crystal defects are generated in a semiconductor crystal by irradiating a semiconductor substrate (1) with a particle beam. In the preceding process of the irradiation process, the substrate (1) is heat-treated such that the temperature of the substrate (1) is raised rapidly in ten minutes to 550-850 °C and maintained for one second to 60 minutes. Crystal defects are generated in the crystal by irradiating the crystal with such a particle beam as an electron beam, the life time of carriers is shortened, and accordingly the switching speed is increased, not lowering the electric characteristics such as the current amplification factor. Thus a semiconductor device having both a high switching speed and good electric characteristics is fabricated.

5. 发明公开

EP0780891A1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
标题翻译： HERSTELLUNGSVERFAHRENFÜRHALBLEITERANORDNUNG
公开(公告)号：EP0780891A1
公开(公告)日：1997-06-25
申请号：EP96922271.0
申请日：1996-07-09
申请人： ROHM CO., LTD.
发明人： SAKAMOTO, Kazuhisa, Rohm Co., Ltd.
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
摘要： Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device wherein a corpuscular beam is radiated to a semiconductor substrate to create crystal defects therein, characterized in that said semiconductor substrate is subjected to a heat treatment, e.g. for 1 second to 60 minutes, wherein rapid heating-up, e.g. raising temperature to 550 to 850 °C within 10 minutes, is done in a process prior to that of carrying out of the radiation with a corpuscular beam. By doing so, there is provided a semiconductor device which is free from degradation in electrical characteristics such as current amplification factor and has an increased switching speed, even where crystal defects are created through the radiation of corpuscular beam such as an electron beam to shorten the carrier lifetime. Thus, the inventive semiconductor device is satisfied by both requirements of switching speed and electrical characteristic.
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其中将粒子束辐射到半导体衬底以在其中产生晶体缺陷，其特征在于，对所述半导体衬底进行热处理，例如， 1秒至60分钟，其中快速加热，例如，在10分钟内将温度提高到550〜850℃，在用红细胞束进行辐射之前的过程中进行。通过这样做，提供了一种半导体器件，其即使在通过诸如电子束的粒子束的辐射产生晶体缺陷的情况下，也不会有诸如电流放大系数的电特性的劣化并具有增加的切换速度，从而缩短载体寿命。因此，本发明的半导体器件通过开关速度和电气特性的要求得到满足。

6. 发明申请

WO1997003458A1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO1997003458A1
公开(公告)日：1997-01-30
申请号：PCT/JP1996001906
申请日：1996-07-09
申请人： ROHM CO., LTD. , SAKAMOTO, Kazuhisa
发明人： ROHM CO., LTD.
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device in which crystal defects are generated in a semiconductor crystal by irradiating a semiconductor substrate (1) with a particle beam. In the preceding process of the irradiation process, the substrate (1) is heat-treated such that the temperature of the substrate (1) is raised rapidly in ten minutes to 550-850 DEG C and maintained for one second to 60 minutes. Crystal defects are generated in the crystal by irradiating the crystal with such a particle beam as an electron beam, the life time of carriers is shortened, and accordingly the switching speed is increased, not lowering the electric characteristics such as the current amplification factor. Thus a semiconductor device having both a high switching speed and good electric characteristics is fabricated.
摘要翻译：一种半导体器件的制造方法，其中通过用半导体衬底（1）照射粒子束，在半导体晶体中产生晶体缺陷。在上述照射工序中，对基板（1）进行热处理，使基板（1）的温度在10分钟内快速上升至550〜850℃，保持1秒〜60分钟。通过用诸如电子束的这种粒子束照射晶体，在晶体中产生晶体缺陷，载流子的寿命缩短，因此开关速度增加，不会降低诸如电流放大系数的电特性。因此，制造具有高开关速度和良好电特性的半导体器件。

7. 发明授权

EP0317024B1 Procédé de réalisation d'un photodétecteur infrarouge intégré 失效
标题翻译：一个集成的红外光检测器的制造工艺。
公开(公告)号：EP0317024B1
公开(公告)日：1994-06-15
申请号：EP88202559.6
申请日：1988-11-16
申请人： LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE PHILIPS , Philips Electronics N.V.
发明人： Chane, Jean-Paul Société Civile S.P.I.D. , Riglet, Philippe Société Civile S.P.I.D.
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/105 , H01L27/1443 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10S148/08

8. 发明公开

EP0317024A1 Procédé de réalisation d'un photodétecteur infrarouge intégré 失效
标题翻译： Herstellungsverfahren eines integrierten Infrarot-Photodetektors。
公开(公告)号：EP0317024A1
公开(公告)日：1989-05-24
申请号：EP88202559.6
申请日：1988-11-16
申请人： LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE PHILIPS , Philips Electronics N.V.
发明人： Chane, Jean-Paul Société Civile S.P.I.D. , Riglet, Philippe Société Civile S.P.I.D.
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/105 , H01L27/1443 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10S148/08
摘要： Procédé de réalisation d'un circuit intégré pour la détection du rayonnement infrarouge comprenant un substrat semi-isolant muni d'une photodiode PIN enterrée, d'un transistor à effet de champ à jonction J-FET dont la grille est connectée à la photodiode PIN, et une résistance R connectée au transistor, ce procédé incluant la croissance d'une première structure de couches épitaxiales de matériaux semiconducteurs dans laquelle est formé le transistor J-FET, la croissance d'une seconde structure de couches épitaxiales de matériaux semiconducteurs dans laquelle est formée la diode PIN, et la gravure d'un puits dans lequel la seconde structure de couches est réalisée, caractérisé en ce que la gravure du puits est réalisée après la croissance de la première structure de couches épitaxiales et est pratiquée à travers cette structure jusque dans le substrat, en ce que la croissance de la seconde structure de couches épitaxiales est localisée de manière telle que cette seconde structure est limitée au puits et que sa surface supérieure est coplanaire avec celle de la première structure de couches.
Application : détecteur infrarouge intégré fonctionnant dans les domaines de longueur d'onde 1,3 ou 1,55 µm pour être utilisé en télécommunications.
摘要翻译：用于制造用于检测红外辐射的集成电路的方法，包括设置有埋入PIN光电二极管的半绝缘基板，栅极连接到引脚光电二极管的JFET结场效应晶体管和连接到晶体管的电阻器R 包括生长其中形成JFET晶体管的半导体材料外延层的第一结构的生长，形成其中形成pin二极管的半导体材料外延层的第二结构的生长，以及其中产生层的第二结构，其特征在于，在生长外延层的第一结构之后进行阱的蚀刻，并跨越该结构并进入衬底，因为外延层的第二结构的生长被定位以这种方式使得该第二结构被限制在井中，并且其上表面与杉木的上表面共面层的结构。 ...应用：集成红外探测器工作在1.3或1.55微米的波长范围内用于电信。 ... ...

9. 发明授权

US5981919A Method and apparatus for characterizing and controlling the heat treatment of a metal alloy 失效
标题翻译：用于表征和控制金属合金的热处理的方法和装置
公开(公告)号：US5981919A
公开(公告)日：1999-11-09
申请号：US798902
申请日：1997-02-11
申请人： James W. Masten, Jr.
发明人： James W. Masten, Jr.
IPC分类号： C21D1/34 , C21D11/00 , F27B9/06 , F27B9/16 , F27D19/00 , F27D21/00 , H05B1/02
CPC分类号： C21D1/34 , C21D11/00 , F27B9/066 , F27B9/16 , F27D19/00 , C21D2281/02 , F27D21/0014 , Y10S148/08
摘要： A method and apparatus for characterizing and controlling the heat treatment of a metal alloy employing non-contact sensors selectively positioned to minimize the effects of background temperature contributions. The sensors monitor the temperature of the part being treated at a location that is remote from the surface that is being irradiated directly. In preferred embodiments, the surface where the temperature measurements are taken are located within a black body source. The collected temperature information is used to control the heat treatment of the metal alloy.
摘要翻译：用于表征和控制使用非接触式传感器的金属合金的热处理的方法和装置，所述非接触式传感器选择性地定位以最小化背景温度贡献的影响。传感器在远离被直接照射的表面的位置监测待处理部件的温度。在优选实施例中，进行温度测量的表面位于黑体源内。收集的温度信息用于控制金属合金的热处理。

10. 发明授权

US5665998A Geometric enhancement of photodiodes for low dark current operation 失效
标题翻译：用于低暗电流操作的光电二极管的几何增强
公开(公告)号：US5665998A
公开(公告)日：1997-09-09
申请号：US601557
申请日：1996-02-14
申请人： Peter D. Dreiske , Arthur M. Turner , David I. Forehand
发明人： Peter D. Dreiske , Arthur M. Turner , David I. Forehand
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/00
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/1032 , Y02E10/50 , Y10S148/08 , Y10S257/91 , Y10S438/965
摘要： A substantial portion of the material at the pn junction (27) of the photodiode (37, 41) having an implanted region extending to a surface thereof is selectively removed (39), leaving a very small junction region (35, 43) with the remainder of the p-type (23) and n-type (25) material of each photodiode being spaced apart or electrically isolated at what was originally the junction. In the ion implanted n-type on p-type approach, the majority of the signal is created in the implanted n-type region while the majority of the noise is generated in the p-type region. By selectively removing p-type material, n-type material or both from the pn junction of the diode or otherwise electrically isolating most of the p-type and n-type regions from each other at the pn junction and thereby minimizing the pn junction area, noise is greatly reduced without affecting the signal response of the photodiode. With this approach, the present implant technology can still be used with the achievement of high temperature operational capability above 77.degree. Kelvin and up to about 110.degree. Kelvin.
摘要翻译：在具有延伸到其表面的注入区域的光电二极管（37,41）的pn结（27）处的大部分材料被选择性地去除（39），留下非常小的结区域（35,43），其中每个光电二极管的p型（23）和n型（25）材料的剩余部分在原来的结处间隔开或电隔离。在离子注入n型p型方法中，大部分信号在植入的n型区域中产生，而大部分噪声在p型区域中产生。通过从二极管的pn结选择性地去除p型材料，n型材料或两者，或者在pn结处将大部分p型和n型区域彼此电绝缘，从而使pn结面积最小化，噪声大大降低，而不影响光电二极管的信号响应。通过这种方法，目前的植入技术仍然可以用于实现高于77°开尔文和高达约110开氏度的高温操作能力。

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